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양극 구조체, 초고용량 전 고상 박·후막 전지 및 그 제조방법
- 기술번호 : KST2015012709
- 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-6124-6930
| 요약 | 본 발명은 후막 공정을 적용하는 양극 구조체, 초고용량 전 고상 박·후막 전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 후막 공정에 의한 양극 제조시 액상에서 고상으로 변형되는 지지기판과 양극이 결합된 구조의 양극 구조체를 제조하고, 상기 양극 구조체의 평탄한 양극 표면 상에 고체 전해질을 형성하는 양극 구조체, 초고용량 전 고상 박·후막 전지 및 그 제조방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 후막 공정에 의한 양극 제조시 접착제층을 매개로 상기 양극과 고상의 지지기판이 결합된 구조의 양극 구조체를 제조하고, 상기 양극 구조체의 평탄한 양극 표면 상에 고체 전해질을 형성하는 양극 구조체, 초고용량 전 고상 박·후막 전지 및 그 제조방법에 관한 것이다. |
|---|---|
| Int. CL | H01M 4/04 (2006.01) H01M 4/02 (2006.01) H01M 4/13 (2010.01) H01M 10/0585 (2010.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020120052828 (2012.05.18) |
| 출원인 | 연세대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1406112-0000 (2014.06.03) |
| 공개번호/일자 | 10-2013-0128799 (2013.11.27) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20140616) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2012.05.18) |
| 심사청구항수 | 21 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 연세대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 윤영수 | 대한민국 | 경기 과천시 별양로 ***, |
| 2 | 이석희 | 대한민국 | 경기 평택시 |
| 3 | 지승현 | 대한민국 | 경기도 양평군 |
| 4 | 이환 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 안준형 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 연세대학교 산학협력단 | 서울특별시 서대문구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.05.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0397595-49 |
| 2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2012.05.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2012-0063190-66 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2012.05.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0411158-30 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5062749-37 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5088566-87 |
| 6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.11.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0835729-15 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.01.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0027274-45 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.01.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0027275-91 |
| 9 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.04.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0264213-65 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 리튬 전이금속 산화물로 형성된 양극; 및상기 양극의 제1표면에 결합된 지지기판;을 포함하며,상기 양극은 성장기판에서 성장된 후, 상기 양극의 제1표면과 대향되는 제2표면에 부착된 상기 성장기판으로부터 분리되어 상기 지지기판에 전사되는 것을 특징으로 하는 양극 구조체 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 지지기판은 상기 양극의 제1표면 상에 액상으로 도포된 후 고화되어 형성되는 고분자 기판인 양극 구조체 |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서,상기 지지기판은 PDMS(Polydimethylsiloxane), PET(Polyethylene terephthalate), Polycarbonate(PC), PMMA(polymethyl methacrylate), PPS(polyphenylsulfide) 및 PEX(Cross-linked polyethylene) 중에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 양극 구조체 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 양극의 제1표면 상에 형성된 접착제층을 더 포함하고,상기 지지기판은 상기 접착체층을 매개로 상기 양극에 결합되는 고상의 지지기판인 양극 구조체 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서, 상기 접착제층은 에폭시계 고분자, 실리콘계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리이미드계 고분자, Al-Si, Ag-Cd, Au-Sb, Al-Zn, Al-Mg, Al-Ge, Pd-Pb, Ag-Sb, Au-In, Al-Cu-Si, Ag-Cd-Cu, Cu-Sb, Cd-Cu, Au-Sn, Ag-Sn, Au-Sn-Ni, Ag-Sn-Ni, Al-Si-Cu, Ag-Cu, Ag-Zn, Ag-Cu-Zn, Ag-Cd-Cu-Zn, Au-Si, Au-Ge, Au-Ni, Au-Cu, Au-Ag-Cu, Cu-Cu2O, Cu-Zn, Cu-P, Ni-B, Ni-Mn-Pd, Ni-P 및 Pd-Ni 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 재료로 이루어진 양극 구조체 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 지지기판은 유연성 기판인 양극 구조체 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서,상기 양극과 접속되는 전류 집전체를 더 포함하는 양극 구조체 |
| 8 |
8 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 양극 구조체;상기 양극 구조체에 포함된 양극의 제2표면 상에 형성된 고체 전해질; 및상기 고체 전해질 상에 형성된 음극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 전 고상 전지 |
| 9 |
9 성장기판 상에 리튬 전이금속 산화물로 이루어진 양극을 형성하는 단계;상기 양극 상에 지지기판을 형성하는 단계; 및상기 성장기판을 상기 양극으로부터 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 양극 구조체 제조 방법 |
| 10 |
10 제 9 항에 있어서,상기 양극을 형성하는 단계 후, 열처리를 수행하는 단계;를 더 포함하는 양극 구조체 제조 방법 |
| 11 |
11 제 9 항에 있어서,상기 양극을 형성하는 단계 후, 상기 양극 상에 전류 집전체를 형성하는 단계;를 더 포함하는 양극 구조체 제조 방법 |
| 12 |
12 제 9 항에 있어서,상기 양극은 5∼100㎛의 두께로 형성하는 양극 구조체 제조 방법 |
| 13 |
13 제 9 항에 있어서,상기 지지기판을 형성하는 단계는,상기 양극의 표면을 따라 지지기판용 액상 물질을 도포하는 단계; 및상기 지지기판용 액상 물질을 고화시키는 단계;를 포함하는 양극 구조체 제조 방법 |
| 14 |
14 제 13 항에 있어서,상기 지지기판은 PDMS(Polydimethylsiloxane), PET(Polyethylene terephthalate), Polycarbonate(PC), PMMA(polymethyl methacrylate), PPS(polyphenylsulfide) 및 PEX(Cross-linked polyethylene) 중에서 선택된 어느 하나의 물질로 형성하는 양극 구조체 제조 방법 |
| 15 |
15 제 9 항에 있어서,상기 양극을 형성하는 단계 후, 상기 양극의 표면을 따라 접착제층을 형성하는 단계;를 더 포함하며,상기 지지기판은 상기 접착체층을 매개로 상기 양극에 결합되는 고상의 지지기판인 양극 구조체 제조방법 |
| 16 |
16 제 15 항에 있어서, 상기 접착제층은 에폭시계 고분자, 실리콘계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리이미드계 고분자, Al-Si, Ag-Cd, Au-Sb, Al-Zn, Al-Mg, Al-Ge, Pd-Pb, Ag-Sb, Au-In, Al-Cu-Si, Ag-Cd-Cu, Cu-Sb, Cd-Cu, Au-Sn, Ag-Sn, Au-Sn-Ni, Ag-Sn-Ni, Al-Si-Cu, Ag-Cu, Ag-Zn, Ag-Cu-Zn, Ag-Cd-Cu-Zn, Au-Si, Au-Ge, Au-Ni, Au-Cu, Au-Ag-Cu, Cu-Cu2O, Cu-Zn, Cu-P, Ni-B, Ni-Mn-Pd, Ni-P 및 Pd-Ni 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 물질계로 형성하는 양극 구조체 제조 방법 |
| 17 |
17 제 9 항에 있어서,상기 지지기판은 유연성 기판인 양극 구조체 제조 방법 |
| 18 |
18 제 9 항에 있어서,상기 성장기판을 상기 양극으로부터 분리하는 단계는,상기 성장기판에 대해 에칭, 연마 및 CMP 공정 중에서 선택된 공정을 수행하여 상기 성장기판을 제거하는 양극 구조체 제조 방법 |
| 19 |
19 제 9 항에 있어서,상기 성장기판과 양극 사이에 희생층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 양극 구조체 제조 방법 |
| 20 |
20 제 19 항에 있어서,상기 성장기판을 상기 양극으로부터 분리하는 단계는,상기 희생층을 제거하여 상기 성장기판을 분리하는 양극 구조체 제조 방법 |
| 21 |
21 제 9 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 양극 구조체를 준비하는 단계;상기 양극 구조체의 양극 상에 고체 전해질을 형성하는 단계; 및상기 고체 전해질 상에 음극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전 고상 전지 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | WO2013172505 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | WO2013172505 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 교육과학기술부 | 연세대학교 산학협력단 | 기초연구역량 강화사업 | 나노 융합 그린에너지 원천 기술 개발 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1406112-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20120518 출원 번호 : 1020120052828 공고 연월일 : 20140616 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140417 청구범위의 항수 : 21 유별 : H01M 4/13 발명의 명칭 : 양극 구조체, 전 고상 전지 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 432,000 원 | 2014년 06월 03일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 351,400 원 | 2017년 06월 05일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 251,000 원 | 2018년 06월 04일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 266,060 원 | 2019년 07월 17일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 475,940 원 | 2020년 08월 03일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2012.05.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0397595-49 |
| 2 | 보정요구서 | 2012.05.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2012-0063190-66 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 | 2012.05.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0411158-30 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5062749-37 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5088566-87 |
| 6 | 의견제출통지서 | 2013.11.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0835729-15 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.01.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0027274-45 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.01.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0027275-91 |
| 9 | 등록결정서 | 2014.04.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0264213-65 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
| 기술번호 | KST2015012709 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 연세대학교 |
| 기술명 | 양극 구조체, 초고용량 전 고상 박·후막 전지 및 그 제조방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 후막 공정을 적용하는 양극 구조체, 초고용량 전 고상 박·후막 전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 후막 공정에 의한 양극 제조시 액상에서 고상으로 변형되는 지지기판과 양극이 결합된 구조의 양극 구조체를 제조하고, 상기 양극 구조체의 평탄한 양극 표면 상에 고체 전해질을 형성하는 양극 구조체, 초고용량 전 고상 박·후막 전지 및 그 제조방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 후막 공정에 의한 양극 제조시 접착제층을 매개로 상기 양극과 고상의 지지기판이 결합된 구조의 양극 구조체를 제조하고, 상기 양극 구조체의 평탄한 양극 표면 상에 고체 전해질을 형성하는 양극 구조체, 초고용량 전 고상 박·후막 전지 및 그 제조방법에 관한 것이다. |
| 개발상태 | 특허만신청(등록) |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 전지/2차전지/2차전지 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345175926 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0093823 |
| 연구과제명 | 나노과학기술연구소 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 연세대학교 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 200909~201808 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
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