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반도체액 조성물 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015012755
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 트랜지스터의 반도체액을 용액 공정을 통해 형성하여 제조하기 용이하고, 대기 중 성능 안정성과 우수한 반도체 물성 발현이 가능한 반도체액 조성물 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 반도체액 조성물은 적어도 하나 이상의 금속 아세테이트; 및 산(Acid)을 포함하는 졸 안정화제를 포함한다. 반도체액, 금속 아세테이트, 용액 공정
Int. CL H01B 3/20 (2006.01) H01L 21/00 (2006.01) H01B 1/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02(2013.01) H01L 21/02(2013.01) H01L 21/02(2013.01) H01L 21/02(2013.01)
출원번호/일자 1020070113933 (2007.11.08)
출원인 엘지디스플레이 주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1407298-0000 (2014.06.09)
공개번호/일자 10-2009-0047863 (2009.05.13) 문서열기
공고번호/일자 (20140613) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.01)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성기 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 문주호 대한민국 서울특별시 서대문구
3 이슬 대한민국 서울특별시 양천구
4 채기성 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
2 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0803446-51
2 보정요구서
Request for Amendment		 2007.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0160161-88
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-5093448-71
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2007.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-5093450-63
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
10 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2012-0896016-52
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
12 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2013.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0479886-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
14 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.08.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
15 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0082101-19
16 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0740743-49
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1201639-33
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-1201643-16
19 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0344954-22
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
적어도 하나 이상의 금속 아세테이트; 및 산(Acid)을 포함하는 졸 안정화제를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체액 조성물
2 2
제1항에 있어서,상기 금속 아세테이트는 0
3 3
제1항에 있어서상기 졸 안정화제는 아세트산(Acetic acid) 및 포름아미드(Formamide)이며
4 4
제1항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 금속 아세테이트와 졸 안정화제는 기판 상에 도포된 후 적어도 한 번의 열처리 공정을 통해 반도체막으로 형성되며, 상기 반도체막은 박막 트랜지스터의 반도체막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체액 조성물
5 5
제4항에 있어서,상기 열처리 공정은 먼저 200℃ ~ 400℃ 공기 분위기에서 베이킹하고, 400℃ ~ 600℃ 공기 분위기에서 프리어닐링 한 뒤, 200℃ ~ 400℃ 수소 또는 질소 분위기에서 1분~5분간 최종 어닐링하는 것을 특징으로 하는 반도체액 조성물
6 6
제1항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 금속 아세테이트는 아연 아세테이트와 주석 아세테이트로 이루어지며, 상기 아연 아세테이트와 주선 아세테이트의 몰 비율은 아연의 몰수를 100으로 할 때 주석 아세테이트가 11~100몰 인것을 특징으로 하는 반도체액 조성물
7 7
혼합 유기 용매에 금속 아세테이트를 용해하고 교반하는 단계와;상기 혼합 유기 용매 및 금속 아세테이트가 혼합된 용액에 아연 아세테이트(Zinc acetate dihydrate)를 용해하고 교반하여 졸-겔 용액을 제조하는 단계와;상기 졸-겔 용액을 1차 열교반하며, 졸-겔 용액에 포함된 금속 아세테이트와 아연 아세테이트(Zinc acetate dihydrate) 용액 내 용해도를 향상시키는 산(Acid)을 첨가하는 단계와;상기 졸-겔 용액의 부피를 검사하는 단계와;상기 졸-겔 용액에 졸-겔 용액의 안정성을 확보하는 졸 안정화제를 첨가하는 단계와;상기 졸 안정화제가 첨가된 상기 졸-겔 용액을 교반하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체액 조성물의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 금속 아세테이트는 주석 아세테이트(Sn(CH3COO)4), 갈륨 아세테이트(Ga(CH3COO)3), 인듐 아세테이트(In(CH3COO)3), 지르코늄 아세테이트(ZrO(CH3COO)2)인 것을 특징으로 하는 반도체액 조성물의 제조 방법
9 9
제7항에 있어서,상기 혼합 유기 용매는 에탄올아민(Ethanolamine) 및 2-메톡시에탄올(2-Methoxyethanol)이고, 상기 졸 안정화제는 포름아미드(Formamide)인 것을 특징으로 하는 반도체액 조성물의 제조 방법
10 10
제7항에 있어서,상기 졸-겔 용액을 1차 열교반하며, 졸-겔 용액에 포함된 금속 아세테이트와 아연 아세테이트(Zinc acetate dihydrate) 용액 내 용해도를 향상시키는 산(Acid)을 첨가하는 단계는상기 졸-겔 용액을 온도가 30℃~90℃ 핫플레이트에서 1분~15분간 1차 열교반을 하며, 상기 산(Acid)은 아세트산(Acetic acid)를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체액 조성물의 제조 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 졸-겔 용액의 부피를 검사하는 단계에서 졸-겔 용액의 부피 검사 결과에 따라 1차 열교반 및 산 주입 단계 다음 단계로 2차 열교반 및 2-메톡시에탄올(2-Methoxyethanol)을 첨가하여 사용자가 원하는 졸-겔 용액의 부피로 조절하는 단계를 추가하며,상기 2차 열교반은 상기 1차 열교반의 핫플레이트와 동일한 온도로 1분~10분간하는 것을 특징으로 하는 반도체액 조성물의 제조 방법
12 12
제7항에 있어서,상기 졸 안정화제가 첨가된 상기 졸-겔 용액을 교반하는 단계에서 교반 시간은 10시간~ 20시간을 교반하는 것을 특징으로 하는 반도체액 조성물의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.