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산화물반도체 조성물 및 그 제조방법, 산화물반도체 박막 형성 방법, 전자소자 제조 방법 및 그에 따라 제조된 전자 부품

  • 기술번호 : KST2015012764
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화물반도체 조성물, 그 제조 방법, 이를 이용한 산화물반도체 박막 및 전자 소자 형성 방법이 제공된다. 산화물반도체 조성물은 감광제 그리고 산화물반도체 전구체를 포함한다.
Int. CL H01B 1/16 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01) H01B 1/08 (2006.01)
CPC H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01)
출원번호/일자 1020120073907 (2012.07.06)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1373195-0000 (2014.03.05)
공개번호/일자 10-2014-0006575 (2014.01.16) 문서열기
공고번호/일자 (20140314) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.06)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현재 대한민국 서울 송파구
2 임현수 대한민국 서울특별시 서대문구
3 임유승 대한민국 서울특별시 서대문구
4 김동림 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0542316-97
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0728623-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.07.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0052823-17
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0530329-35
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0886554-59
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0886555-05
10 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0120828-91
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화물반도체 전구체;벤조일아세톤 (Benzoylacetone, C10H10O2), 벤조일아세토닐라이드 (Benzoylacetoanilide, C15H13NO2), 1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤 (1-Hydroxycyclohexyl phenyl ketone, C13H16O2), 포스파인옥사이드페닐비즈 (2,4,6-트리메틸 벤조일, C26H27O3P), 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-1-프로파논 (2-Hydroxy-2-methyl-1-phenyl-1-propanone, C10H12O2) 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택되는 감광성 물질; 및점도 조절제;를 포함하는 산화물반도체 조성물
2 2
제1 항에 있어서,상기 감광성 물질은 상기 산화물반도체 전구체 1몰 대비 0
3 3
제1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 점도 조절제는 상기 산화물반도체 전구체 및 상기 감광성 물질의 총 1몰 대비 0
4 4
제3 항에 있어서,상기 감광성 물질은 광흡수가 200 내지 450 nm 자외선 파장영역에서 일어나는 산화물반도체 조성물
5 5
삭제
6 6
제3 항에 있어서,상기 점도 조절제는 에틸렌 글리콜 (ethylene glycol, C2H6O2), 글리세롤 (glycerol, C3H8O3), 모노-에탄올아민 (mono-ethanolamine, C2H7NO) 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택되는 산화물반도체 조성물
7 7
제3 항에 있어서,상기 산화물반도체 전구체는 주석화합물 및 아연화합물을 포함하고,상기 주석화합물 대비 아연화합물의 몰비는 1:0
8 8
제7 항에 있어서,상기 산화물반도체 전구체는 인듐화합물, 갈륨화합물, 하프늄화합물, 마그네슘화합물, 알루미늄화합물, 이트륨화합물, 탄탈륨화합물, 타이타늄화합물, 지르코늄화합물, 바륨화합물, 란사늄화합물, 망간화합물, 텅스텐화합물, 몰리브덴화합물, 세륨화화합물, 크롬화합물, 스칸디움화합물, 실리콘화합물, 네오디뮴화합물, 스트론튬화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물을 더 포함하는 산화물반도체 조성물
9 9
감광성 물질, 점도 조절제 그리고 산화물반도체 전구체를 포함하는 산화물반도체 조성물을 기판에 도포하여 산화물반도체 박막을 형성하는 단계; 그리고,상기 산화물반도체 박막을 패터닝하는 단계를 포함하며,상기 감광성 물질은 벤조일아세톤 (Benzoylacetone, C10H10O2), 벤조일아세토닐라이드 (Benzoylacetoanilide, C15H13NO2), 1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤 (1-Hydroxycyclohexyl phenyl ketone, C13H16O2), 포스파인옥사이드페닐비즈 (2,4,6-트리메틸 벤조일, C26H27O3P), 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-1-프로파논 (2-Hydroxy-2-methyl-1-phenyl-1-propanone, C10H12O2) 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택되는 산화물반도체 박막 형성 방법
10 10
제9 항에 있어서,상기 산화물반도체 박막을 패터닝하는 단계는:상기 산화물반도체 박막에 광을 조사하는 단계; 그리고,상기 광이 조사되지 않은 산화물반도체 박막을 제거하는 단계를 포함하는 산화물반도체 박막 형성 방법
11 11
제9 항 또는 제10 항에 있어서,상기 광이 조사되지 않은 산화물반도체 박막을 제거하는 단계는, 식각 용액으로 에탄올, 메탄올, 이소프로필알콜, 프로판올, 2-메톡시에탄올, 아세토니트릴, 아세톤, 부탄올, 증류수 또는 이들의 조합을 상기 광이 조사되지 않은 산화물반도체 박막에 제공하는 것을 포함하는 산화물반도체 박막 형성 방법
12 12
제9 항 또는 제10 항에 있어서,상기 산화물반도체 조성물을 기판에 도포하여 산화물반도체 박막을 형성하는 단계는 상기 산화물반도체 조성물을 플렉시블 기판, 유리기판, 또는 실리콘 기판에 도포하는 것을 포함하는 산화물반도체 박막 형성 방법
13 13
제9 항 또는 제10 항의 산화물반도체 박막 형성 방법으로 형성된 산화물반도체 박막;상기 산화물 반도체 박막과 이격되어 중첩하는 게이트 전극; 그리고,상기 산화물 반도체 박막과 전기적으로 연결되며 상기 게이트 전극 양측에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 전자소자
14 14
플렉시블 기판 또는 유리 기판상에 형성된 산화물반도체 박막을 포함하며,상기 산화물반도체 박막은 제9 항 또는 제10 항의 산화물반도체 박막 형성 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
15 15
산화물반도체 전구체 용액을 준비하는 단계;점도 조절제를 준비하는 단계;벤조일아세톤 (Benzoylacetone, C10H10O2), 벤조일아세토닐라이드 (Benzoylacetoanilide, C15H13NO2), 1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤 (1-Hydroxycyclohexyl phenyl ketone, C13H16O2), 포스파인옥사이드페닐비즈 (2,4,6-트리메틸 벤조일, C26H27O3P), 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-1-프로파논 (2-Hydroxy-2-methyl-1-phenyl-1-propanone, C10H12O2) 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택된 감광성 물질이 용해된 감광성 물질 용액을 준비하는 단계; 그리고,상기 산화물반도체 전구체 용액, 상기 점도 조절제 그리고 상기 감광성 물질 용액을 혼합하는 단계를 포함하는 산화물반도체 조성물 제조 방법
16 16
끓는 점이 400℃ 이하이며 광흡수가 200 내지 450 nm 자외선 파장영역에서 일어나며, 벤조일아세톤 (Benzoylacetone, C10H10O2), 벤조일아세토닐라이드 (Benzoylacetoanilide, C15H13NO2), 1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤 (1-Hydroxycyclohexyl phenyl ketone, C13H16O2), 포스파인옥사이드페닐비즈 (2,4,6-트리메틸 벤조일, C26H27O3P), 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-1-프로파논 (2-Hydroxy-2-methyl-1-phenyl-1-propanone, C10H12O2) 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택되는 감광성 물질; 점도 조절제; 그리고,산화물 전구체;를 포함하는 산화물반도체 조성물
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부한국연구재단 연세대학교 산학협력단 중견연구자지원사업(도약연구사업) Printed Lab-on-a-Flex (LOF) 구현을위한 all-in-one 무기인쇄소재개발