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제1 콜로이드 양자점 박막을 기상을 이용하여 2기압 이상 70기압 이하의 고압으로 가압 표면 처리하여 제2 콜로이드 양자점 박막을 제조하는 단계를 포함하는 콜로이드 양자점 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제2 콜로이드 양자점 박막을 제조하는 단계는,상기 제1 콜로이드 양자점 박막을, 상온에서 150℃ 이하의 온도에서 30분 이상 4시간 이하의 시간 동안 가압 표면 처리하는 콜로이드 양자점 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제2 콜로이드 양자점 박막의 인접 양자점 간의 거리는 상기 제1 콜로이드 양자점 박막의 인접 양자점 간의 거리보다 작은 콜로이드 양자점 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제2 콜로이드 양자점 박막을 제조하는 단계는,질소, 아르곤, 산소, 및 이산화탄소 가스 중 하나 이상을 포함하는 기체를 이용하여 가압 표면 처리를 수행하는 콜로이드 양자점 박막의 제조 방법
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제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 콜로이드 양자점 박막은,CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, PbS, PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, InN, InP, 및 InAs 중의 적어도 하나를 포함하는 콜로이드 양자점 박막의 제조 방법
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기판상에 투명전극을 형성하는 단계;상기 투명전극 상에 금속산화물층을 형성하는 단계;상기 금속산화물층 상에 양자점층을 형성하는 단계; 및상기 양자점층 상에 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 양자점층을 형성하는 단계는,기상을 이용하여 2기압 이상 70기압 이하의 고압으로 가압 표면 처리하여 제조된 콜로이드 양자점 박막을 형성하는 단계를 포함하는 양자점 태양전지의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 양자점층을 형성하는 단계는,질소, 아르곤, 산소, 및 이산화탄소 가스 중 하나 이상을 포함하는 기체를 이용하여 가압 표면 처리된 콜로이드 양자점 박막을 형성하는 양자점 태양전지의 제조 방법
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