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기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계,형성된 상기 하부 전극 상에 원자층 증착 장비를 사용하여 plasma enhanced 원자층 증착 방법으로 화학양론 산화막인 제1산화막을 형성하는 단계,형성된 상기 제1산화막 위에 plasma enhanced 원자층 증착의 H2 환원 반응을 통해 증착되는 비화학양론 산화막인 제2산화막을 형성하는 단계; 및상기 제2산화막 위에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제2산화막은 증착 후 N2 / H2 혼합 가스를 사용한 열공정을 통한 추가적인 H2 환원 반응에 의해 산소 조성이 조절되는 것인 ReRAM 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 하부 전극은 Pt, Au, Ir, TiN, TaN, Ti, Al, Ta, Ni 중 적어도 하나의 금속물질로 형성되는 ReRAM 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 하부 전극 위에 상기 하부 전극과 상기 상부 전극의 전기적 분리를 위한 제1 절연막을 증착하는 ReRAM 소자의 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 제1 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 중 하나를 사용하는 ReRAM 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 산화막은 current barrier 용 화학양론 산화막으로서,HfO2, ZrO2, TiO2, Al2O3 또는 Ta2O5인 ReRAM 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 산화막은 저항 스위칭용 비화학양론 산화막으로서,AlOx, ZrOX, TiOX, NiOx, ZnOX, MnOX, WOX, TaOX 또는 HfOX 인 (여기서, x는 양의 실수)ReRAM 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 상부 전극은 TiN, TaN, Ti, Al, Ta 중 적어도 하나의 금속물질로 형성되는 ReRAM 소자의 제조 방법
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