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자외선 및 가시광 영역에서 광활성이 우수한 불순물이 도핑된 이산화티탄 광촉매의 대량 제조방법

  • 기술번호 : KST2015014184
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이산화티탄에 탄소(C), 황(S), 질소(N), 불소(B) 및 인(P)을 도핑할 때, 실온에서 값싸고 재사용이 가능한 재료를 이용하여 대량 생산할 수 있는 자외선 및 가시광 영역에서 광활성이 우수한 불순물이 도핑된 이산화티탄 광촉매의 대량 제조 방법에 대하여 개시한다.본 발명에 따른 자외선 및 가시광 영역에서 광활성이 우수한 불순물이 도핑된 이산화티탄 광촉매의 대량 제조방법은 (a) 이산화티탄 분말을 도핑 용액에 혼합하면서 교반하는 단계; (b) 상기 혼합된 용액에 대하여 초음파 처리하는 단계; (c) 상기 초음파 처리된 반응물을 감압 필터링하면서 세척 용액으로 세척하는 단계; (d) 상기 세척된 반응물을 건조하여 도핑 처리된 이산화티탄 입자를 수득하는 단계; 및 (e) 상기 도핑 처리된 이산화티탄 입자를 질소 분위기에서 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C01G 23/047 (2006.01) B01J 19/10 (2006.01) B01J 21/06 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110117454 (2011.11.11)
출원인 한국기초과학지원연구원
등록번호/일자 10-1141725-0000 (2012.04.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120503) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.11)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김해진 대한민국 대전광역시 유성구
2 이주한 대한민국 대전광역시 유성구
3 이순창 대한민국 대전광역시 유성구
4 이현욱 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0891688-17
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0914792-31
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.12.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.01.05 수리 (Accepted) 9-1-2012-0000873-92
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.02.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0067969-62
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.02.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0109664-70
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0109663-24
8 등록결정서
Decision to grant
2012.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0196097-56
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5184293-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5184331-50
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2013-5058386-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2013-5058545-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2020-5135881-88
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번호 청구항
1 1
(a) 이산화티탄 분말을 도핑 용액에 혼합하면서 교반하는 단계; (b) 상기 혼합된 용액에 대하여 초음파 처리하는 단계; (c) 상기 초음파 처리된 반응물을 감압 필터링하면서 세척 용액으로 세척하는 단계; (d) 상기 세척된 반응물을 건조하여 도핑 처리된 이산화티탄 입자를 수득하는 단계; 및 (e) 상기 도핑 처리된 이산화티탄 입자를 질소 분위기에서 열처리하는 단계;를 포함하며, 상기 도핑 용액은 2M 황산 및 과산화수소의 혼합 용액이며, 상기 황산 및 과산화수소의 부피비는 8 : 1 ~ 12 : 1인 것을 특징으로 하는 불순물이 도핑된 이산화티탄 광촉매 제조 방법
2 2
(a) 이산화티탄 분말을 도핑 용액에 혼합하면서 교반하는 단계; (b) 상기 혼합된 용액에 대하여 초음파 처리하는 단계; (c) 상기 초음파 처리된 반응물을 감압 필터링하면서 세척 용액으로 세척하는 단계; (d) 상기 세척된 반응물을 건조하여 도핑 처리된 이산화티탄 입자를 수득하는 단계; 및 (e) 상기 도핑 처리된 이산화티탄 입자를 질소 분위기에서 열처리하는 단계;를 포함하며, 상기 도핑 용액은 메틸 암모늄 클로라이드(methyl ammonium chloride), 증류수(H2O), 이소프로판올(isopropanol) 및 아세토나이트릴(acetonitrile)의 혼합 용액이며, 상기 메틸 암모늄 클로라이드와 증류수의 부피비는 1 : 1 ~ 1 : 20인 것을 특징으로 하는 불순물이 도핑된 이산화티탄 광촉매 제조 방법
3 3
(a) 이산화티탄 분말을 도핑 용액에 혼합하면서 교반하는 단계; (b) 상기 혼합된 용액에 대하여 초음파 처리하는 단계; (c) 상기 초음파 처리된 반응물을 감압 필터링하면서 세척 용액으로 세척하는 단계; (d) 상기 세척된 반응물을 건조하여 도핑 처리된 이산화티탄 입자를 수득하는 단계; 및 (e) 상기 도핑 처리된 이산화티탄 입자를 질소 분위기에서 열처리하는 단계;를 포함하며, 상기 도핑 용액은 플루오로아세트산(fluoroacetic acid), 증류수(H2O) 및 아세토나이트릴(acetonitrile)의 혼합 용액이며, 상기 플루오르아세트산과 아세토나이트릴의 부피비는 1 : 1 ~ 1 : 10인 것을 특징으로 하는 불순물이 도핑된 이산화티탄 광촉매 제조 방법
4 4
(a) 이산화티탄 분말을 도핑 용액에 혼합하면서 교반하는 단계; (b) 상기 혼합된 용액에 대하여 초음파 처리하는 단계; (c) 상기 초음파 처리된 반응물을 감압 필터링하면서 세척 용액으로 세척하는 단계; (d) 상기 세척된 반응물을 건조하여 도핑 처리된 이산화티탄 입자를 수득하는 단계; 및 (e) 상기 도핑 처리된 이산화티탄 입자를 질소 분위기에서 열처리하는 단계;를 포함하며, 상기 도핑 용액은 인산(phosphoric acid), 에탄올(ethanol) 및 염산(hydrochloric acid)의 혼합 용액이며, 상기 인산과 염산의 부피비는 10 : 1 ~ 1 : 1인 것을 특징으로 하는 불순물이 도핑된 이산화티탄 광촉매 제조 방법
5 5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 세척 용액은 증류수인 것을 특징으로 하는 불순물이 도핑된 이산화티탄 광촉매 제조 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 초음파 처리는 90 ~ 120W의 출력 전력으로 1 ~ 30분 동안 인가하는 것을 특징으로 하는 불순물이 도핑된 이산화티탄 광촉매 제조 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 (e) 단계에서, 상기 열처리는 250 ~ 550℃에서 4 ~ 12시간 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 불순물이 도핑된 이산화티탄 광촉매 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20130123093 US 미국 FAMILY

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1 US2013123093 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 수소에너지사업단 고효율 수소에너지 제조,저장,이용 기술개발사업 다공성 나노재료를 이용한 수소저장기술개발