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(a) 이산화티탄 분말을 도핑 용액에 혼합하면서 교반하는 단계; (b) 상기 혼합된 용액에 대하여 초음파 처리하는 단계; (c) 상기 초음파 처리된 반응물을 감압 필터링하면서 세척 용액으로 세척하는 단계; (d) 상기 세척된 반응물을 건조하여 도핑 처리된 이산화티탄 입자를 수득하는 단계; 및 (e) 상기 도핑 처리된 이산화티탄 입자를 질소 분위기에서 열처리하는 단계;를 포함하며, 상기 도핑 용액은 2M 황산 및 과산화수소의 혼합 용액이며, 상기 황산 및 과산화수소의 부피비는 8 : 1 ~ 12 : 1인 것을 특징으로 하는 불순물이 도핑된 이산화티탄 광촉매 제조 방법
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(a) 이산화티탄 분말을 도핑 용액에 혼합하면서 교반하는 단계; (b) 상기 혼합된 용액에 대하여 초음파 처리하는 단계; (c) 상기 초음파 처리된 반응물을 감압 필터링하면서 세척 용액으로 세척하는 단계; (d) 상기 세척된 반응물을 건조하여 도핑 처리된 이산화티탄 입자를 수득하는 단계; 및 (e) 상기 도핑 처리된 이산화티탄 입자를 질소 분위기에서 열처리하는 단계;를 포함하며, 상기 도핑 용액은 메틸 암모늄 클로라이드(methyl ammonium chloride), 증류수(H2O), 이소프로판올(isopropanol) 및 아세토나이트릴(acetonitrile)의 혼합 용액이며, 상기 메틸 암모늄 클로라이드와 증류수의 부피비는 1 : 1 ~ 1 : 20인 것을 특징으로 하는 불순물이 도핑된 이산화티탄 광촉매 제조 방법
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(a) 이산화티탄 분말을 도핑 용액에 혼합하면서 교반하는 단계; (b) 상기 혼합된 용액에 대하여 초음파 처리하는 단계; (c) 상기 초음파 처리된 반응물을 감압 필터링하면서 세척 용액으로 세척하는 단계; (d) 상기 세척된 반응물을 건조하여 도핑 처리된 이산화티탄 입자를 수득하는 단계; 및 (e) 상기 도핑 처리된 이산화티탄 입자를 질소 분위기에서 열처리하는 단계;를 포함하며, 상기 도핑 용액은 플루오로아세트산(fluoroacetic acid), 증류수(H2O) 및 아세토나이트릴(acetonitrile)의 혼합 용액이며, 상기 플루오르아세트산과 아세토나이트릴의 부피비는 1 : 1 ~ 1 : 10인 것을 특징으로 하는 불순물이 도핑된 이산화티탄 광촉매 제조 방법
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(a) 이산화티탄 분말을 도핑 용액에 혼합하면서 교반하는 단계; (b) 상기 혼합된 용액에 대하여 초음파 처리하는 단계; (c) 상기 초음파 처리된 반응물을 감압 필터링하면서 세척 용액으로 세척하는 단계; (d) 상기 세척된 반응물을 건조하여 도핑 처리된 이산화티탄 입자를 수득하는 단계; 및 (e) 상기 도핑 처리된 이산화티탄 입자를 질소 분위기에서 열처리하는 단계;를 포함하며, 상기 도핑 용액은 인산(phosphoric acid), 에탄올(ethanol) 및 염산(hydrochloric acid)의 혼합 용액이며, 상기 인산과 염산의 부피비는 10 : 1 ~ 1 : 1인 것을 특징으로 하는 불순물이 도핑된 이산화티탄 광촉매 제조 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 세척 용액은 증류수인 것을 특징으로 하는 불순물이 도핑된 이산화티탄 광촉매 제조 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 초음파 처리는 90 ~ 120W의 출력 전력으로 1 ~ 30분 동안 인가하는 것을 특징으로 하는 불순물이 도핑된 이산화티탄 광촉매 제조 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 (e) 단계에서, 상기 열처리는 250 ~ 550℃에서 4 ~ 12시간 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 불순물이 도핑된 이산화티탄 광촉매 제조 방법
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