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기판;상기 기판 상면에 증착되어 형성된 반도체층;상기 반도체층 상면에 증착되어 형성된 휨 방지층;을 포함하고,상기 휨 방지층의 열팽창 계수는 상기 반도체층의 열팽창 계수가 상기 기판의 열팽창 계수에 비해 크거나, 작음에 따라, 상기 기판의 열팽창 계수에 비해 작거나, 크거나, 같으며,상기 기판 상에 형성된 반도체층의 열팽창 계수가 상기 기판의 열팽창 계수에 비해 작을 때, 상기 반도체층 상면에 상기 기판에 비해 열팽창 계수가 크거나 같은 물질을 증착하여 박막을 형성함으로써, 상기 휨 방지층의 열팽창 계수는 상기 기판의 열팽창 계수에 비해 크거나 같고,상기 기판 상에 형성된 반도체층의 열팽창 계수가 상기 기판의 열팽창 계수에 비해 클 때, 상기 반도체층 상면에 상기 기판에 비해 열팽창 계수가 작거나 같은 물질을 증착하여 박막을 형성함으로써, 상기 휨 방지층의 열팽창 계수는 상기 기판의 열팽창 계수에 비해 작거나 같은 화합물 반도체
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청구항 1에 있어서,상기 기판은 사파이어(Al2O3) 웨이퍼 및 실리콘(Si) 웨이퍼 중 어느 하나이고, 상기 반도체층은 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN), 알루미늄질화갈륨(AlGaN), 질화인듐(InN), 인듐질화갈륨(InGaN) 중 어느 하나로 이루어지며, 상기 휨 방지층은 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 구리(Cu), 철(Fe), 금(Au) 및 실리콘(Si) 중 어느 하나인 화합물 반도체
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청구항 2에 있어서,상기 기판은 사파이어(Al2O3) 웨이퍼이고, 상기 반도체층은 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN), 알루미늄질화갈륨(AlGaN), 질화인듐(InN), 인듐질화갈륨(InGaN) 중 어느 하나이며,상기 휨 방지층은 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 구리(Cu), 철(Fe), 금(Au) 중 적어도 어느 하나로 형성된 화합물 반도체
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청구항 2에 있어서,상기 기판은 실리콘(Si) 웨이퍼이고, 상기 반도체층은 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN), 알루미늄질화갈륨(AlGaN), 질화인듐(InN), 인듐질화갈륨(InGaN) 중 어느 하나이며,상기 휨 방지층은 실리콘(Si)이 형성된 화합물 반도체
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청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 반도체층은 기판 상에 형성된 n형 반도체층, 상기 n형 반도체층 상에 형성된 양자 우물 구조의 활성층 및 상기 활성층 상에 형성된 p형 반도체층을 포함하고, 상기 휨 방지층은 상기 p형 반도체층 상에 형성된 화합물 반도체
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청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 반도체층은 기판 상에 형성된 n형 반도체층, 상기 n형 반도체층 상에 형성된 양자 우물 구조의 활성층, 상기 활성층 상에 형성된 p형 반도체층 및 상기 p형 반도체층 상에 형성된 오믹 접촉층을 포함하고, 상기 휨 방지층은 상기 오믹 접촉층 상에 형성된 화합물 반도체
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기판을 마련하는 과정;상기 기판 상에 반도체층을 증착 형성하는 과정;상기 기판 상에 형성된 반도체층의 열팽창 계수가 상기 기판의 열팽창 계수에 비해 크거나, 작음에 따라, 상기 반도체층 상에 상기 기판의 열팽창 계수에 비해 크거나, 작거나, 같은 물질을 증착하여 휨 방지층을 형성하는 과정;을 포함하고,상기 반도체층 상에 상기 휨 방지층을 형성하는 과정에 있어서,상기 기판 상에 반도체층을 증착하는 성장 장비와 동일한 성장 장비 내에서 상기 반도체층을 형성 후 상기 반도체층 상에 연속하여 휨 방지층을 성장시켜 형성하며,상기 반도체층의 열팽창 계수가 상기 기판의 열팽창 계수에 비해 작을 경우, 상기 기판의 열팽창 계수에 비해 열팽창 계수가 크거나 같은 재료를 이용하여 상기 반도체층 상에 휨 방지층을 형성하고,상기 반도체층의 열팽창 계수가 상기 기판의 열팽창 계수에 비해 클 경우, 상기 기판의 열팽창 계수에 비해 열팽창 계수가 작거나 같은 재료를 이용하여 상기 반도체층 상에 휨 방지층을 형성하는 화합물 반도체 제조 방법
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청구항 7에 있어서,상기 기판은 사파이어(Al2O3) 웨이퍼 및 실리콘(Si) 웨이퍼 중 어느 하나이고, 상기 반도체층은 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN), 알루미늄질화갈륨(AlGaN), 질화인듐(InN), 인듐질화갈륨(InGaN) 계열 중 어느 하나의 계열로 이루어지며, 상기 휨 방지층은 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 구리(Cu), 철(Fe), 금(Au), 실리콘(Si)으로 형성되는 화합물 반도체 제조 방법
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9
청구항 8에 있어서,상기 사파이어(Al2O3) 웨이퍼 기판 상에 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN), 알루미늄질화갈륨(AlGaN), 질화인듐(InN), 인듐질화갈륨(InGaN) 계열 중 어느 하나의 계열로 반도체층을 형성하며, 상기 반도체층 상에 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 구리(Cu), 철(Fe), 금(Au) 중 어느 하나를 이용하여 상기 휨 방지층을 형성하는 화합물 반도체 제조 방법
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10
청구항 8에 있어서,상기 실리콘(Si) 웨이퍼 기판 상에 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN), 알루미늄질화갈륨(AlGaN), 질화인듐(InN), 인듐질화갈륨(InGaN) 계열 중 어느 하나의 계열로 반도체층을 형성하며, 상기 반도체층 상에 실리콘(Si)을 이용하여 휨 방지층을 형성하는 화합물 반도체 제조 방법
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청구항 8에 있어서,상기 반도체층 및 휨 방지층은 동일한 MOCVD 성장 장비 내에서 연속적으로 성장되는 화합물 반도체 제조 방법
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청구항 8에 있어서,상기 반도체층을 형성하는데 있어서,상기 기판 상에 n형 반도체층을 형성하는 과정;상기 n형 반도체층 상에 양자 우물 구조의 활성층을 형성하는 과정; 및상기 활성층 상에 p형 반도체층을 형성하는 과정;을 포함하고,상기 p형 반도체층 상에 상기 휨 방지층을 형성하는 화합물 반도체 제조 방법
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청구항 8에 있어서,상기 반도체층을 형성하는데 있어서,상기 기판 상에 n형 반도체층을 형성하는 과정;상기 n형 반도체층 상에 양자 우물 구조의 활성층을 형성하는 과정; 상기 활성층 상에 p형 반도체층을 형성하는 과정; 및상기 p형 반도체층 상에 오믹 컨택층을 형성하는 과정;을 포함하고,상기 오믹 컨택층 상에 상기 휨 방지층을 형성하는 화합물 반도체 제조 방법
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