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Na 공급 방법이 개선된 유연기판 CIGS 태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015020709
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Na 공급 방법이 개선된 유연기판 CIGS 태양전지에 관한 것으로, 유연한 재질의 기판; 상기 기판 위에 형성된 후면전극, 상기 후면전극 위에 형성된 CIGS 광흡수층; 상기 CIGS 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 전면전극을 포함하여 구성되며, 상기 후면전극은 단일층으로 구성된 Na 첨가 금속 전극층인 것을 특징으로 한다.본 발명은 종래의 Na 첨가 Mo 전극층에 비하여 약 1/10정도 낮은 비저항을 나타내는 Na 첨가 Mo 전극층을 적용하여, 단일층으로 후면전극을 구성한 고효율의 유연기판 CIGS 태양전지를 제공할 수 있는 효과가 있다.또한, 후면전극층을 형성하는 공정이 단일층의 Na 첨가 Mo 전극층을 형성하는 공정만으로 이루어져, 유연기판 CIGS 태양전지의 제조공정 및 제조비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.나아가, Na 첨가 금속층이 공기 중에 노출된 동안에 표면에 형성된 Na 화합물을 제거하는 공정을 더 포함함으로써, 광흡수층이 박리되거나 태양전지의 변환효율이 감소하는 문제를 해소할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130094089 (2013.08.08)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1406734-0000 (2014.06.05)
공개번호/일자 10-2014-0021971 (2014.02.21) 문서열기
공고번호/일자 (20140616) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020120087075   |   2012.08.09
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.08.08)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안승규 대한민국 대전광역시 서구
2 윤경훈 대한민국 대전광역시 유성구
3 윤재호 대한민국 대전광역시 중구
4 조준식 대한민국 대전광역시 유성구
5 안세진 대한민국 대전광역시 유성구
6 곽지혜 대한민국 대전 서구
7 신기식 대한민국 대전 유성구
8 박상현 대한민국 대전 유성구
9 박주형 대한민국 대전 유성구
10 어영주 대한민국 대전광역시 유성구
11 유진수 대한민국 서울특별시 노원구
12 조아라 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0718990-02
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
3 등록결정서
Decision to grant
2014.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0378530-18
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유연한 재질의 기판;상기 기판 위에 형성된 후면전극,상기 후면전극 위에 형성된 CIGS 광흡수층;상기 CIGS 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및상기 버퍼층 위에 형성된 전면전극을 포함하여 구성되며,상기 후면전극은 단일층으로 구성된 Na 첨가 금속 전극층인 것을 특징으로 하는 Na 공급 방법이 개선된 유연기판 CIGS 태양전지
2 2
청구항 1에 있어서,상기 후면전극의 비저항이 5×10-4Ω㎝ 이하인 것을 특징으로 하는 Na 공급 방법이 개선된 유연기판 CIGS 태양전지
3 3
청구항 1에 있어서,상기 기판은 폴리이미드와 같은 폴리머 또는 스테인리스강 포일과 같은 금속 포일인 것을 특징으로 하는 Na 공급 방법이 개선된 유연기판 CIGS 태양전지
4 4
청구항 1에 있어서,상기 후면전극의 금속 전극층이 Mo 전극층인 것을 특징으로 하는 Na 공급 방법이 개선된 유연기판 CIGS 태양전지
5 5
청구항 1에 있어서,상기 기판과 상기 후면전극의 접착성을 향상시키는 접착층이, 상기 기판과 상기 후면전극의 사이에 추가된 것을 특징으로 하는 Na 공급 방법이 개선된 유연기판 CIGS 태양전지
6 6
청구항 1 내지 청구항 5 중에 하나의 태양전지에 포함되는 후면전극을 형성하는 방법으로서,Na가 도핑된 금속 타깃을 이용한 스퍼터링 공정으로 단일층으로 구성된 Na 첨가 금속 전극층을 형성하며, 상기 스퍼터링 공정은 0
7 7
청구항 6에 있어서,상기 스퍼터링 공정이 타깃에 대한 면적당 1
8 8
청구항 6에 있어서,상기 금속 타깃의 금속이 Mo인 것을 특징으로 하는 Na 공급 방법이 개선된 유연기판 CIGS 태양전지의 후면전극 형성방법
9 9
청구항 8에 있어서,상기 금속 타깃에 도핑된 Na의 양이 0
10 10
유연기판을 준비하는 단계;상기 기판 위에 후면전극층을 형성하는 단계;상기 후면전극층 위에 CIGS를 포함하는 CIGS 광흡수층을 형성하는 단계;상기 CIGS 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층 위에 전면전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 후면전극층을 형성하는 단계가, 단일층으로 구성된 Na 첨가 금속 전극층을 형성하는 공정으로 구성되는 것을 특징으로 하는 Na 공급 방법이 개선된 유연기판 CIGS 태양전지의 제조방법
11 11
청구항 10에 있어서,상기 Na 첨가 금속 전극층을 형성하는 공정이, Na가 도핑된 타깃을 이용한 스퍼터링 공정인 것을 특징으로 하는 Na 공급 방법이 개선된 유연기판 CIGS 태양전지의 제조방법
12 12
청구항 11에 있어서,상기 스퍼터링 공정이 타깃에 대한 면적당 0
13 13
청구항 12에 있어서,상기 스퍼터링 공정이 타깃에 대한 면적당 2~5 W/cm2 범위의 출력밀도로 수행되는 것을 특징으로 하는 Na 공급 방법이 개선된 유연기판 CIGS 태양전지의 제조방법
14 14
청구항 12에 있어서,상기 금속 타깃의 금속이 Mo인 것을 특징으로 하는 Na 공급 방법이 개선된 유연기판 CIGS 태양전지의 제조방법
15 15
청구항 12에 있어서,상기 금속 타깃에 도핑된 Na의 양이 0
16 16
청구항 10에 있어서,상기 CIGS 광흡수층을 형성하는 단계 전에, 상기 Na 첨가 금속 전극층의 표면에 형성된 Na 화합물을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 Na 공급 방법이 개선된 유연기판 CIGS 태양전지의 제조방법
17 17
청구항 16에 있어서,상기 Na 화합물을 제거하는 단계가, 용매를 이용하여 Na 화합물을 세척하여 수행되는 것을 특징으로 하는 Na 공급 방법이 개선된 유연기판 CIGS 태양전지의 제조방법
18 18
청구항 17에 있어서,상기 용매가 물, 에탄올, 메탄올 및 글리세롤 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 Na 공급 방법이 개선된 유연기판 CIGS 태양전지의 제조방법
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2 WO2014025176 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국에너지기술연구원 주요사업 (연구원 자체사업) 플렉서블 박막 태양전지 고효율화 기술개발