| 1 |
1
기판 상에 형성된 활성층을 포함하는 광 생성 영역; 및상기 광 생성 영역을 감싸면서 상기 광 생성 영역 상에 형성되고, 전류 차단층을 갖는 광 가둠 영역을 포함하고,상기 기판 상에는, 상기 광 생성 영역의 상부의 양측에 제1 깊이를 갖는 제1 트렌치들이 제공되고, 상기 광 가둠 영역의 양측에 제2 깊이를 갖는 제2 트렌치들이 제공되며, 상기 전류 차단층은 상기 제1 트렌치들 내에 형성되고,상기 광 가둠 영역의 폭은 5 마이크로미터(㎛) 내지 10 마이크로미터(㎛)이고,상기 활성층의 폭은 1 마이크로미터(㎛) 내지 1
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 제2 트렌치들 중 하나를 사이에 두고 상기 광 가둠 영역과 이격된 변조 전류 주입 영역을 더 포함하는 매립형 이종 접합 레이저 다이오드
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 광 가둠 영역 및 상기 제2 트렌치들의 내면을 따라 형성되며, 상기 광 가둠 영역의 상부면을 오픈시키는 절연막; 및상기 절연막 상에 형성되며, 상기 변조 전류 주입 영역의 상부면과 상기 광 가둠 영역의 상부면과 접촉하는 제1 패드용 금속층을 더 포함하는 매립형 이종접합 레이저 다이오드
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 제1 패드용 금속층은 상기 광 가둠 영역 상에 형성된 제1 배선, 상기 변조 전류 주입 영역에 형성된 전극 패드, 및 상기 제1 배선과 상기 전극 패드를 연결시키도록 상기 제2 트렌치들의 내면을 따라 형성된 제2 배선을 포함하는매립형 이종접합 레이저 다이오드
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 제1 배선은 상기 광 가둠 영역에 비해 좁은 폭을 갖는매립형 이종접합 레이저 다이오드
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 제2 깊이는 상기 제1 깊이보다 큰 값을 갖는 매립형 이종 접합 레이저 다이오드
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 제2 트렌치들 내에 형성된 절연성 충전 물질들을 더 포함하는 매립형 이종접합 레이저 다이오드
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 광 생성 영역은 상기 기판 상에 차례로 적층된 제1 버퍼층, 격자층, 제2 버퍼층 및 상기 활성층을 포함하는매립형 이종접합 레이저 다이오드
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 제1 버퍼층은 n-InP층이고, 상기 격자층은 i-InGaAsP 또는 n-InGaAsP층이고, 상기 제2 버퍼층은 n-InP층이고, 상기 활성층은 n-InP층인매립형 이종접합 레이저 다이오드
|
| 10 |
10
제8항에 있어서,상기 제1 및 제2 트렌치들은 상기 제1 버퍼층을 노출시키는 깊이를 갖는매립형 이종접합 레이저 다이오드
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 광 가둠 영역은 차례로 적층된 상기 전류 차단층, 클래드층 및 오믹층을 포함하는 매립형 이종접합 레이저 다이오드
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 전류 차단층은 교대로 적층된 p-InP층들 및 n-InP층들을 포함하고, 상기 클래드층은 p-InP층이고, 상기 오믹층은 p+InGaAs층인매립형 이종접합 레이저 다이오드
|
| 13 |
13
제1항에 있어서,상기 광 가둠 영역의 상부면이 곡면인매립형 이종접합 레이저 다이오드
|
| 14 |
14
제1항에 있어서,상기 광 가둠 영역은 상기 광 생성 영역을 중심으로 일측이 타측에 비해 큰 폭을 갖는매립형 이종접합 레이저 다이오드
|
| 15 |
15
제14항에 있어서,상기 제2 트렌치들 중 하나를 사이에 두고 상기 광 가둠 영역과 이격된 변조 전류 주입 영역을 더 포함하는 매립형 이종 접합 레이저 다이오드
|
| 16 |
16
제15항에 있어서,상기 일측은 상기 타측에 비해 상기 변조 전류 주입 영역과 인접한 매립형 이종접합 레이저 다이오드
|
| 17 |
17
제15항에 있어서,상기 제2 트렌치들 중 상기 변조 전류 주입 영역과 상기 광 가둠 영역 사이에 위치한 상기 제2 트렌치가 나머지 제2 트렌치에 비해 좁은 폭을 갖는매립형 이종접합 레이저 다이오드
|
