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광통부를 가지는 제1 주반사경과 상기 제1 주반사경의 둘레에 위치하는 복수개의 제2 주반사경을 구비한 주반사경부,상기 주반사경부와 마주보게 위치하며, 상기 제1 및 제2 주반사경에서 반사된 빛을 상기 광통부로 반사시키는 부반사경부,상기 광통부 하단에 위치하며 상기 광통부를 통과한 빛 중 테라헤르츠(tera hertz) 대역의 신호를 통과시키고 나머지 빛을 반사시키는 빔 스플리터(beam splitter),상기 빔 스플리터로부터 반사된 빛에서 적외선을 필터링하여 상을 맺어주는 제1 결상광학계,상기 제1 결상광학계에 의해 얻어진 상기 상을 촬상하여 전기적인 신호로 출력하는 이미지 센서(image sensor),상기 빔 스플리터를 통과한 상기 테라헤르츠 대역의 신호를 필터링(filtering)하는 제2 결상광학계, 그리고상기 제2 결상광학계에 의해 필터링된 상기 테라헤르츠 대역의 신호를 검출하는 테라헤르츠 검출기를 포함하는 빔 스플리터를 이용하여 근적외선 신호 및 테라헤르츠 대역의 신호를 검출하는 광학 시스템
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제1항에서,상기 제1 주반사경과 제2 주반사경은 동일한 형태를 갖는 빔 스플리터를 이용하여 근적외선 신호 및 테라헤르츠 대역의 신호를 검출하는 광학 시스템
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제2항에서,상기 제1 및 제2 주반사경은 원형, 다각형, 타원 중 어느 하나의 형태를 갖는 빔 스플리터를 이용하여 근적외선 신호 및 테라헤르츠 대역의 신호를 검출하는 광학 시스템
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제1항에서,상기 제1 주반사경과 제2 주반사경은 서로 다른 형태를 갖는 빔 스플리터를 이용하여 근적외선 신호 및 테라헤르츠 대역의 신호를 검출하는 광학 시스템
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제4항에서,상기 제1 및 제2 주반사경 중 어느 하나는 원형, 다각형, 타원 중 어느 하나의 형태를 갖고, 다른 하나는 원형, 다각형, 타원 중 어느 하나의 형태를 갖는 빔 스플리터를 이용하여 근적외선 신호 및 테라헤르츠 대역의 신호를 검출하는 광학 시스템
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제1항에서,상기 부반사경부는 상기 주반사경부의 상기 제1 및 제2 주반사경의 개수의 합과 동일한 개수의 제1 및 제2 부반사경을 가지는 빔 스플리터를 이용하여 근적외선 신호 및 테라헤르츠 대역의 신호를 검출하는 광학 시스템
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제6항에서,상기 제1 및 제2 부반사경은 상기 제1 및 제2 주반사경과 동일한 형태를 갖는 빔 스플리터를 이용하여 근적외선 신호 및 테라헤르츠 대역의 신호를 검출하는 광학 시스템
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제6항에서,상기 제1 및 제2 부반사경은 상기 제1 및 제2 주반사경 중 어느 하나의 지름보다 작은 지름을 갖는 빔 스플리터를 이용하여 근적외선 신호 및 테라헤르츠 대역의 신호를 검출하는 광학 시스템
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제1항에서,상기 제1 결상광학계는 적외선만을 통과시키는 필터를 포함하는 빔 스플리터를 이용하여 근적외선 신호 및 테라헤르츠 대역의 신호를 검출하는 광학 시스템
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제1항에서,상기 이미지 센서는 CCD(Charge-Coupled Device) 또는 CMOS 이미지 센서(complementary metal-oxide semiconductor) 이미지 센서(image sensor)인 빔 스플리터를 이용하여 근적외선 신호 및 테라헤르츠 대역의 신호를 검출하는 광학 시스템
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제1항에서,상기 테라헤르츠 검출기는 볼로미터(bolometer)인 빔 스플리터를 이용하여 근적외선 신호 및 테라헤르츠 대역의 신호를 검출하는 광학 시스템
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제1항에서,상기 빔 스플리터 하단에 상기 빔 스플리터를 통과한 상기 테라헤르츠 대역의 신호를 상기 제2 결상광학계로 반사시키는 반사거울을 더 포함하는 빔 스플리터를 이용하여 근적외선 신호 및 테라헤르츠 대역의 신호를 검출하는 광학 시스템
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