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기판 상에 형성되어 있으며, 요철구조 영역과 요철구조가 없는 영역이 존재하는 멤브레인;상기 요철구조 영역 상에 형성되어 가스와 접촉하며 공급되는 전류에 의해 발열하는 감지소자;상기 요철구조가 없는 영역 상에 형성된 박막 히터;상기 감지소자의 양단에 형성되어 있으며, 상기 감지소자로 상기 전류를 공급하는 전극;을 포함하고,상기 요철구조 영역이 형성되어 있는 멤브레인의 하부에 위치하는 기판은 제거되어 캐비티(cavity)가 형성되고,상기 감지소자는 상기 멤브레인의 요철구조에 대응하는 요철구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 마이크로 가스센서
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제 1항에 있어서, 상기 감지소자는 SnO2, WO2, TiO2, In2O3, CuO와 같은 반도체 세라믹 소자, 전도성 고분자, 그라핀 중 어느 하나로 구성되며, 상기 전극은 Cr과 Au으로 구성된 합금 또는 Ti과 Pt로 구성된 합금 중 어느 하나임을 특징으로 하는 마이크로 가스센서
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제 2항에 있어서, 상기 멤브레인의 재질은 SiNx, SiO2, SiO2/SiNx/SiO2(ONO) 중 어느 하나임을 특징으로 하는 마이크로 가스센서
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제 3항에 있어서, 상기 전극으로 전류를 공급하며, 상기 감지소자에 접촉하는 가스에 의해 발생하는 전압의 변화를 이용하여 접촉하는 가스의 종류 및 농도를 측정함을 특징으로 하는 마이크로 가스센서
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실리콘 기판의 상단에 SiNx, SiO2, SiO2/SiNx/SiO2(ONO) 중 어느 하나를 증착하여 멤브레인을 형성하는 단계;형성된 상기 멤브레인의 일부를 식각하여 요철 구조를 형성하는 단계;형성된 상기 요철 구조의 상단에 SnO2, WO2, TiO2, In2O3, CuO와 같은 반도체 세라믹 소자, 전도성 고분자, 그라핀 중 어느 하나를 증착하여 요철 구조 형상을 갖는 감지소자를 형성하는 단계;증착한 상기 감지소자의 양단에 Cr과 Au으로 구성된 합금 또는 Ti과 Pt로 합금 중 어느 하나의 합금으로 전극을 형성하는 단계; 및상기 요철구조가 형성되어 있는 멤브레인의 하부에 위치하는 기판을 제거하여 캐비티(cavity)를 형성하는 단계를 포함하고,상기 감지소자를 형성하는 단계는,상기 감지소자와 일정 거리 이격된 위치에 Pt 또는 Au 박막을 형성한 후 식각 패터닝하여 발열체(히터)나 온도센서를 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 마이크로 가스센서 제조 방법
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