| 1 |
1
화소영역을 가진 기판을 구비하는 단계와;상기 기판 상에 도전성 금속을 증착하고 패터닝하여, 게이트배선과 상기 게이트배선에서 연장되어 형성된 게이트전극과, 상기 화소영역을 가로지르는 바 패턴을 형성하는 단계와;상기 게이트배선과 상기 화소영역을 가로지르는 형상이 패턴된 기판의 전면에 절연물질을 증착하여 제 1 절연층을 형성하는 단계와;상기 제 1 절연층상에 아일랜드 형태의 액티브층을 형성하는 단계와;상기 액티브층이 형성된 기판의 전면에 도전성금속을 증착하고 패터닝하여, 상기 게이트전극의 일 측 상부에 소스전극과 이와는 이격된 드레인전극과, 상기 소스전극과 연결되고 상기 게이트배선과 교차하는 데이터배선을 형성하는 단계와;상기 데이터배선이 형성된 기판의 전면에 절연물질을 증착하고 패터닝하여, 상기 드레인전극을 노출하는 드레인콘택홀을 포함하는 제 2 절연층을 형성하는 단계와;상기 제 2 절연층 상에 투명 도전성금속을 증착하는 단계와;상기 투명 도전성금속층 상에 포토레지스트를 증착하는 단계와;상기 포토레지스트를 상기 게이트 전극, 소스전극, 드레인 전극 및 바 패턴을 마스크로 이용하여 배면노광 방식으로 노광하는 단계와;상기 드레인 콘택홀 부분을 전(前)면노광하는 단계와;상기 노광되지 않은 부분의 포토레지스트를 제거하고 그 하부의 투명전극을 제거하여 상기 드레인콘택홀을 통해 상기 드레인전극과 접촉하는 화소전극과 상기 화소영역 상의 투명전극에 슬릿을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 절연물질은 실리콘 질화막(SiNX)과 실리콘 산화막(SiO2) 중 선택된 하나인 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서, 상기 도전성 금속은 크롬, 몰리브덴, 텅스텐을 포함하는 도전성 금속그룹 중 선택된 하나인 액정표시자치용 어레이기판 제조방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 슬릿은 상기 화소전극 내에, 상기 바패턴에 대응하여 형성되는 어레이기판 제조방법
|
| 5 |
5
화소영역을 가진 기판을 구비하는 단계와;상기 기판 상에 도전성금속을 증착하고 패터닝하여, 게이트배선과 상기 게이트배선에서 연장되어 형성된 게이트전극을 형성하는 단계와;상기 게이트배선과 게이트전극이 형성된 기판의 전면에 절연물질을 증착하여 제 1 절연층을 형성하는 단계와;상기 제 1 절연층 상에 반도체층과 불순물 반도체층을 적층하고 동시에 패터닝하여, 상기 게이트전극 상부에 아일랜드 형태의 액티브층(및 오믹 콘택층)과 상기 게이트배선과 게이트배선 사이의 화소영역에 화소영역을 가로지르는 바 패턴을 형성하는 단계와;상기 화소영역을 가로지르는 액티브패턴과 상기 액티브층이 형성된 기판의 전면에 도전선 금속을 증착하고 패터닝하여, 상기 게이트전극의 일 측 상부에 소스전극과 이와는 이격된 드레인전극과, 상기 소스전극과 연결되고 상기 게이트배선과 교차하는 데이터배선을 형성하는 단계와;상기 데이터배선이 형성된 기판의 전면에 절연물질을 증착하고 패터닝하여 상기 드레인전극을 노출하는 드레인콘택홀을 포함하는 제 2 절연층을 형성하는 단계와;상기 제 2 절연층 상에 투명도전성 금속을 증착하는 단계와;상기 투명도전성금속층 상에 포토레지스트를 증착하는 단계와;상기 포토레지스트를 상기 게이트전극, 소스 전극, 드레이전극 및 바 패턴을 마스크로 이용하여 배면노광 방식으로 노광하는 단계와;상기 드레인 콘택홀 부분을 전(前)면노광하는 단계와;상기 노광되지 않은 부분의 포토레지스트를 제거하고 그 하부의 투명전극을 제거하여 상기 드레인콘택홀을 통해 상기 드레인전극과 접촉하는 화소전극과 상기 화소영역 상의 투명전극에 슬릿을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서, 상기 절연물질은 실리콘 질화막(SiNX)과 실리콘 산화막(SiO2) 중 선택된 하나인 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
|
| 7 |
7
제 5 항에 있어서, 상기 도전성 금속은 크롬, 몰리브덴, 텅스텐을 포함하는 도전성 금속그룹 중 선택된 하나인 액정표시자치용 어레이기판 제조방법
|
| 8 |
8
제 5 항에 있어서,상기 슬릿은 상기 화소영역내에, 상기 바 패턴에 대응하여 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
|
| 9 |
9
기판을 구비하는 단계와;상기 기판에 스위칭 소자를 형성하는 단계와;상기 스위칭소자에 연결되고, 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 제 1, 2 신호배선을 형성하는 단계와;상기 화소영역을 가로지르는 형상의 바 패턴을 형성하는 단계와;상기 스위칭 소자 및 상기 바 패턴 상부에 투명도전성 금속을 증착하는 단계와;상기 투명도전성 금속 상부에 포토레지스트를 증착하는 단계와;상기 포토레지스트를 상기 스위칭 소자 및 바 패턴을 마스크로 하여 배면노광하고, 상기 스위칭 소자의 일부분을 전(前)면 노광하여 노광되지 않은 포토레지스트를 제거하여 상기 투명도전성 금속을 일부 노출하는 단계와;상기 노출된 투명도전성 금속을 제거하여, 상기 스위칭 소자와 접촉하고 상기 바 패턴에 대응하는 슬릿이 형성된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
|
| 10 |
10
제 9 항에 있어서,상기 스위칭 소자는 게이트전극, 소스전극, 드레인전극, 액티브층을 가진 박막트랜지스터이고, 상기 바 패턴은 상기 게이트전극과 동일한 물질로 구성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
|
| 11 |
11
제 9 항에 있어서,상기 스위칭소자는 게이트전극, 소스전극, 드레인전극, 액티브층을 가진 박막트랜지스터이고, 상기 바 패턴은 상기 액티브층과 동일한 물질로 구성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
|
| 12 |
11
제 9 항에 있어서,상기 스위칭소자는 게이트전극, 소스전극, 드레인전극, 액티브층을 가진 박막트랜지스터이고, 상기 바 패턴은 상기 액티브층과 동일한 물질로 구성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
|
