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액티브 영역, 패드 영역으로 구분된 액정 디스플레이 패널 제조에 있어서, 기판 상에 알루미늄 또는 알루미늄 계열의 화합물로 이루어진 게이트 배선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 형성하는 공정;상기 게이트 패드를 포함한 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 공정;상기 게이트 절연막상에 반도체층을 형성하는 공정;상기 게이트 절연막상에 데이터 배선, 데이터 패드를 형성하고, 상기 반도체층상에 소스/드레인 전극을 형성하여 박막트랜지스터를 형성하는 공정;상기 소스/드레인 전극을 포함한 전면에 보호막을 형성하는 공정;상기 드레인 전극과 상기 게이트 패드 및 데이터 패드를 노출시키는 공정;상기 노출된 게이트 패드 상에 은 또는 구리로 도금하여 도금막을 형성하는 공정;상기 게이트 패드 및 데이터 패드와 전기적으로 연결되고, 산화물로 이루어진 투명도전막을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 게이트 절연막, 상기 반도체층 중 적어도 어느 하나는 15℃ 이상, 150℃이하의 저온 PECVD 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 산화물은 ITO, IZO 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 도금막은 상기 노출된 데이터 패드의 상부에 더 형성됨을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널 제조 방법
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액티브 영역, 패드 영역으로 구분된 액정 디스플레이 패널 제조에 있어서, 기판 상에 알루미늄 또는 알루미늄 계열의 화합물로 이루어진 게이트 배선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 형성하는 공정;상기 게이트 패드를 포함한 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 공정;상기 게이트 절연막상에 반도체층을 형성하는 공정;상기 게이트 절연막을 패터닝하여 게이트 패드를 노출시키는 공정;상기 게이트 절연막 상에 데이터 배선, 데이터 패드를 형성하고, 상기 반도체층상에 소스/드레인 전극을 형성하여 박막트랜지스터를 형성하는 공정;상기 소스/드레인 전극을 포함한 전면에 보호막을 형성하는 공정;상기 보호막을 패터닝하여 상기 드레인 전극과 상기 게이트 패드 및 데이터 패드를 노출시키는 공정;상기 노출된 게이트 패드 상에 은 또는 구리로 도금하여 도금막을 형성하는 공정;상기 게이트 패드 및 데이터 패드와 전기적으로 연결되고, 산화물로 이루어진 투명도전막을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 게이트 절연막, 상기 반도체층 중 적어도 어느 하나는 15℃이상, 150℃이하의 저온 PECVD 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 산화물은 ITO, IZO 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 도금막은 상기 노출된 데이터 패드의 상부에 더 형성됨을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 도금막은 상기 노출된 데이터 패드의 상부에 더 형성됨을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널 제조 방법
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