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액정표시소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015024177
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요약 본 발명은 질산을 제거한 염산 수용액을 ITO에천트로 적용함으로써 ITO에천트에 의한 몰리브덴 배선층의 손상을 방지하는 액정표시소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 제 1 기판 상에 제 1 배선층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 배선층을 포함한 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막 상에 제 2 배선층을 형성하는 단계와, 제 2 배선층을 포함한 전면에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 보호막 상에 15%~24%의 농도를 가지는 HCl 에천트인 HCl 수용액을 사용한 사진식각공정으로 화소 전극을 형성하는 단계와, 상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. ITO 에천트, 몰리브덴, 단선불량
Int. CL G02F 1/136 (2000.01)
CPC G02F 1/13439(2013.01) G02F 1/13439(2013.01) G02F 1/13439(2013.01) G02F 1/13439(2013.01)
출원번호/일자 1020010026747 (2001.05.16)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0796483-0000 (2008.01.15)
공개번호/일자 10-2002-0087752 (2002.11.23) 문서열기
공고번호/일자 (20080121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.05.16)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이형찬 대한민국 경상북도구미시구
2 이연보 대한민국 경기도부천시소사구
3 박기범 대한민국 부산광역시부산진구
4 김진동 대한민국 경상북도구미시구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 심창섭 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2001-0113441-65
2 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.05.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2006-0340565-69
3 출원심사청구서
Request for Examination
2006.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2006-0340567-50
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0020109-34
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0446956-41
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.10.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2007-0739322-63
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0739324-54
9 등록결정서
Decision to grant
2007.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0706606-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
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번호 청구항
1 1
제 1 기판 상에 제 1 배선층을 형성하는 단계;상기 제 1 배선층을 포함한 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 제 2 배선층을 형성하는 단계;제 2 배선층을 포함한 전면에 보호막을 형성하는 단계;상기 보호막 상에 15%~24%의 농도를 가지는 HCl 에천트인 HCl 수용액을 사용한 사진식각공정으로 화소 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 HCl 에천트는 35∼45℃인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 HCl 에천트는 40℃의 20% HCl 수용액인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 화소전극은 ITO(Indium Tin Oxide)를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 배선층 또는 제 2 배선층 중 적어도 어느 하나는 몰리브덴을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
8 7
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 배선층 또는 제 2 배선층 중 적어도 어느 하나는 몰리브덴을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.