맞춤기술찾기

이전대상기술

TFT액정패널의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015024283
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하나의 기판 위에 컬러필터층과 박막트랜지스터를 형성하는 구조에서 데이터 배선을 따로 형성하지 아니하고 블랙 매트릭스를 데이터 배선으로 활용하는 TFT 액정패널의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 제 1 기판을 제공하는 공정과, 상기 제 1 기판 상에 블랙 매트릭스를 일렬로 형성하는 공정과, 상기 블랙 매트릭스 사이에 컬러필터층을 형성하는 공정과, 상기 컬러필터층 상에 상기 블랙 매트릭스와 교차하도록 게이트 배선을 형성하는 공정과, 상기 게이트 배선 상에 절연막을 형성하는 공정과, 상기 블랙 매트릭스와 게이트 배선의 교차부위에 박막트랜지스터를 형성하는 공정과, 상기 절연막의 소정 부위를 선택적으로 제거하여 상기 블랙 매트릭스와 접촉하도록 상기 박막트랜지스터의 소스 전극을 형성하는 공정과, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 화소전극을 형성하는 공정을 포함하여 형성하는 것을 특징으로 한다. TOC, 기생용량, 고개구율
Int. CL G02F 1/136 (2000.01)
CPC G02F 1/133514(2013.01) G02F 1/133514(2013.01) G02F 1/133514(2013.01) G02F 1/133514(2013.01) G02F 1/133514(2013.01)
출원번호/일자 1020000086743 (2000.12.30)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0741895-0000 (2007.07.16)
공개번호/일자 10-2002-0058629 (2002.07.12) 문서열기
공고번호/일자 (20070723) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.10.31)
심사청구항수 13

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김정현 대한민국 경기도군포시
2 서현식 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 심창섭 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2000.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2000-0287809-19
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.05.17 수리 (Accepted) 4-1-2001-0059077-39
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.10.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2005-0623932-93
4 출원심사청구서
Request for Examination
2005.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2005-0623933-38
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0697569-60
6 의견서
Written Opinion
2007.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0067954-79
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.01.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2007-0067953-23
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2007.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0197477-19
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2007.05.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2007-0018760-76
10 등록결정서
Decision to grant
2007.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0331434-67
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 기판을 제공하는 공정;상기 제 1 기판 상에 블랙 매트릭스를 일렬로 형성하는 공정;상기 블랙 매트릭스 사이에 컬러필터층을 형성하는 공정;상기 컬러필터층 상에 게이트 전극과, 상기 블랙 매트릭스와 교차하여 화소영역을 정의하도록 게이트 배선을 형성하는 공정; 상기 게이트 전극과 상기 게이트 배선 상에 절연막을 형성하는 공정;상기 절연막을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성하는 공정;상기 게이트전극 상부에 반도체층 및 상기 콘택홀을 통해 상기 블랙 매트릭스와 콘택되는 소스 전극과, 상기 소스 전극과 이격된 드레인전극을 형성하는 공정;상기 드레인 전극과 연결되는 화소전극을 형성하는 공정을 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 TFT액정패널의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제 1 기판에 대향하도록 제 2 기판을 합착하는 공정;상기 제 1 ,제 2 기판 사이에 액정을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT액정패널의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 제 2 기판에 공통전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 TFT액정패널의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 상기 화소전극의 모서리와 오버랩(overlap)되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 TFT액정패널의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 금속으로 형성하는 것을 특징으로 하는 TFT액정패널의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 컬러필터층을 형성하는 공정 이후, 상기 컬러필터층을 포함한 전면에 절연막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 TFT액정패널의 제조방법
8 8
제 1 기판을 제공하는 공정;상기 제 1 기판 상에 게이트 배선 및 게이트 전극을 형성하는 공정;상기 게이트 배선 상에 절연막을 형성하는 공정;상기 게이트 전극 상에 반도체층 및 소스/드레인 전극을 적층하는 공정;상기 게이트 전극과 상기 소스/드레인 전극을 포함한 상부에 보호막을 형성하는 공정; 상기 소스 전극의 일부분이 드러나도록 상기 보호막에 콘택홀을 형성하는 공정; 상기 드레인 전극과 연결되도록 화소전극을 형성하는 공정; 상기 화소전극 상에 절연막을 형성하는 공정;상기 콘택홀을 통하여 상기 소스 전극과 접촉하도록 블랙 매트릭스를 형성하는 공정;상기 블랙 매트릭스 사이에 컬러필터층을 형성하는 공정을 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 TFT액정패널의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 상기 게이트 배선과 교차하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 TFT액정패널의 제조방법
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 제 1 기판에 대향하도록 제 2 기판을 합착하는 공정; 상기 제 1 ,제 2 기판 사이에 액정을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT액정패널의 제조방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 제 2 기판에 공통전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 TFT액정패널의 제조방법
12 12
제 8 항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 상기 화소전극의 모서리와 겹치도록 형성하는 것을 특징으로 하는 TFT액정패널의 제조방법
13 13
제 8 항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 금속으로 형성하는 것을 특징으로 하는 TFT액정패널의 제조방법
14 14
제 8 항에 있어서, 상기 컬러필터층 상에 절연막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 TFT액정패널의 제조방법
15 14
제 8 항에 있어서, 상기 컬러필터층 상에 절연막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 TFT액정패널의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.