맞춤기술찾기

이전대상기술

명암 제어장치

  • 기술번호 : KST2015039324
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 목적은 빛의 세기가 약한 부분에서는 빛의 세기에 따라서 직선적으로 비례하도록 하면서 빛의 세기가 큰 곳에서는 변화가 작게 이루어지도록 하는 명암 제어장치를 제공하기 위한 것이다.상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은 바이어스 전압이 콜렉터에 인가되며, 베이스에 제 1 저항이 연결되며, 에미터와 접지간에 제 2 저항이 연결되어 제 2 저항에 인가되는 전압이 출력전압인 증폭용 트랜지스터; 상기 바이어스 전압과 상기 제 1 저항 간에 연결되는 광-전 변환부; 상기 제 1 저항과 접지간에 연결되는 제 3 저항; 상기 제 3 저항에 병렬 연결되는 제너 다이오드를 포함하는 것이다. 명암조절, 광-전변환, 포토 다이오드
Int. CL H04N 5/58 (2006.01)
CPC H04N 5/58(2013.01) H04N 5/58(2013.01)
출원번호/일자 1020050082820 (2005.09.06)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1209661-0000 (2012.12.03)
공개번호/일자 10-2007-0027335 (2007.03.09) 문서열기
공고번호/일자 (20121207) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.06)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최진봉 대한민국 광주광역시 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)
2 홍승규 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2005-0498536-15
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
6 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2010.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0577766-58
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0578573-11
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0177104-09
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0420617-07
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.05.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0420618-42
11 등록결정서
Decision to grant
2012.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0649806-24
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
바이어스 전압이 콜렉터에 인가되고, 베이스에 제 1 저항이 연결되며, 에미터와 접지 간에 제 2 저항이 연결되며, 제 2 저항에 인가되는 전압이 출력되는 증폭용 트랜지스터; 상기 바이어스 전압과 상기 제 1 저항 간에 연결되는 광-전 변환부; 상기 제 1 저항과 접지간에 연결되는 제 3 저항; 상기 제 3 저항에 병렬 연결되는 제너 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 명암 제어장치
2 2
바이어스 전압이 콜렉터에 인가되고, 베이스에 제 1 저항이 연결되며, 에미터와 접지 간에 제 2 저항이 연결되며, 제 2 저항에 인가되는 전압이 출력되는 증폭용 트랜지스터; 상기 바이어스 전압과 상기 제 1 저항 간에 연결되는 광-전변환부; 상기 제 1 저항과 접지간에 연결되는 제 3 저항; 상기 제 2 저항과 병렬 연결되는 제너 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 명암 제어장치
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 광-전 변환부는 당해 광-전 변환부에 입사하는 빛의 세기가 커짐에 따라서 저항값이 감소하는 것을 특징으로 하는 명암 제어장치
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 광-전 변환부는 당해 광-전 변환부에 입사하는 빛의 세기가 커짐에 따라서 저항값이 증가하는 것을 특징으로 하는 명암 제어장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.