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유기 박막 트랜지스터 및 그 제조방법과 이를 이용한 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015042924
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조방법과 이를 이용한 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법에 관한 것으로, 그 유기 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 소스전극 및 드레인 전극과; 상기 소스전극 및 드레인 전극과 접촉되며 상기 소스전극과 드레인 전극 사이에 채널을 형성하는 유기 반도체 패턴과; 상기 유기 반도체 패턴 상에 형성된 더미패턴과; 상기 소스전극, 상기 드레인 전극, 상기 유기반도체 패턴 상에 형성된 상기 더미패턴을 덮는 유기 절연막과; 상기 유기 절연막 상에 형성되며 상기 유기 절연막을 사이에 두고 상기 유기 반도체 패턴과 중첩되는 게이트 전극을 구비한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 51/052(2013.01) H01L 51/052(2013.01) H01L 51/052(2013.01)
출원번호/일자 1020060034090 (2006.04.14)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1267067-0000 (2013.05.16)
공개번호/일자 10-2007-0102228 (2007.10.18) 문서열기
공고번호/일자 (20130523) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.07)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최낙봉 대한민국 경기도 의왕시 갈미*로 **,
2 김창연 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2006-0261021-68
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0657400-25
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0253060-68
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0253066-31
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.04.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.05.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0037972-69
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0510462-07
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0876736-48
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0876737-94
14 등록결정서
Decision to grant		 2013.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0216037-21
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 소스전극 및 드레인 전극과; 상기 소스전극 및 드레인 전극과 접촉되며 상기 소스전극과 드레인 전극 사이에 채널을 형성하는 유기 반도체 패턴과; 상기 유기 반도체 패턴 상에 형성된 더미패턴과;상기 소스전극, 상기 드레인 전극, 상기 유기반도체 패턴 상에 형성된 상기 더미패턴을 덮는 유기 절연막과; 상기 유기 절연막 상에 형성되며 상기 유기 절연막을 사이에 두고 상기 유기 반도체 패턴과 중첩되는 게이트 전극을 구비하고,상기 더미패턴은 상기 유기 반도체 패턴과 상기 유기 절연막 사이에 위치하여 상기 유기 반도체 패턴과 상기 유기 절연막 간의 접촉을 차단하고, 상기 유기 반도체 패턴은 펜타센(pentacene) 계열, 폴리티오핀(polythiophene) 계열, 폴리아릴아민(polyarylamine) 계열 물질 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 더미패턴은 폴리 비닐 알콜(Poly Vinyl Alcohol) 및 광개시제를 포함하며, 상기 광개시제는 암모늄 디크로메이트(ammonium dichromate)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 유기 반도체 패턴은 상기 소스 전극 및 드레인 전극 각각과 부분적으로 중첩되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
3 3
삭제
4 4
기판 상에 소스전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 소스전극과 상기 드레인 전극과 접촉되며 상기 소스전극과 드레인 전극 사이에 채널을 형성하는 유기 반도체 패턴을 형성함과 아울러 상기 유기 반도체 패턴 상에 더미패턴을 형성하는 단계와; 상기 소스전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유기 반도체 패턴 상에 형성된 상기 더미패턴을 덮도록 유기 절연막을 형성하는 단계와;상기 유기 절연막을 사이에 두고 상기 유기 반도체 패턴과 중첩되도록 상기 유기 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기 반도체물질은 펜타센(pentacene) 계열, 폴리티오핀(polythiophene) 계열, 폴리아릴아민(polyarylamine) 계열 물질 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 더미패턴 용액은 폴리 비닐 알콜(Poly Vinyl Alcohol) 및 광개시제가 초순수에 용해된 상태이며, 상기 광개시제는 암모늄 디크로메이트(ammonium dichromate)을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 유기 반도체 패턴 상에 상기 더미패턴을 형성하는 단계는상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 덮도록 상기 기판 상에 유기 반도체물질을 형성한 후에, 더미패턴 용액을 상기 유기 반도체물질 상에 형성하고 경화하고 마스크를 이용한 노광 공정 및 현상공정을 통해 상기 더미패턴을 형성하는 단계와; 건식 식각 공정을 이용하여 상기 더미패턴과 비중첩되는 상기 유기 반도체 물질의 일부를 제거하고 상기 더미패턴 아래의 상기 유기 반도체 패턴을 잔류시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
6 6
삭제
7 7
기판 상에 형성된 데이터 라인과;상기 데이터 라인을 덮도록 형성된 유기 절연막과; 상기 유기 절연막 상에 위치하며 상기 데이터 라인과 교차되는 게이트 라인과; 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인의 교차영역에 위치하며 유기 반도체 패턴을 포함하는 유기 박막 트랜지스터와; 상기 유기 박막 트랜지스터와 접속되는 화소전극을 구비하고, 상기 유기 박막 트랜지스터는,상기 데이터 라인과 접속되는 소스전극과; 상기 소스전극과 마주보며 상기 화소전극과 접속되는 드레인 전극과; 상기 유기 반도체 패턴 상에 형성된 더미패턴과;상기 유기 절연막과 상기 더미패턴을 사이에 두고 상기 유기 반도체 패턴과 중첩되며 상기 게이트 라인과 접속되는 게이트 전극을 구비하고, 상기 더미패턴은 상기 유기 반도체 패턴과 상기 유기 절연막 사이에 위치하여 상기 유기 반도체 패턴과 상기 유기 절연막과의 접촉을 차단하고, 상기 유기 반도체패턴은 펜타센(pentacene) 계열, 폴리티오핀(polythiophene) 계열, 폴리아릴아민(polyarylamine) 계열 물질 중 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 더미패턴은 폴리 비닐 알콜(Poly Vinyl Alcohol) 및 광개시제를 포함하며, 상기 광개시제는 암모늄 디크로메이트(ammonium dichromate)를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판
8 8
제 7 항에 있어서,상기 유기 반도체 패턴은,상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 각각과 부분적으로 중첩되며 상기 소스전극과 드레인 전극 사이에 채널을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판
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제 7 항에 있어서,상기 화소전극의 일부는 상기 드레인 전극에 중첩되어 상기 드레인전극에 직접 접촉되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판
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삭제
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기판 상에 데이터 라인, 상기 데이터 라인과 접속되는 소스전극, 및 상기 소스전극과 마주보는 드레인 전극을 포함하는 소스/드레인 패턴을 형성하는 단계와; 상기 드레인 전극과 접촉되는 화소전극을 포함하는 투명전극 패턴을 형성하는 단계와; 상기 소스전극과 상기 드레인 전극과 접촉되며 상기 소스전극과 상기 드레인 전극 사이에 채널을 형성하는 유기 반도체 패턴을 형성하는 단계; 상기 유기 반도체 패턴 상에 더미패턴을 형성하는 단계와; 상기 소스/드레인 패턴, 상기 투명전극 패턴, 및 상기 유기 반도체 패턴 상에 형성된 상기 더미패턴을 덮는 유기 절연막을 형성하는 단계와; 상기 유기 절연막과 상기 더미패턴을 사이에 두고 상기 유기 반도체 패턴과 중첩되는 게이트 전극, 및 상기 게이트 전극과 접속되며 상기 데이터 라인과 교차되는 게이트 라인을 포함하는 게이트 패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기 반도체 패턴을 형성하는 유기 반도체물질은 펜타센(pentacene) 계열, 폴리티오핀(polythiophene) 계열, 폴리아릴아민(polyarylamine) 계열 물질 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 더미패턴을 형성하는 더미패턴 용액은 폴리 비닐 알콜(Poly Vinyl Alcohol) 및 광개시제가 초순수에 용해된 상태이며, 상기 광개시제는 암모늄 디크로메이트(ammonium dichromate)를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 유기 반도체 패턴 상에 상기 더미패턴을 형성하는 단계는상기 소스/드레인 패턴을 덮도록 상기 기판 상에 유기 반도체물질을 형성한 후에, 더미패턴 용액을 상기 유기 반도체물질 상에 형성하고 경화하고 마스크를 이용한 노광 공정 및 현상공정을 통해 상기 더미패턴을 형성하는 단계와; 건식 식각 공정을 이용하여 상기 더미패턴과 비중첩되는 상기 유기 반도체 물질의 일부를 제거하고 상기 더미패턴 아래의 상기 유기 반도체 패턴을 잔류시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법
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28 28
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