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화소영역이 정의된 기판 상에 일방향으로 연장하는 데이터 배선과, 상기 데이터 배선과 연결된 소스 전극과, 상기 소스 전극과 이격하는 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 화소영역 내에 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극과 화소전극 위로 전면에 액상의 유기 반도체 물질을 코팅하여 유기 반도체 물질층을 형성하고 연속하여 그 상부로 게이트 절연물질층과 제 1 금속층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 금속층 위로 포티지브 타입의 포토아크릴 패턴을 형성하는 단계와; 에칭을 실시하여 상기 포토아크릴 패턴 외부로 노출된 제 1 금속층과 게이트 절연물질층과 유기 반도체 물질층을 제거함으로써 하부로부터 순차적으로 동일한 형태의 유기 반도체 패턴과 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극이 형성된 기판을 전면 노광하는 단계와; 상기 포토아크릴 패턴을 수산화칼륨 용액에 노출시켜 현상함으로써 상기 게이트 전극을 노출시키는 단계와; 상기 게이트 전극 위로 상기 게이트 전극 일부를 노출시키는 게이트 콘택홀을 갖는 보호층을 형성하는 단계와; 상기 보호층 위로 상기 데이터 배선과 교차하며 상기 게이트 콘택홀을 통해 상기 게이트 전극과 접촉하는 게이트 배선을 형성하는 단계 를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
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화소영역이 정의된 기판 상에 일방향으로 연장하는 데이터 배선과, 상기 데이터 배선과 연결된 소스 전극과, 상기 소스 전극과 이격하는 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 화소영역 내에 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극과 화소전극 위로 전면에 액상의 유기 반도체 물질을 코팅하여 유기 반도체 물질층을 형성하고 연속하여 그 상부로 게이트 절연물질층과 제 1 금속층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 금속층 위로 포티지브 타입의 포토아크릴 패턴을 형성하는 단계와; 에칭을 실시하여 상기 포토아크릴 패턴 외부로 노출된 제 1 금속층과 게이트 절연물질층과 유기 반도체 물질층을 제거함으로써 하부로부터 순차적으로 동일한 형태의 유기 반도체 패턴과 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 포토아크릴 패턴 위로 전면에 상기 포토아크릴 패턴과 동일한 물질을 도포하여 보호층을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극 일부에 대응하는 보호층과 그 하부의 포토아크릴 패턴에 대해 투과영역이 대응되도록 하여 노광을 실시하는 단계와; 상기 노광된 보호층 및 그 하부의 포토아크릴 패턴을 수산화칼륨 용액에 노출시켜 현상함으로써 상기 게이트 전극 일부를 노출시키는 게이트 콘택홀을 형성하는 단계와; 상기 보호층 위로 상기 데이터 배선과 교차하며 상기 게이트 콘택홀을 통해 상기 게이트 전극과 접촉하는 게이트 배선을 형성하는 단계 를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 게이트 전극을 형성한 후, 노광 마스크 없이 진행하는 전면 노광을 실시하는 단계를 더욱 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 포토아크릴 패턴을 형성하는 단계는, 상기 제 1 금속층 위로 포지티브 타입의 포토아크릴을 도포하여 포토아크릴층을 형성하는 단계와; 상기 포토아크릴층 위로 상기 소스 및 드레인 전극에 대응하여 차단영역이 대응되도록 노광 마스크를 위치시키고 선택 노광을 실시하는 단계와; 상기 노광된 포토아크릴층을 상기 유기 반도체 물질과 반응하지 않는 것을 특징으로 수산화칼륨 용액에 노출시켜 현상하는 단계 를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 보호층은 상기 게이트 콘택홀 이외에 상기 화소전극을 노출시키는 오픈부를 더욱 포함하도록 형성하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 에칭은 드라이 에칭인 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 액상의 유기 반도체 물질은 펜타신(pentacene) 또는 폴리사이오펜(polythiophene)인 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 액상의 유기 반도체 물질의 코팅은 잉크젯(ink jet) 장치, 노즐(nozzle) 코팅장치, 바(bar) 코팅장치, 슬릿(slit) 코팅장치, 스핀(spin) 코팅장치 중 하나의 장치로써 이루어지는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 데이터 배선과 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계 이전에는 상기 기판상에 친수성 특성을 갖는 버퍼층을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
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기판 상에 소스 전극과, 상기 소스 전극과 이격하는 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극 위로 전면에 액상의 유기 반도체 물질을 코팅하여 유기 반도체 물질층을 형성하고 연속하여 그 상부로 게이트 절연물질층과 제 1 금속층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 금속층 위로 포티지브 타입의 포토아크릴 패턴을 형성하는 단계와; 에칭을 실시하여 상기 포토아크릴 패턴 외부로 노출된 제 1 금속층과 게이트 절연물질층과 유기 반도체 물질층을 제거함으로써 하부로부터 순차적으로 동일한 형태의 유기 반도체 패턴과 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성하는 단계 를 포함하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 포토아크릴 패턴을 형성하는 단계는, 상기 제 1 금속층 위로 포지티브 타입의 포토아크릴을 도포하여 포토아크릴층을 형성하는 단계와; 상기 포토아크릴층 위로 상기 소스 및 드레인 전극에 대응하여 차단영역이 대응되도록 노광 마스크를 위치시키고 선택 노광을 실시하는 단계와; 상기 노광된 포토아크릴층을 상기 유기 반도체 물질과 반응하지 않는 것을 특징으로 수산화칼륨 용액에 노출시켜 현상하는 단계 를 포함하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 에칭은 드라이 에칭인 유기 박막트랜지스터의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 액상의 유기 반도체 물질은 펜타신(pentacene) 또는 폴리사이오펜(polythiophene)인 유기 박막트랜지스터의 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 액상의 유기 반도체 물질의 코팅은 잉크젯(ink jet) 장치, 노즐(nozzle) 코팅장치, 바(bar) 코팅장치, 슬릿(slit) 코팅장치, 스핀(spin) 코팅장치 중 하나의 장치로써 이루어지는 유기 박막트랜지스터의 제조방법
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