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액정표시소자용 감광성 수지 조성물

  • 기술번호 : KST2015044869
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 액정표시소자의 패턴 형성용 감광성 수지 조성물 및 이를 사용하여 패턴을 형성하는 방법 및 이 방법에 의해 제조되는 액정표시소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 상기 감광성 수지 조성물은 a) 알칼리 가용성 수지; b) 감광제; c) 화학식 1로 표시되는 화합물; 및 d) 유기 용매를 포함한다.감광성 수지 조성물, 알칼리 가용성 수지, 감광제, 밀착성 개선제, 유기 용매
Int. CL G03F 7/004 (2006.01)
CPC G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01)
출원번호/일자 1020060083033 (2006.08.30)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1205471-0000 (2012.11.21)
공개번호/일자 10-2008-0020104 (2008.03.05) 문서열기
공고번호/일자 (20121127) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.18)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경준 대한민국 대전광역시 유성구
2 서성우 대한민국 대전광역시 유성구
3 박찬효 대한민국 대전광역시 유성구
4 최보윤 대한민국 대전광역시 유성구
5 신혜인 대한민국 서울특별시 송파구
6 손용구 대한민국 경기 수원시 권선구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0627948-40
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2009.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0575577-65
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.07.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.08.13 수리 (Accepted) 9-1-2010-0048599-19
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0549926-66
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0212517-73
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0460716-11
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0560849-97
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0644188-63
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0732227-43
11 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2011.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0086574-33
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0823038-22
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0823037-87
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0186950-19
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0429090-90
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0429089-43
17 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0655392-10
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 알칼리 가용성 수지 3 내지 30 중량부; b) 감광제 1 내지 10 중량부; c) 5-카르복시벤조트리아졸 부틸 에스테르, 5-카르복시벤조트리아졸 옥틸 에스테르 및 5-카르복시벤조트리아졸 도데실 에스테르로 이루어지는 군에서 선택된 하나 또는 그 이상의 화합물 0
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 a)의 알칼리 가용성 수지 화합물이 중량 평균 분자량 2,500 내지 15,000 범위의 노볼락 수지인 것인 감광성 수지 조성물
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 b)의 감광제는 퀴논디아지드류 및 폴리페놀류의 에스테르화 반응 화합물로 이루어지는 군에서 선택된 하나 또는 그 이상의 화합물인 것인 감광성 수지 조성물
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 퀴논디아지드류는 1,2-디아지도나프토퀴논-4-술포닐클로라이드, 1,2-디아지도나프토퀴논-5-술포닐클로라이드 또는 1,2-디아지도나프토퀴논-6-술포닐클로라이드이고 상기 폴리페놀류는 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,3,4,4''-테트라하이드록시벤조페논, 2,4-디하이드록시벤조페논, 2,3,4,3'',4'',5''-헥사하이드록시벤조페논, 4,4''-(1-(4-(1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸)페닐)에틸리덴)비스페놀, 비스페놀-A, 메틸갈레이트, 프로필갈레이트, 피로갈롤-아세톤 반응축합물, 페놀노볼락수지, m-크레졸노볼락수지, p-크레졸노볼락수지 또는 폴리비닐페놀수지인 것인 감광성 수지 조성물
5 5
삭제
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 d)의 유기 용매는 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 사이클로펜타논, 사이클로헥사논, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 메틸아세테이트, 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 메틸프로피오네이트, 에틸프로피오네이트, 3-메톡시메틸프로피오네이트, 에틸락테이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 및 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 로 이루어지는 군에서 선택된 하나 또는 그 이상의 화합물인 것인 감광성 수지 조성물
7 7
a) 기판상에 알칼리 가용성 수지, 감광제, 5-카르복시벤조트리아졸 부틸 에스테르, 5-카르복시벤조트리아졸 옥틸 에스테르 및 5-카르복시벤조트리아졸 도데실 에스테르로 이루어지는 군에서 선택된 하나 또는 그 이상의 화합물, 및 유기용매를 포함하는 감광성 수지 조성물을 코팅 및 프리베이크 하는 단계; 및 b) 상기 형성된 포토레지스트 막을 선택적 노광 및 현상을 통하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 포토레지스트의 패터닝 방법
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 기판은 금속 기판, 반도체막 또는 절연막인 것인 포토레지스트의 패터닝 방법
9 9
청구항 7에 있어서, 상기 코팅된 막의 두께는 1 내지 3㎛인 것인 포토레지스트의 패터닝 방법
10 10
청구항 7에 있어서, 상기 프리베이크는 80 내지 115℃에서 1 내지 5분간 실시하는 것인 포토레지스트의 패터닝 방법
11 11
청구항 7에 있어서, 상기 노광 조건은 20 내지 200mJ/cm2인 것인 포토레지스트의 패터닝 방법
12 12
청구항 7의 방법에 의하여 제조된 포토레지스트 패턴을 포함하는 액정표시소자
13 13
a) 기판상에 알칼리 가용성 수지, 감광제, 5-카르복시벤조트리아졸 부틸 에스테르, 5-카르복시벤조트리아졸 옥틸 에스테르 및 5-카르복시벤조트리아졸 도데실 에스테르로 이루어지는 군에서 선택된 하나 또는 그 이상의 화합물, 및 유기용매를 포함하는 감광성 수지 조성물을 코팅 및 프리베이크 하는 단계; b) 상기 형성된 포토레지스트 막을 선택적 노광 및 현상을 통하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;c) 상기 포토레지스트 패턴을 포스트베이트 하는 단계: 및 d) 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하고 에칭 및 스트립하여 기판을 패터닝하는 단계;를 포함하는 기판의 패터닝 방법
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 기판은 금속 기판 반도체막 또는 절연막인 것인 기판의 패터닝 방법
15 15
청구항 13에 있어서, 상기 코팅된 막의 두께는 1 내지 3㎛인 것인 기판의 패터닝 방법
16 16
청구항 13에 있어서, 상기 프리베이크는 80 내지 115℃에서 1 내지 5분간 실시하는 것인 기판의 패터닝 방법
17 17
청구항 13에 있어서, 상기 노광 조건은 20 내지 200mJ/cm2인 것인 기판의 패터닝 방법
18 18
청구항 13에 있어서, 상기 포스트 베이크는 120 내지 150℃에서 2 내지 5분간 실시하는 것인 기판의 패터닝 방법
19 19
청구항 13의 방법에 의하여 제조된 패턴화된 기판을 포함하는 액정표시소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.