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광수신기 광전집적회로

  • 기술번호 : KST2015047487
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요약 본 발명의 실시예에 의한 광수신기 광전집적회로는 광전송선로로부터 입사되는 광신호를 검출하고, 검출된 광신호를 전류 신호로 광전증폭시키는 이종접합 광트랜지스터(HPT; Heterojunction Photo-Transistor); 상기 광전증폭된 전류 신호의 전압 레벨을 조정하는 출력 버퍼부; 상기 광트랜지스터와 연결되어 부성 궤환 루프를 형성하는 궤환 저항; 및 상기 광트랜지스터 및 상기 궤환 저항과 연결되어 상기 광트랜지스터의 입력신호의 전력 레벨을 조정하는 능동소자부를 포함한다. 본 발명의 실시예에 의하면, 광전변환효율 및 수신감도의 특성이 향상되고, 입력되는 신호의 전력 레벨에 변화가 생기더라도 왜곡없이 증폭시킬 수 있으므로 신호를 안정적으로 복원할 수 있는 효과가 있다. 또한, 광다이오드 대신에 HPT를 사용하여 HBT와 동일한 기판상에 집적화한 광수신기 광전집적회로를 구현함으로써, 공정을 단순화하고 제조 원가를 절감할 수 있게 된다.
Int. CL H04B 10/60 (2013.01) H04B 10/69 (2013.01) H04B 10/00 (2013.01)
CPC H04B 10/691(2013.01)H04B 10/691(2013.01)
출원번호/일자 1020070018714 (2007.02.23)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1028246-0000 (2011.04.01)
공개번호/일자 10-2008-0078485 (2008.08.27) 문서열기
공고번호/일자 (20110411) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.05)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상훈 대한민국 경기 안산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0162253-33
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2007.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0196222-69
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2007.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0196645-68
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2009-0135823-05
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.04.06 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2009-0207172-02
6 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2009.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0024150-09
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0260791-20
8 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2009.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0031727-07
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.12.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.01.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0003093-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0372612-86
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0676384-65
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0759067-76
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.11.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0759068-11
17 등록결정서
Decision to grant
2011.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0111958-03
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광전송선로로부터 입사되는 광신호를 검출하고, 검출된 광신호를 전류 신호로 광전증폭시키는 이종접합 광트랜지스터(HPT; Heterojunction Photo-Transistor); 상기 광전증폭된 전류 신호의 전압 레벨을 조정하는 출력 버퍼부; 상기 광트랜지스터와 연결되어 부성 궤환 루프를 형성하는 궤환 저항; 및 상기 광트랜지스터 및 상기 궤환 저항과 연결되어 상기 광트랜지스터의 입력신호의 전력 레벨을 조정하고, 상기 광트랜지스터의 동적 범위(dynamic range)를 확장하는 다이오드를 포함하는 광수신기 광전집적회로
2 2
제1항에 있어서, 상기 광전증폭된 전류 신호를 위상 반전된 전압 신호로 출력하는 부하 저항을 포함하는 광수신기 광전집적회로
3 3
제1항에 있어서, 상기 다이오드는 상기 광트랜지스터의 베이스와 연결되는 광수신기 광전집적회로
4 4
제1항에 있어서, 상기 다이오드는 상기 궤환 저항과 병렬로 연결되는 광수신기 광전집적회로
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 출력 버퍼부는 적어도 하나 이상의 이종접합 쌍극자 트랜지스터(HBT; Heterojunction Bipolar Transistor)를 포함하여 이루어지는 광수신기 광전집적회로
7 7
제1항에 있어서, 상기 출력 버퍼부는 에미터 팔로워 쌍의 회로 구조를 형성하는 두 개 이상의 트랜지스터를 포함하여 이루어지는 광수신기 광전집적회로
8 8
제1항에 있어서, 상기 광트랜지스터 및 상기 출력 버퍼부는 단일 반도체 공정을 통하여 기판상에 집적 회로로 구성되는 광수신기 광전집적회로
9 9
제1항에 있어서, 쌍을 이루는 적어도 둘 이상의 증폭부를 구비하여 회로 전체의 이득을 조정하고, 차동 출력 전압 신호를 생성하는 위상 반전 차동 증폭부를 포함하는 광수신기 광전집적회로
10 10
제9항에 있어서, 상기 위상 반전 차동 증폭부의 단일 입력 대 차동 출력 사이의 인터페이스를 제공하고, 상기 위상 반전 차동 증폭부의 첫째 증폭부의 옵셋 전압을 형성시키는 궤환루프회로를 포함하고, 상기 궤환 저항 및 상기 다이오드는 적어도 하나 이상으로서, 상기 궤환루프회로와 연결되는 광수신기 광전집적회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.