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1종 이상의 이온성 고분자 및 용매를 함유하는 고분자 용액을 전기 전도성 기판 상에 적용(application)하는 제1단계; 및 기판의 두께 방향으로 전기장을 인가하여 용매를 증발하면서 상기 이온성 고분자를 고화시키는 제2단계를 포함하는, 고분자 필름 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 이온성 고분자는 술폰산기(-SO3H)를 함유하는 것이 특징인 고분자 필름 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 이격 배치된 제1전극과 제2전극 중 어느 한 전극 상에 배치되거나, 제1전극 또는 제2전극인 것이 특징인 고분자 필름 제조 방법
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제1항에 있어서, 제1단계에서 고분자 용액을 기판상에 적용 시 상기 고분자 용액만을 기판 상에 도포하거나, 또는 상기 고분자 용액과 함께 다공성 고분자 기재를 사용하되, a) 상기 기판 상에 다공성 고분자 기재를 놓은 후 상기 다공성 고분자 기재 위에 고분자 용액을 도포하거나, 혹은 b) 상기 다공성 고분자 기재를 고분자 용액에 담궈 코팅한 후 상기 기판 위에 적용하는 것이 특징인 고분자 필름 제조 방법
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제1항에 있어서, 제2단계에서 인가 전압의 범위는 1 내지 200,000V인 것이 특징인 고분자 필름 제조 방법
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제4항에 있어서, 제1전극과 제2전극 사이의 간격은 1 내지 1000mm 인 것이 특징인 고분자 필름 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 이온성 고분자는 이온 전도성 고분자, 전기 전도성 고분자, 또는 양극성 고분자인 것이 특징인 고분자 필름 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 이온성 고분자는 퍼플루오르술폰산(PFSA) 고분자 또는 술폰화 탄화수소계 고분자인 것이 특징인 고분자 필름 제조 방법
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제9항에 있어서, 술폰화 탄화수소계 고분자는 술폰화 폴리아릴렌에테르(polyaryleneether, PAE), 술폰화 폴리아릴렌에테르에테르케톤 (polyaryleneetheretherketone, PAEEK), 술폰화 폴리아릴렌에테르에테르설폰 (polyaryleneetherethersulfone, PAEES), 술폰화 폴리아졸(polyazole), 술폰화 폴리비닐알콜(polyvinylalcohol, PVA), 술폰화 폴리(페닐렌 옥사이드)(polyphenylene oxide), 술폰화 폴리(페닐렌 설파이드)(polyphenylene sulfide), 술폰화 폴리설폰, 술폰화 폴리카보네이트, 술폰화 폴리스티렌, 설폰화 폴리이미드, 술폰화 폴리아미드, 술폰화 폴리퀴녹살린, 술폰화 (포스페이티드) 폴리포스파젠 및 술폰화 폴리벤즈이미다졸로 구성된 군에서 선택된 것이 특징인 고분자 필름 제조 방법
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제1항, 제2항 및 제4항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 고분자 필름으로서, 상기 고분자 필름은 두께 방향으로 이온 채널이 형성된 것이 특징인 고분자 필름
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제11항에 있어서, 전해질막으로 사용되는 것이 특징인 고분자 필름
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제11항에 있어서, 연료전지의 전해질막으로 사용되는 것이 특징인 고분자 필름
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제1항에 있어서, 상기 제2단계 후,
상기 제2 단계에서 얻은 고분자 필름 상에 다공성 고분자 기재를 적층시키는 단계;
상기 다공성 고분자 기재 상에 상기 고분자 용액을 도포하는 단계; 및
상기 고분자 용액에 기판의 두께 방향으로 전기장을 인가하여 용매를 증발하면서 상기 이온성 고분자를 고화시키는 단계
를 더 포함하는 것이 특징인 고분자 필름 제조 방법
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