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태양전지의 LBSF 후면 전극 형성방법

  • 기술번호 : KST2015050277
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요약 본 발명은 태양전지의 LBSF 후면 전극 형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지의 LBSF 후면 전극 형성방법은, (a) 불순물이 도핑된 태양전지 기판의 후면에 상기 불순물과 동일한 도전형의 불순물이 포함된 후면 전극 패턴을 스크린 인쇄하는 단계; (b) 열처리에 의해 상기 후면 전극 패턴이 접하는 태양전지 기판의 후면 부분에 LBSF(local back surface field)를 형성하는 단계; (c) 상기 후면 전극 패턴이 형성되지 않은 태양전지 기판의 후면에 패시베이션층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 태양전지 기판의 후면 전체에 후면 전극층을 스크린 인쇄하여 상기 후면 전극 패턴과 후면 전극층을 전기적으로 연결하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따르면, 태양전지의 LBSF 후면 전극 형성 시 스크린 인쇄를 이용한 간단한 공정으로 종래의 복잡한 패시베이션층의 패터닝 공정을 생략함으로써, LBSF의 형성 과정을 단순화시킬 수 있고, 이를 통해 태양전지의 제조 비용을 절감할 수 있다.태양전지, LBSF, 패시베이션층, 후면 전극
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2006.01)
CPC H01L 31/022441(2013.01) H01L 31/022441(2013.01) H01L 31/022441(2013.01)
출원번호/일자 1020070116715 (2007.11.15)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1407165-0000 (2014.06.05)
공개번호/일자 10-2009-0050334 (2009.05.20) 문서열기
공고번호/일자 (20140616) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.05)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이대용 대한민국 대전광역시 유성구
2 정지원 대한민국 충청남도 천안시 동남구
3 김진호 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2007-0820441-77
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0203225-06
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0496734-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0905633-14
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.10.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0095786-56
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0033771-68
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0249133-67
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.03.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0249134-13
13 등록결정서
Decision to grant
2014.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0359665-83
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
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(a) 불순물이 도핑된 태양전지 기판의 후면에 상기 불순물과 동일한 도전형의 불순물이 포함된 후면 전극 패턴을 스크린 인쇄하는 단계;(b) 상기 후면 전극 패턴이 형성되지 않은 태양전지 기판의 후면에 열산화법에 의해 패시베이션층을 형성함과 동시에, 상기 후면 전극 패턴이 접하는 태양전지 기판의 후면 부분에 LBSF를 형성하는 단계; 및(c) 상기 태양전지 기판의 후면 전체에 후면 전극층을 스크린 인쇄하여 상기 후면 전극 패턴과 후면 전극층을 전기적으로 연결하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 LBSF 후면 전극 형성방법
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제7항에 있어서,상기 패시베이션층은 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 태양전지의 LBSF 후면 전극 형성방법
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제7항에 있어서,상기 후면 전극 패턴 및 후면 전극층은 알루미늄을 포함하는 전극 페이스트를 스크린 인쇄하여 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 LBSF 후면 전극 형성방법
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제7항에 있어서, 상기 (b) 단계에서,상기 패시베이션층은 후면 전극 패턴의 높이보다 낮은 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 LBSF 후면 전극 형성방법
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제7항에 있어서, 상기 (b) 단계에서,상기 패시베이션층의 형성이 완료된 후, 상기 후면 전극 패턴 상에 형성된 절연 물질을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 LBSF 후면 전극 형성방법
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패밀리정보가 없습니다
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