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태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015050402
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요약 본 발명은 태양 전지의 제조방법에 관한 것으로서, 제1 도전형을 갖는 기판에 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형을 갖는 에미터층을 형성하는 단계, 상기 에미터층이 형성된 기판의 전면과 후면을 프라즈마 처리하는 단계, 상기 에미터층과 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계, 그리고 상기 제1 전극과 분리되어 있고, 상기 기판과 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 이로 인해, 태양광의 반사도가 줄어들고, 단락 전류 및 개방 전압의 상승을 통해 고효율 태양 전지의 제조가 가능해진다. 태양전지, 플라즈마, 에미터층, BSF, 에지 아이솔레이션
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/186(2013.01) H01L 31/186(2013.01)
출원번호/일자 1020070121566 (2007.11.27)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1453086-0000 (2014.10.14)
공개번호/일자 10-2009-0054733 (2009.06.01) 문서열기
공고번호/일자 (20141027) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.05)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정주화 대한민국 대전광역시 서구
2 이성은 대한민국 대전광역시 유성구
3 안준용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0853553-44
2 청구범위 제출유예 안내서
Notification for Deferment of Submission of Claims
2007.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0167870-48
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0203225-06
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0496734-16
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.05.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0277776-32
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
9 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0905616-48
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.04.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2014-0037110-10
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0329024-90
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.06.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0603086-13
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0603085-78
15 등록결정서
Decision to grant
2014.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0666788-13
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전형을 갖는 기판에 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형을 갖는 에미터층을 형성하는 단계,상기 에미터층 형성 단계에 의해 상기 에미터층 내의 최상부에 데드 레이어(dead layer)를 형성하는 단계,상기 에미터층 형성 단계에 의해 상기 기판의 후면에 상기 제2 도전형의 불순물 주입층이 형성되는 단계,상기 에미터층이 형성된 상기 기판의 전면을 플라즈마처리하여 상기 데드 레이어를 제거하는 단계,상기 기판의 후면을 플라즈마 처리하여 상기 제2 도전형의 불순물 주입층을 제거함과 동시에 상기 기판의 후면을 평탄화하는 단계,상기 에미터층과 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계, 그리고상기 제1 전극과 분리되어 있고, 상기 기판과 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 에미터층 형성 단계 전에, 상기 기판의 전면을 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
2 2
제1항에서,상기 플라즈마 처리 단계는,상기 에미터층이 형성된 상기 기판을 챔버 내에 위치시키는 단계,상기 챔버 내에 플라즈마 소스 가스를 주입하는 단계, 그리고상기 플라즈마 소스 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
3 3
제2항에서,상기 플라즈마 소스 가스는 CF4, SF6, Cl 및 O2 중 선택된 하나 또는 이들의 혼합 가스인 태양 전지의 제조 방법
4 4
제2항에서,상기 챔버는 진공 또는 대기압 분위기를 가지는 태양 전지의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제1항에서,상기 에미터층 형성 단계 후, 상기 에미터층 위에 반사 방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
8 8
제7항에서,상기 제1 전극 형성 단계는 상기 반사 방지막 위에 제1 전극 형성용 페이스트를 도포하는 단계 그리고 상기 제1 전극 형성용 페이스트가 도포된 상기 기판을 열처리하여, 상기 제1 전극 형성용 페이스트가 상기 반사 방지막을 관통하여 상기 에미터층과 연결되는 상기 제1 전극으로 형성되는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
9 9
제1항에서,상기 제2 전극 형성 단계는 상기 기판과 상기 제2 전극 사이에 BSF를 형성하는 단계를 포함하고,상기 제2 전극은 상기 BSF를 통해 상기 기판과 연결되는 태양 전지의 제조 방법
10 10
제1항에서,상기 기판은 실리콘 기판인 태양 전지의 제조 방법
11 11
제10항에서,상기 기판은 단결정 실리콘 기판, 다결정 실리콘 기판 및 비정질 실리콘 기판 중 하나인 태양 전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.