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제1 도전형을 갖는 기판에 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형을 갖는 에미터층을 형성하는 단계,상기 에미터층 형성 단계에 의해 상기 에미터층의 표면에 형성된 산화막을 제거하는 단계;상기 산화막 제거 단계 이후, 상기 에미터층이 형성된 기판의 한 면을 플라즈마 처리하는 단계,상기 에미터층과 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계, 그리고상기 제1 전극과 분리되어 있고, 상기 기판과 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 플라즈마 처리 단계는 상기 에미터층 형성 단계에 의해 상기 에미터층 내의 최상부에 형성되는 데드 레이어를 식각하여 제거하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에서,상기 플라즈마 처리된 기판의 한 면은 빛이 입사되는 입사면인 태양 전지의 제조 방법
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제1항에서,상기 플라즈마 처리 단계는,상기 에미터층이 형성된 상기 기판을 챔버 내에 위치시키는 단계,상기 챔버 내에 플라즈마 소스 가스를 주입하는 단계, 그리고상기 플라즈마 소스 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제3항에서,상기 플라즈마 소스 가스는 CF4, SF6, Cl 및 O2 중 선택된 하나 또는 이들의 혼합 가스인 태양 전지의 제조 방법
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제3항에서,상기 챔버는 진공 또는 대기압 분위기를 갖는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에서,상기 플라즈마 처리 단계 후, 상기 플라즈마 처리되지 않은 기판 면에 형성된 에미터층을 제거하는 단계를 더 포함하고,상기 제2 전극은 상기 에미터층이 제거된 기판 면에 형성되는태양 전지의 제조 방법
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제1항에서,상기 제2 전극 형성 단계는 상기 기판과 상기 제2 전극 사이에 BSF를 형성하는 단계를 포함하고,상기 제2 전극은 상기 BSF를 통해 상기 기판과 연결되는 태양 전지의 제조 방법
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8
제1항에서,상기 에미터층 형성 단계 후, 상기 에미터층 위에 반사 방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제8항에서,상기 제1 전극 형성 단계는 상기 반사 방지막 위에 제1 전극 형성용 페이스트를 도포하는 단계 그리고 상기 제1 전극 형성용 페이스트가 도포된 상기 기판을 열처리하여, 상기 제1 전극 형성용 페이스트가 상기 반사 방지막을 관통하여 상기 에미터층과 연결되는 상기 제1 전극으로 형성되는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에서,상기 기판은 실리콘 기판인 태양 전지의 제조 방법
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제10항에서,상기 기판은 단결정 실리콘 기판, 다결정 실리콘 기판 및 비정질 실리콘 기판 중 하나인 태양 전지의 제조 방법
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