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플라즈마 표면 처리를 이용한 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015050707
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 표면 처리를 이용한 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, (a) 제1도전형의 불순물이 도핑된 태양전지 기판을 준비하는 단계; (b) 상기 태양전지 기판의 전면을 플라즈마 처리하여 태양광의 반사도를 저감시키는 단계; (c) 상기 제1도전형과 반대 도전형인 제2도전형의 불순물을 상기 태양전지 기판 전면에 주입하여 에미터층을 형성하는 단계; (d) 상기 태양전지 기판의 후면을 플라즈마 처리하여 기판 후면에 에미터층 형성 시 형성된 제2도전형의 불순물 주입층을 제거함과 동시에 기판 후면을 평탄화하는 단계; (e) 상기 태양전지 기판 전면에 반사방지막을 형성하는 단계; (f) 상기 반사방지막을 관통하여 전면 전극을 상기 에미터층에 콘택시키는 단계; 및 (g) 상기 태양전지 기판 후면에 후면 전극을 콘택시키고, 후면 전극과 접하는 기판 후면에 BSF(back surface field)를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.태양전지, 플라즈마, 에미터층, 텍스처링, BSF
Int. CL H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 21/3065 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020070129264 (2007.12.12)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1437162-0000 (2014.08.27)
공개번호/일자 10-2009-0062153 (2009.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (20140903) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.07)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정주화 대한민국 대전광역시 서구
2 안준용 대한민국 대전광역시 유성구
3 이성은 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0894462-93
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0203225-06
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0496734-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-1016298-37
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0124367-37
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2014-0309921-14
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.03.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0309922-60
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0412928-74
12 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.07.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2014-0026394-32
13 등록결정서
Decision to grant
2014.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0568295-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 제1도전형의 불순물이 도핑된 태양전지 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 태양전지 기판의 전면을 플라즈마 처리하여 태양광의 반사도를 저감시키는 단계;(c) 상기 제1도전형과 반대 도전형인 제2도전형의 불순물을 상기 태양전지 기판 전면에 주입하여 에미터층을 형성하는 단계;(c-1) 상기 에미터층 형성시 상기 기판의 후면에 제2 도전형의 불순물 주입층이 형성되는 단계;(d) 상기 태양전지 기판의 후면을 플라즈마 처리하여 기판 후면에 에미터층 형성 시 형성된 상기 제2도전형의 불순물 주입층을 제거함과 동시에 기판 후면을 평탄화하는 단계;(e) 상기 태양전지 기판 전면에 반사방지막을 형성하는 단계;(f) 상기 반사방지막을 관통하여 전면 전극을 상기 에미터층에 콘택시키는 단계; 및(g) 상기 태양전지 기판 후면에 후면 전극을 콘택시키고, 후면 전극과 접하는 기판 후면에 BSF(back surface field)를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 태양전지 기판의 후면의 플라즈마 식각율은 상기 태양전지 기판의 전면의 플라즈마 식각율보다 빠른 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면 처리를 이용한 태양전지의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계는,대기압 플라즈마 또는 진공 플라즈마를 이용하여 태양전지 기판의 전면을 플라즈마 처리하는 단계임을 특징으로 하는 플라즈마 표면 처리를 이용한 태양전지의 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 (b) 단계에서,플라즈마 소스 가스로는, CF4, SF6, Cl 및 O2 중 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합가스가 사용되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면 처리를 이용한 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (d) 단계는,대기압 플라즈마 또는 진공 플라즈마를 이용하여 태양전기 기판의 후면을 플라즈마 처리하는 단계임을 특징으로 하는 플라즈마 표면 처리를 이용한 태양전지의 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 (d) 단계에서,플라즈마 소스 가스로는, CF4, SF6 및 Cl 중 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합가스와 O2를 혼합한 가스가 사용되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면 처리를 이용한 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.