맞춤기술찾기

이전대상기술

태양전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015051990
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지에 관한 것으로서, 제1 도전형을 갖는 기판, 상기 기판에 위치하고, 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형을 갖는 에미터층, 상기 에미터층과 연결되는 제1 전극, 상기 제1 전극의 일부를 덮고 있는 반사 방지막, 그리고 상기 제2 전극과 분리되어 있고, 상기 기판과 연결되는 제2 전극을 포함한다. 이로 인해, 전면 전극의 전도성 증가와 탈수소화가 방지되므로 FF(fill factor)와 개방전압이 증가하여 그 만큼 태양전지 효율이 향상된다.태양전지, FF, 개방전압, 글라스 프릿
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020080035596 (2008.04.17)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1474015-0000 (2014.12.11)
공개번호/일자 10-2009-0110024 (2009.10.21) 문서열기
공고번호/일자 (20141217) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.16)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최민호 대한민국 대전광역시 유성구
2 김민서 대한민국 대전광역시 서구
3 박종욱 대한민국 경기도 성남시 수정구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0273677-93
2 청구범위 제출유예 안내서
Notification for Deferment of Submission of Claims
2008.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0054691-90
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0496734-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.05.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0277739-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0329145-24
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0017741-30
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0518689-19
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.09.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0914729-89
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0914722-60
14 등록결정서
Decision to grant
2014.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0835064-96
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전형을 갖는 기판,상기 기판에 위치하고, 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형을 갖는 에미터층,상기 에미터층과 연결되는 핑거 전극 및 상기 핑거 전극과 연결되는 버스 전극을 포함하는 제1 전극,상기 제1 전극의 일부를 덮고 있는 반사 방지막, 그리고상기 제2 전극과 분리되어 있고, 상기 기판과 연결되는 제2 전극을 포함하며,상기 핑거 전극은 상기 반사방지막에 의해 덮여 있으며, 상기 버스 전극은 상기 반사 방지막에 의해 덮여 있지 않고 노출되어 있는 태양 전지
2 2
삭제
3 3
제1항에서,상기 반사 방지막은 상기 핑거 전극 사이에 노출된 에미터층을 덮고 있는 태양 전지
4 4
삭제
5 5
제1 도전형을 갖는 기판에 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형의 에미터층을 형성하는 단계,핑거 전극과 버스 전극을 구비하고 상기 에미터층과 연결되는 제1 전극과 상기 제1 전극과 분리되어 있고 상기 기판과 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계, 그리고상기 핑거 전극 위에 반사 방지막을 형성하는 단계를 포함하며,상기 반사 방지막 형성 단계는,상기 버스 전극 위에 마스킹 패턴을 형성하는 단계,상기 기판 전면에 절연막을 형성하여 상기 핑거 전극을 덮는 반사 방지막을 형성하는 단계, 그리고상기 마스킹 패턴 및 이 패턴 위에 형성된 절연막을 제거하여 상기 버스 전극을 노출하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
6 6
제5항에서,상기 제1 및 제2 전극 형성 단계는,상기 에미터층 위에 제1 도전형 페이스트(paste)를 상기 핑거 전극과 상기 버스 전극의 형상에 대응하는 패턴으로 도포하는 단계,상기 도포된 패턴을 탈수소화가 유발되지 않는 온도에서 소성시켜 상기 제1 전극을 형성하는 단계,상기 에미터층이 형성되지 않은 기판 위에 제2 도전성 페이스트를 도포하는 단계, 그리고상기 제2 도전성 페이스트를 소성하여 상기 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
7 7
제6항에서,상기 제1 도전성 페이스트는 글라스 프릿을 포함하지 않는 태양 전지의 제조 방법
8 8
제7항에서,상기 제1 도전성 페이스트는 은(Ag) 페이스트인 태양 전지의 제조 방법
9 9
제6항에서,상기 제2 도전성 페이스트는 알루미늄(Al) 페이스트인 태양 전지의 제조 방법
10 10
제5항에서,상기 제1 및 제2 전극 형성 단계는,상기 에미터층 위에 제1 도전성 페이스트를 상기 핑거 전극과 상기 버스 전극의 형상에 대응하는 패턴으로 도포하는 단계,상기 에미터층이 형성되지 않은 기판 위에 제2 도전성 페이스트를 도포하는 단계, 그리고상기 도포된 패턴과 상기 제2 도전성 페이스트를 탈수소화가 유발되지 않은 온도에서 소성시켜 상기 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
11 11
삭제
12 12
제5항에서,상기 절연막은 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막 및 티타늄 산화막 중에서 선택된 적어도 하나로 이루어지는 태양 전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.