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제1 도전성 타입을 갖는 기판의 제1 면에 상기 제1 도전성 타입과 다른 제2 도전성 타입의 에미터부를 형성하는 단계,상기 기판의 상기 제1 면의 반대편에 위치하는 상기 기판의 제2 면 위에 위치하는 패시베이션(passivation)부를 형성하는 단계, 그리고상기 패시베이션부 위에 상기 패시베이션부의 일부를 드러내는 복수의 개구부를 갖는 패시베이션 보호막을 형성하는 단계,상기 에미터부 위에 제1 전극부 패턴을 형성하고, 상기 패시베이션 보호막 위와 상기 복수의 개구부를 통해 드러난 상기 패시베이션부의 일부 위에 제2 전극 패턴을 형성하는 단계, 그리고상기 제1 전극부 패턴과 상기 제2 전극 패턴을 구비한 상기 기판을 열처리하여, 상기 에미터부와 연결된 제1 전극과 상기 복수의 개구부를 통해 상기 기판과 선택적으로 연결된 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에서,상기 패시베이션 보호막은 0
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제1항 또는 제2항에서,상기 패시베이션 보호막은 실리콘 산화물(SixOy), 티타늄 산화물(TixOy), 아연 산화물(ZnxOy), 또는 알루미늄 산화물(AlxOy)로 이루어져 있는 태양 전지의 제조 방법
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제1항 또는 제2항에서,상기 패시베이션 보호막은 상기 패시베이션보다 큰 굴절률을 갖는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에서,상기 제2 전극 패턴은 산화 납(PbO2)을 함유하고 있고,상기 제1 및 제2 전극 형성 단계 시, 상기 제2 전극 패턴에 함유된 상기 산화 납에 의해 상기 제2 전극 패턴의 일부가 상기 복수의 개구부를 통해 드러난 상기 패시베이션부의 일부를 관통하여 상기 기판과 연결되는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에서,상기 제1 전극부 패턴과 상기 제2 전극 패턴은 서로 다른 도전성 물질을 함유하고 있는 태양 전지의 제조 방법
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제6항에서,상기 제1 전극부 패턴은 은(Ag)을 함유하고 있고, 상기 제2 전극 패턴은 알루미늄(Al)을 함유하고 있는 태양 전지의 제조 방법
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8
제1항에서,상기 에미터부와 상기 제1 전극부 패턴 사이에 반사 방지부를 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제8항에서,상기 제1 전극부 패턴은 산화 납(PbO2)을 함유하고 있고, 상기 제1 및 제2 전극 형성 단계 시, 상기 제1 전극부 패턴에 함유된 상기 산화 납에 의해 상기 제1 전극부 패턴이 상기 반사 방지부를 관통하여 상기 에미터부와 연결되는 태양 전지의 제조 방법
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제1 도전성 타입을 갖는 기판,상기 기판의 제1 면에 위치하고, 상기 제1 도전성 타입과 다른 제2 도전성 타입을 갖는 에미터부,상기 에미터부와 연결되어 있는 제1 전극,상기 기판의 상기 제1 면의 반대편에 위치하는 상기 기판의 제2 면 위에 위치하고 상기 기판과 전기적으로 연결된 복수의 제1 접촉부를 포함하는 패시베이션부,상기 패시베이션부 위에 위치하고 상기 패시베이션부의 상기 복수의 제1 접촉부를 드러내는 복수의 개구부를 구비하고 있는 패시베이션 보호막,상기 패시베이션 보호막 위에 위치하고, 상기 복수의 개구부 내에 위치하여 상기 복수의 제1 접촉부와 연결되어 있는 복수의 제2 접촉부를 포함하는 제2 전극을 포함하고 있고,상기 복수의 제1 접촉부 각각은 상기 제2 전극의 성분과 상기 패시베이션부의 성분을 함유하고 있고,상기 복수의 제2 접촉부 각각은 상기 제2 전극의 성분만 함유하고 있는태양 전지
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제10항에서,상기 패시베이션 보호막은 0
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제10항 또는 제11항에서,상기 패시베이션 보호막은 실리콘 산화물(SixOy), 티타늄 산화물(TixOy), 아연 산화물(ZnxOy), 또는 알루미늄 산화물(AlxOy)로 이루어져 있는 태양 전지
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13
제10항 또는 제11항에서,상기 패시베이션 보호막은 상기 패시베이션부보다 큰 굴절률을 갖는 태양 전지
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제10항에서,상기 에미터부 위에 위치하는 반사 방지부를 더 포함하는 태양 전지
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제10항에서,상기 복수의 제1 접촉부와 접해 있는 상기 기판의 부분에 위치하는 복수의 후면 전계부를 더 포함하는 태양 전지
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제10항에서,상기 제2 전극은 상기 패시베이션부를 식각하는 식각 물질을 함유하는 태양 전지
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