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실리콘 웨이퍼 기판의 후면에 형성되고 그루부(groove)에 의해 상호 이격된 제1 불순물 확산 영역 및 제2 불순물 확산 영역; 및상기 제1 불순물 확산 영역 및 제2 불순물 확산 영역에 연결되고 양극과 음극으로 구성되는 후면 전극을 포함하는 후면전극 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 그루부의 깊이는 상기 제1 불순물 확산 영역 및 제2 불순물 확산 영역의 깊이와 같거나 깊은 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 그루부의 깊이는 수 마이크로미터(㎛)인 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 그루부는 실리콘 웨이퍼 기판의 후면에 형성된 복수 개의 제1불순물 확산 영역과 복수 개의 제2불순물 확산 영역이 인접한 사이마다 형성된 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 그루브의 폭은 상기 제1불순물 확산 영역 또는 제2불순물 확산 영역의 폭보다 좁은 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지
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6
제 1항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼 기판은 n형 불순물이 도핑된 실리콘 웨이퍼 기판인 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지
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7
제 1항에 있어서,상기 제1 불순물 확산 영역 및 제2 불순물 확산 영역은, 3족 원소로 이루어지는 p형 반도체 불순물과 5족 원소로 이루어지는 n형 반도체 불순물 중에서 각각 선택된 서로 다른 타입의 불순물로 이루어진 영역인 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지
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8
실리콘 웨이퍼 기판의 후면에 구비된 제1 불순물 확산 영역 및 제2 불순물 확산 영역 사이에 형성된 제1 불순물과 제2 불순물의 겹침 영역을 제거하는 단계; 및상기 제1 불순물 확산 영역 및 제2 불순물 확산 영역에 연결된 후면전극을 형성하는 단계를 포함하는 후면전극 태양전지의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 제1 불순물과 제2 불순물의 겹침 영역을 제거하는 단계는, 습식화학 에칭법, 건식화학 에칭법, 전기화학 에칭법, 기계적 에칭법, 및 레이저 스크라이빙법 중에서 선택된 어느 하나의 방법, 또는 습식화학 에칭법, 건식화학 에칭법, 및 전기화학 에칭법 중에서 선택된 어느 하나의 방법과 레이저 스크라이빙법을 함께 사용하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 제1 불순물과 제2 불순물의 겹침 영역을 제거하는 단계는, 에칭 페이스트 또는 에칭액을 스크린프린팅법, 인쇄법, 잉크젯법 중 어느 하나의 방법으로 제1 불순물과 제2 불순물의 겹침 영역 위에 도포하여 에칭하되, 레이저 스크라이빙법과 병행하여 혹은 순차로 에칭하는 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지의 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 에칭 페이스트 또는 에칭액은, 불산(HF), 질산(HNO3), 아세트산(CH3COOH), 수산화칼륨, 에틸렌디아민, 카테콜, 염화불화물, 모노메틸에테르, 불화수소의 에틸렌글리콜로 구성된 그룹 중에서 선택되는 1종 이상의 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지의 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 에칭 페이스트 또는 에칭액은, 불산(HF), 질산(HNO3), 아세트산(CH3COOH)으로 구성된 그룹 중에서 선택되는 1종 이상의 산과, 아세토니트릴(Acetonitrile), 디메틸 포름아마이드(Dimethyl formamide), 포름아마이드(Formamide), 디에틸 설폭사이드(Diethyl sulfoxide), 헥사메틸 포스포릭 트리아마이드(Hexamethyl phosphoric triamide), 디메틸 아세타마이드(Dimethyl acetamide), 물(water), 메틸알콜(Methyl alcohol), 에틸알콜(Ethyl alcohol), 이소프로필 알콜(Isopropyl alcohol)로 구성된 그룹 중에서 선택되는 1종 이상의 물질과의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지의 제조방법
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