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제1 전도성 타입의 반도체 기판 위에 상기 제1 전도성 타입과 반대의 전도성 타입을 갖는 제2 전도성 타입의 반도체부를 형성하는 단계,상기 반도체부 위에 보호막을 형성하는 단계, 상기 반도체부의 부분에 대응하는 상기 보호막 위에 선택적으로 에칭 페이스트를 도포하는 단계,상기 도포된 에칭 페이스트를 열처리하여 상기 보호막의 일부분을 제거함으로써 상기 반도체부의 일부분을 노출하는 단계, 그리고상기 노출된 반도체부의 부분에 도전성 금속 재료를 도포하여 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에서, 상기 보호막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 조합으로 이루어진 태양 전지의 제조 방법
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제2항에서, 상기 보호막은 한 층 이상으로 이루어진 태양 전지의 제조 방법
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제3항에서, 상기 보호막은 약 300nm 이상의 두께를 갖는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에서, 상기 반도체부 부분의 노출 단계 이후, 세정하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제5항에서, 상기 세정 단계는 물로 행해지는 태양 전지의 제조 방법
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제6항에서, 상기 세정 단계는 초음파로 행해지는 태양 전지의 제조 방법
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제1 전도성 타입의 반도체 기판 위에 상기 제1 전도성 타입과 반대의 전도성 타입을 갖는 제2 전도성 타입의 반도체부를 형성하는 단계,상기 반도체부 위에 보호막을 형성하는 단계, 상기 반도체부의 부분에 대응하는 상기 보호막의 부분 위에 에칭 페이스트를 도포하는 단계,상기 도포된 에칭 페이스트를 열처리하여, 상기 보호막의 일부분을 제거함으로써 상기 반도체부의 일부분을 노출하는 단계,상기 노출된 반도체부의 부분에 도전성 금속 재료를 도포하여 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 에칭 페이스트는 산 성분, 고분자 바인더 및 유기 용매를 구비하고, 상기 산 성분의 함유량은 약 15 중량% 내지 50 중량%이고, 상기 고분자 바인더의 함유량은 약 5 중량% 내지 20 중량%이며, 유기 용매의 함유량은 약 30 중량% 내지 80 중량%인 태양 전지의 제조 방법
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제8항에서,상기 산 성분은 인산(phosphoric acid), 플루오르화 수소(hydrogen fluoride), 플루오르화 암모늄(ammonium fluoride) 및 플루오르화 수소 암모늄(ammonium hydrogen fluoride) 중 적어도 하나인 태양 전지의 제조 방법
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제8항에서상기 고분자 바인더는 에틸 셀롤로오스(ethyl cellulose), 폴리비닐 피로리돈 polyvinyplyrrolidone, 나일론-6(nylon-6), 니트로셀롤로오스(nitrocellulose), 젤라틴(gelatine), 폴리비닐부티랄(polyvinylbutyral), 폴리아미드 레진(polyamide resin), 틴소톤 스타치(Thixoton, starch), 폴리에테르-포리올(polyether-polyols), 폴리에트르유레아-폴리우레탄((polyetherurea-polyurethane) 및 셀롤로오스 유도체(cellulose derivatives) 중 적어도 하나인 태양 전지의 제조 방법
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제8항에서상기 유기 용매는 NMP(n-methylpyrrolidone), 에틸렌 글리콘 부틸 에테르(ethylene glycol butyl ether), 프로필렌 카보네이트(propylene carbonate), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol), N-메틸-2-피리돈(N-methyl-2-pyridone), 에틸렌 글리콜 모노아세테이트(ethylene glycol monoacetate), 디에틸렌 글리콜(diethylene glycol), 디에틸렌 글리콜 아세테이트(diethylene glycol acetate), 테트라에틸렌 글리콜(tetraethylene glycol), 프로필렌 글리콜(propylene glycol), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(propylene glycol monomethyl ether)
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제8항에서상기 에칭 페이스트의 점도는 약 50 Pa
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산 수용액을 이용하여 무기 절연체를 제거하는 에칭 페이스트에서,상기 에칭 페이스트는 산 성분, 고분자 바인더 및 유기 용매를 구비하고, 상기 산 성분의 함유량은 약 15 중량% 내지 50 중량%이고, 상기 고분자 바인더의 함유량은 약 5 중량% 내지 20 중량 %이며, 유기 용매의 함유량은 약 30 중량% 내지 80 중량%인 에칭 페이스트
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제13항에서,상기 산 성분은 인산(phosphoric acid), 플루오르화 수소(hydrogen fluoride), 플루오르화 암모늄(ammonium fluoride) 및 플루오르화 수소 암모늄(ammonium hydrogen fluoride) 중 적어도 하나를 포함하는 에칭 페이스트
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제13항에서상기 고분자 바인더는 에틸 셀롤로오스(ethyl cellulose), 폴리비닐 피로리돈 polyvinyplyrrolidone, 나일론-6(nylon-6), 니트로셀롤로오스(nitrocellulose), 젤라틴(gelatine), 폴리비닐부티랄(polyvinylbutyral), 폴리아미드 레진(polyamide resin), 틴소톤 스타치(Thixoton, starch), 폴리에테르-포리올(polyether-polyols), 폴리에트르유레아-폴리우레탄((polyetherurea-polyurethane) 및 셀롤로오스 유도체(cellulose derivatives) 중 적어도 하나인 에칭 페이스트
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제13항에서상기 유기 용매는 NMP(n-methylpyrrolidone), 에틸렌 글리콘 부틸 에테르(ethylene glycol butyl ether), 프로필렌 카보네이트(propylene carbonate), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol), N-메틸-2-피리돈(N-methyl-2-pyridone), 에틸렌 글리콜 모노아세테이트(ethylene glycol monoacetate), 디에틸렌 글리콜(diethylene glycol), 디에틸렌 글리콜 아세테이트(diethylene glycol acetate), 테트라에틸렌 글리콜(tetraethylene glycol), 프로필렌 글리콜(propylene glycol), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(propylene glycol monomethyl ether)
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제13항에서상기 에칭 페이스트의 점도는 약 50 Pa
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