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태양 전지의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015055671
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요약 본 발명은 태양 전지의 제조 방법에 관한 것으로서, 태양 전지의 제조 방법은 제1 전도성 타입의 반도체 기판의 부분 위에 상기 제1 전도성 타입과 반대의 전도성 타입을 갖는 제2 전도성 타입의 제1 불순물을 포함하는 불순물 페이스트를 도포하는 단계, 상기 불순물 페이스트와 상기 노출된 반도체 기판 위에 상기 제1 도전성 타입의 제2 불순물을 포함하는 불순물 막을 형성하는 단계, 상기 불순물 페이스트와 불순물 막을 확산 처리하여 상기 제1 불순물이 도핑된 제1 도핑부와 상기 제2 불순물이 도핑된 제2 도핑부를 한꺼번에 형성하는 단계, 상기 제1 도핑부와 상기 제2 도핑부 위에 보호막을 형성하는 단계, 상기 제1 도핑부의 부분과 상기 제2 도핑부의 부분에 대응하는 상기 보호막의 부분 위에 에칭 페이스트를 도포하는 단계, 상기 도포된 에칭 페이스트를 열처리하여, 상기 제1 도핑부의 부분과 상기 제2 도핑부의 부분에 대응하는 상기 보호막의 부분을 제거함으로써 상기 제1 도핑부의 부분과 상기 제2 도핑부의 부분을 노출하는 단계, 상기 노출된 제1 도핑부의 부분과 상기 제2 도핑부의 부분에 도전성 금속 재료를 도포하여, 상기 노출된 제1 도핑부를 통해 상기 제1 도핑부와 연결되는 제1 전극과 상기 노출된 2 도핑부를 통해 제2 도핑부와 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 불순물 페이스트는 약 10∼30 중량%의 실리콘 산화물 기질, 약 5∼20 중량 %의 유기 바인더, 약 3∼15 중량 %의 제1 불순물, 약 1∼10 중량%의 촉매 및 약 30∼70 중량%의 유기 용매를 포함한다. 이로 인해, 이로 인해, 불순물 페이스트를 이용하여 제1 도핑부와 제2 도핑부가 동시에 형성되므로 태양전지의 제조 공정이 간소해지고 제조 비용이 줄어든다. 또한 반도체 기판을 식각하기 위한 별도의 공정없이 제1 도핑부와 제2 도핑부를 선택적으로 형성할 수 있기 때문에 태양 전지의 공정 효율이 향상되고 제조 비용이 더욱 줄어든다.태양전지, 후면접합, 불순물페이스트, 스크린인쇄법
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020080127325 (2008.12.15)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1464002-0000 (2014.11.14)
공개번호/일자 10-2010-0068834 (2010.06.24) 문서열기
공고번호/일자 (20141121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.26)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성은 대한민국 서울특별시 서초구
2 최영호 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2008-0861264-21
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-1079138-96
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.09.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2014-0082891-83
7 등록결정서
Decision to grant
2014.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0747175-68
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 상에 제1 전도성 타입을 갖는 제1 불순물을 포함하는 불순물 페이스트를 선택적으로 형성하여 제1 불순물막을 형성하는 단계,상기 제1 불순물막과 상기 반도체 기판 상에 제2 전도성 타입을 갖는 제2 불순물을 포함하는 제2 불순물막을 형성하는 단계, 그리고상기 제1 불순물막과 상기 제2 불순물막을 동시에 확산 처리하여 상기 반도체 기판 상에 상기 제1 불순물이 도핑된 제1 도핑부와 상기 제2 불순물이 도핑된 제2 도핑부를 한꺼번에 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
2 2
제1항에서,상기 제1 불순물막은 스크린 인쇄법이나 직접 인쇄법으로 형성되는 태양 전지의 제조 방법
3 3
제2항에서,상기 불순물 페이스트는 붕소나 인을 함유하는 페이스트인 태양 전지의 제조 방법
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에서,상기 제2 불순물막은 스핑 코팅법으로 형성되는 태양 전지의 제조 방법
5 5
제4항에서,상기 제2 불순물막은 인 또는 붕소를 함유하는 용액으로 형성되는 태양 전지의 제조 방법
6 6
제1항에서,상기 제1 불순물막 및 상기 제2 불순물막의 확산 처리는 열처리에 의해 행해지는 태양 전지의 제조 방법
7 7
제1 전도성 타입의 반도체 기판의 부분 위에 상기 제1 전도성 타입과 반대의 전도성 타입을 갖는 제2 전도성 타입의 제1 불순물을 포함하는 불순물 페이스트를 도포하는 단계,상기 불순물 페이스트와 상기 노출된 반도체 기판 위에 상기 제1 도전성 타입의 제2 불순물을 포함하는 불순물 막을 형성하는 단계, 상기 불순물 페이스트와 불순물 막을 확산 처리하여 상기 제1 불순물이 도핑된 제1 도핑부와 상기 제2 불순물이 도핑된 제2 도핑부를 한꺼번에 형성하는 단계,상기 제1 도핑부와 상기 제2 도핑부 위에 보호막을 형성하는 단계, 상기 제1 도핑부의 부분과 상기 제2 도핑부의 부분에 대응하는 상기 보호막의 부분 위에 에칭 페이스트를 도포하는 단계,상기 도포된 에칭 페이스트를 열처리하여, 상기 제1 도핑부의 부분과 상기 제2 도핑부의 부분에 대응하는 상기 보호막의 부분을 제거함으로써 상기 제1 도핑부의 부분과 상기 제2 도핑부의 부분을 노출하는 단계,상기 노출된 제1 도핑부의 부분과 상기 제2 도핑부의 부분에 도전성 금속 재료를 도포하여, 상기 노출된 제1 도핑부를 통해 상기 제1 도핑부와 연결되는 제1 전극과 상기 노출된 2 도핑부를 통해 제2 도핑부와 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 불순물 페이스트는 약 10∼30 중량%의 실리콘 산화물 기질, 약 5∼20 중량 %의 유기 바인더, 약 3∼15 중량 %의 제1 불순물, 약 1∼10 중량%의 촉매 및 약 30∼70 중량%의 유기 용매를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
8 8
제7항에서, 상기 실리콘 산화물 기질은 알콕시실란(alkoxysilanes), 테트라메소시실란(tetramethoxysilane), 테트라에소시시란(tetraethoxysilane), 테트라부토시실란(tetrabutoxysilane), 테트라프로포시실란(tetrapropoxysilane) 및 이들의 혼합물(mixture) 중 적어도 하나인 태양 전지의 제조 방법
9 9
제7항에서, 상기 유기 바인더는 에틸 셀롤로오스(ethyl cellulose), 폴리비닐 피로리돈 polyvinyplyrrolidone, 나일론-6(nylon-6), 니트로셀롤로오스(nitrocellulose), 젤라틴(gelatine), 폴리비닐부티랄(polyvinylbutyral), 폴리아미드 레진(polyamide resin), 틴소톤(Thixoton), 스타치(starch), 폴리에테르-포리올(polyether-polyols), 폴리에트르유레아-폴리우레탄((polyetherurea-polyurethane) 및 셀롤로오스 유도체(cellulose derivatives) 중 적어도 하나인 태양 전지의 제조 방법
10 10
제7항에서,상기 촉매는 염산(HCl)과 락틱산(lactic acid) 중 적어도 하나인 태양 전지의 제조 방법
11 11
제7항에서,상기 유기 용매는 NMP(N-methylpyrrolidone), 에틸렌 글리콘 부틸 에테르(ethylene glycol butyl ether), 프로필렌 카보네이트(propylene carbonate), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol), N-메틸-2-피리돈(N-methyl-2-pyridone), 에틸렌 글리콜 모노아세테이트(ethylene glycol monoacetate), 디에틸렌 글리콜(diethylene glycol), 디에틸렌 글리콜 아세테이트(diethylene glycol acetate), 테트라에틸렌 글리콜(tetraethylene glycol), 프로필렌 글리콜(propylene glycol), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(propylene glycol monomethyl ether)
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.