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후면전극형 태양전지의 제조방법에 있어서,제1 도전형의 반도체 영역과 제2 도전형의 반도체 영역이 형성된 제1 도전형의 반도체 기판의 후면에, 상기 제1 도전형의 반도체 영역과 제2 도전형의 반도체 영역의 일부를 노출하는 적어도 하나 이상의 개구부가 포함된 후면 패시베이션층을 형성하는 단계;상기 개구부를 통해 상기 제1 도전형의 반도체 영역과 제2 도전형의 반도체 영역에 접촉하는 시드층(seed layer)을 형성하는 단계; 및상기 시드층 위에, 상기 제1 도전형의 반도체 영역과 전기적으로 접속하는 제1 전극층과, 상기 제2 도전형의 반도체 영역과 전기적으로 접속하는 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층은, 상기 시드층 위에 금속원소를 스크린 프린팅(screen printing)법 또는 다이렉트 프린팅(direct printing)법으로 패터닝한 상태로 형성되고, 상기 시드층은 단일층으로 이루어지며, 상기 제1 전극층과 제2 전극층은 은(Ag) 또는 은 합금(Ag alloy)으로 이루어지는 후면전극형 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 후면 패시베이션층은,상기 제1 도전형의 반도체 영역과 제2 도전형의 반도체 영역 위에 SiO2, SiNx, SiC, 인트린식 비정질 실리콘 중 선택되는 어느 하나의 물질층을 증착하는 단계;상기 물질층 위에 상기 제1 도전형의 반도체 영역과 제2 도전형의 반도체 영역의 상부에 위치하는 개구부를 가지는 마스크층을 형성하는 단계; 및상기 마스크층의 개구부를 통해 물질층을 제거하여 상기 제1 도전형의 반도체 영역과 제2 도전형의 반도체 영역의 일부를 노출한 후, 상기 마스크층을 제거하는 단계를 수행하므로써 형성되는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 마스크층의 개구부를 통한 물질층의 제거는 HF, KOH, NaOH, 및 이들 중 하나 이상의 용액과 HNO3, H3PO4, CH3COOH 중에서 선택되는 하나 이상의 용액의 혼합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 에칭 용액을 스크린 프린팅법 또는 다이렉트 프린팅법으로 도포하여 제거함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 시드층은 금속원소를 상기 개구부를 통해 상기 제1 도전형의 반도체 영역과 제2 도전형의 반도체 영역에 각각 접촉하도록 무전해 도금하는 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법
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제 4항에 있어서,상기 금속원소는 니켈(Ni), 니켈-인(Ni-P)합금, 니켈-보론(Ni-B)합금, 니켈-금(Ni-Au)합금, 금(Au), 구리(Cu) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 시드층은,상기 개구부를 통해 상기 제1 도전형의 반도체 영역과 제2 도전형의 반도체 영역에 모두 접촉하는 금속원소로 이루어진 1차 시드층을 스퍼터링(Sputtering)법 또는 진공증착(Vacuum Evaporation)법으로 형성하는 단계; 및상기 제1 전극층과 제2 전극층을 형성한 후 전극층이 형성되지 않은 1차 시드층 부분을 제거하는 단계를 수행하므로써 형성되는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 금속원소는 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1 도전형은 n형이고, 상기 제2 도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법
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제1 도전형 반도체 기판;상기 제1 도전형 반도체 기판의 후면에 형성되고 제1 도전형과 반대되는 도전형을 가진 에미터층;상기 제1 도전형 반도체 기판의 후면에 상기 에미터층과 이격되어 형성되고, 제1 도전형과 동일한 도전형을 가지는 후면전계(Back Surface Field, BSF)층;상기 에미터층과 후면전계층이 형성된 제1 도전형의 반도체 기판의 후면에 형성되고, 상기 에미터층과 후면전계층의 일부를 각각 노출하는 개구부가 포함된 후면 패시베이션층;상기 후면 패시베이션층 위에 형성되고, 상기 개구부를 통해 에미터층과 후면전계층과 각각 연결된 시드층; 상기 에미터층과 연결된 시드층의 상부에 형성된 제1 전극; 및상기 후면전계층과 연결된 시드층의 상부에 형성된 제2 전극을 포함하고, 상기 시드층은 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극의 밀도보다 더 고밀도의 금속층이고, 상기 시드층은 단일층으로 이루어지며, 상기 제1 전극층과 제2 전극층은 은(Ag) 또는 은 합금(Ag alloy)으로 이루어지는 후면전극형 태양전지
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제 11항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체 기판은 n형 실리콘 기판이고, 상기 에미터층은 p+층이고, 상기 후면전계층은 n+형 반도체층인 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지
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제 11항에 있어서,상기 후면 패시베이션층은 SiO2, SiNx, SiC, 인트린식 비정질 실리콘 중 선택되는 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지
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제 11항에 있어서,상기 시드층은 무전해 도금된 니켈(Ni), 니켈-인(Ni-P)합금, 니켈-보론(Ni-B)합금, 니켈-금(Ni-Au)합금, 금(Au) 중 어느 하나 이상의 금속원소로 이루어진 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지
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제 11항에 있어서,상기 시드층은 스퍼터링(Sputtering)법 또는 진공증착(Vacuum Evaporation)법으로 형성된 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni) 중 어느 하나 이상의 금속원소로 이루어진 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지
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제 11항에 있어서,상기 제1 전극 및 제2 전극은 스크린 프린팅(screen printing)법 또는 다이렉트 프린팅(direct printing)법으로 형성된 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지
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