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태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015057588
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예에 따른 태양전지는 기판 상에 서로 이격되어 배치된 복수개의 후면전극 패턴과, 상기 후면전극 패턴이 배치된 상기 기판 상에 콘택패턴 및 분리패턴이 형성된 광 흡수층 패턴과, 상기 광 흡수층 상에 배치되며, 상기 분리패턴에 의해 이격되어 배치된 전면전극 패턴을 포함하고, 상기 콘택패턴은 기판 및 후면전극 패턴의 상부가 노출되도록 형성되며, 상기 콘택패턴 내에 형성된 전면전극 패턴은 기판 및 후면전극 패턴과 접하는 것을 포함한다. 태양전지
Int. CL H01L 31/0463 (2014.01)
CPC H01L 31/0465(2013.01) H01L 31/0465(2013.01) H01L 31/0465(2013.01)
출원번호/일자 1020090056760 (2009.06.25)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1081143-0000 (2011.11.01)
공개번호/일자 10-2010-0138300 (2010.12.31) 문서열기
공고번호/일자 (20111107) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.25)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조호건 대한민국 경기도 수원시 팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0384830-98
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2010.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0013875-54
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.12.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0003741-54
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0087972-23
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.04.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0276586-44
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0276585-09
9 등록결정서
Decision to grant
2011.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0615388-65
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 서로 이격되어 배치된 복수개의 후면전극 패턴; 상기 후면전극 패턴이 배치된 상기 기판 상에 콘택패턴 및 분리패턴이 형성된 광 흡수층 패턴; 상기 광 흡수층 상에 배치되며, 상기 분리패턴에 의해 이격되어 배치된 전면전극 패턴을 포함하고, 상기 콘택패턴은 기판 및 후면전극 패턴의 상부가 노출되도록 형성되며, 상기 콘택패턴 내에 형성된 전면전극 패턴은 기판 및 후면전극 패턴과 접하는 태양전지
2 2
제 1항에 있어서, 상기 후면전극 패턴의 사이에는 상기 광 흡수층 패턴과 전면전극 패턴이 배치되어, 상기 기판과 접하는 것을 포함하는 태양전지
3 3
제 2항에 있어서, 상기 전면전극 패턴은 연장되어 인접한 전면전극 패턴과 접하는 것을 포함하는 태양전지
4 4
기판 상에 서로 이격되어 배치된 복수개의 후면전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 후면전극 패턴이 배치된 상기 기판 상에 콘택패턴을 포함하는 광 흡수층을 형성하는 단계; 및 상기 광 흡수층 상에 전면전극을 형성한 후, 분리패턴을 형성하여, 상기 분리패턴에 의해 이격되어 배치된 전면전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 콘택패턴은 기판 및 후면전극 패턴의 상부가 노출되도록 형성되며, 상기 콘택패턴 내에 형성된 전면전극 패턴은 기판 및 후면전극 패턴과 접하는 태양전지의 제조방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 후면전극 패턴의 사이에는 상기 광 흡수층 패턴과 전면전극 패턴이 배치되어, 상기 기판과 접하는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법
6 6
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.