| 1 |
1
건식 식각법을 이용하여 제1 도전성 타입의 기판의 전면(front surface)에 복수의 돌출부를 갖는 텍스처링 표면을 형성하는 단계,상기 텍스처링 표면의 일부에 상기 제1 도전성 타입과 반대 극성을 갖는 제2 도전성 타입의 불순물을 함유한 도핑 물질을 선택적으로 도포하여 도핑 패턴을 형성하는 단계,상기 기판의 전면에 상기 제2 도전성 타입의 불순물을 주입하여 상기 도핑 패턴이 형성된 부분에는 불순물 농도가 높은 제2 에미터부를 형성하고, 상기 도핑 패턴이 형성되지 않은 부분에는 불순물 농도가 상기 제2 에미터부보다 낮은 제1 에미터부를 형성하는 단계,상기 제1 에미터부와 상기 제2 에미터부 위에 반사 방지막을 형성하는 단계, 그리고상기 제2 에미터부와 연결되는 제1 전극과 상기 기판의 후면(back surface)과 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에서,상기 제1 에미터부는 약 80 Ω/sq
|
| 3 |
3
제2항에서,상기 제2 에미터부의 형성 위치는 상기 도핑 패턴의 위치에 대응하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 4 |
4
제1항에서,상기 도핑 물질은 IV족 나노 파티클(nano particle)을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 5 |
5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에서,상기 도핑 패턴 형성 단계는,상기 텍스처링 표면의 일부에 상기 도핑 물질을 코팅하는 단계, 그리고상기 도핑 물질을 건조하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 6 |
6
제5항에서,상기 도핑 물질 코팅 단계는 상기 불순물을 함유한 실리콘(Si) 잉크(ink)를 코팅하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 7 |
7
제6항에서,상기 실리콘 잉크는 잉크젯 프린팅법(ink-jet printing), 에어로솔 코팅법(aerosol-coating), 일렉트로 스프레이 코팅법(electro--ray coating)법 중 적어도 하나에 의해 코팅되는 태양 전지의 제조 방법
|
| 8 |
8
제1항에서,상기 건식 식각법은 반응성 이온 식각법(reaction ion etching, RIE)인 태양 전지의 제조 방법
|
| 9 |
9
제1항에서,상기 돌출부는 각각 약 300㎚ 내지 약 800㎚의 지름과 높이를 갖는 태양 전지의 제조 방법
|
| 10 |
10
제1 도전성 타입을 갖고, 전면(front surface)에 복수의 돌출부를 갖는 기판,상기 기판의 상기 전면에 형성되고 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 갖고, 제1 두께를 갖는 제1 에미터부와 상기 제1 두께보다 두꺼운 제2 두께를 갖는 제2 에미터부를 포함하는 에미터부,상기 제2 에미터부와 연결되어 있는 제1 전극, 그리고상기 기판의 후면(back surface)과 전기적으로 연결되어 있는 제2 전극을 포함하고,상기 복수의 돌출부 각각은 약 300㎚ 내지 약 800㎚의 지름과 높이를 갖는 태양 전지
|
| 11 |
11
제10항에서,상기 제1 에미터부와 상기 기판과의 접합면의 위치와 상기 제2 에미터부와 상기 기판과의 접합면의 위치는 서로 상이한 태양 전지
|
| 12 |
12
제10항에서,상기 제1 에미터부의 불순물 도핑 농도는 상기 제2 에미터부의 불순물 도핑 농도보다 적은 태양 전지
|
| 13 |
13
제10항에서,상기 제2 에미터부는 상기 제1 에미터부와의 경계면에서부터 불순물 도핑 깊이가 점차적으로 변하는 태양 전지
|
