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제1 도전성 타입의 기판; 및상기 기판의 수광면 쪽에 형성되며, 복수의 미세한 요철을 포함하는 제1 텍스처링 표면을 포함하며,상기 요철의 크기는 200㎚ 내지 500㎚이고,상기 요철들의 수직 단면에 있어서 정점을 연결한 가상선의 길이(a)와 상기 가상선의 시점과 종점을 연결한 직선의 길이(b)의 비율(a/b)이 1
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제1항에서,상기 크기는 상기 요철의 폭 및 높이를 포함하는 태양전지
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제1항에서,상기 비율(a/b)은 3개 이상의 요철들에 대해 측정된 값으로 이루어지는 태양전지
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제1항에서,상기 제1 텍스처링 표면의 빛의 반사도는 7% 내지 10%인 태양전지
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제4항에서,상기 빛의 반사도는 상기 비율(a/b)이 커질수록 감소하고, 상기 비율(a/b)이 작아질수록 증가하는 태양전지
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삭제
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제1항에서,상기 단위 면적이 10㎛×10㎛인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에서,상기 제1 텍스처링 표면은 제2 텍스처링 표면 위에 위치하는 태양전지
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제8항에서,상기 제2 텍스처링 표면은 상기 제1 텍스처링 표면에 형성된 상기 요철보다 큰 크기의 요철들을 포함하는 태양전지
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10
제1항에서,상기 제1 텍스처링 표면 위에 위치하는 제2 도전성 타입의 에미터부;상기 에미터부 위에 위치하며, 상기 에미터부와 전기적으로 연결되는 복수의 제1 전극; 및상기 에미터부 위에 위치하며, 상기 제1 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 적어도 하나의 제1 집전부를 더 포함하는 태양전지
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제10항에서,상기 제1 전극 및 제1 집전부가 형성되지 않은 영역의 상기 에미터부 위에 위치하는 반사방지막을 더 포함하는 태양 전지
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태양전지용 기판의 텍스처링 방법으로서,제1 식각 가스를 이용한 제1 식각 공정을 실시하여 상기 기판의 한 표면을 건식 식각함으로써 상기 표면에 제1 크기의 요철들을 형성하는 단계;제2 식각 가스를 이용한 제2 식각 공정을 실시하여 상기 제1 크기의 요철들을 건식 식각함으로써 상기 제1 크기의 요철들을 상기 제1 크기보다 작은 제2 크기의 요철들로 변화시키는 단계;제3 식각 가스를 이용한 제3 식각 공정을 실시하여 상기 기판의 표면을 건식 식각함으로써 상기 제2 크기의 요철들의 형상을 유지한 상태에서 상기 기판의 표면에 위치하는 잔류물을 제거하는 단계; 및제4 식각 가스를 이용한 제4 식각 공정을 실시하여 상기 제2 크기의 요철들을 식각함으로써 상기 제2 크기의 요철들의 형상을 유지한 상태에서 상기 제2 크기의 요철들의 표면 손상 부위를 제거하여 제1 텍스처링 표면을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제2 크기의 요철들은 200㎚ 내지 500㎚의 폭 및 높이를 각각 가지며, 상기 제2 요철들의 수직 단면에 있어서 정점을 연결한 가상선의 길이(a)와 상기 가상선의 시점과 종점을 연결한 직선의 길이(b)의 비율(a/b)이 1
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제12항에서,상기 제1 식각 공정 내지 제4 식각 공정은 챔버가 0
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제12항에서,상기 제1 식각 가스는 플루오린계 가스와 산소 가스의 혼합 가스인 태양전지용 기판의 텍스처링 방법
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제14항에서,상기 제1 식각 가스는 SF6/O2 가스로 이루어지는 태양전지용 기판의 텍스처링 방법
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제15항에서,상기 SF6와 O2는 1:1의 비율로 혼합되는 태양전지용 기판의 텍스처링 방법
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제12항에서,상기 제2 식각 가스는 플루오린계 가스, 염소계 가스 및 산소 가스의 혼합 가스인 태양전지용 기판의 텍스처링 방법
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제17항에서,상기 제2 식각 가스는 SF6/Cl2/O2 가스로 이루어지는 태양전지용 기판의 텍스처링 방법
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제18항에서,상기 SF6와 Cl2 및 O2는 1:4~8:1~3의 비율로 혼합되는 태양전지용 기판의 텍스처링 방법
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제12항에서,상기 제3 식각 가스는 플루오린계 가스 및 염소계 가스의 혼합 가스인 태양전지용 기판의 텍스처링 방법
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제20항에서,상기 제3 식각 가스는 SF6/Cl2 가스로 이루어지는 태양전지용 기판의 텍스처링 방법
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제12항에서,상기 제4 식각 가스는 플루오린계 가스인 태양전지용 기판의 텍스처링 방법
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제22항에서,상기 제4 식각 가스는 SF6로 이루어지는 태양전지용 기판의 텍스처링 방법
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제12항에서,상기 제1 텍스처링 표면은 제2 텍스처링 표면 위에 위치하며, 상기 제2 텍스처링 표면은 알칼리 또는 산을 이용하여 상기 기판의 한 표면을 습식 식각하는 것에 따라 형성하는 태양전지용 기판의 텍스처링 방법
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제12항에서,상기 제1 식각 공정 내지 제4 식각 공정은 반응성 이온 식각법(RIE)에 의해 이루어지는 태양전지용 기판의 텍스처링 방법
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