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유기발광 다이오드 및 그 제조방법

기술번호 : KST2015065233
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	유기발광 다이오드의 제조 방법을 제공한다. 이 제조 방법은 기판 상에 절연막을 형성하는 단계, 절연막 상에 금속 잉크를 도포하는 단계, 기판을 열처리하여 절연막 내부로 금속 잉크가 스며들게 하여 절연막 및 금속 잉크를 포함한 보조 전극층을 형성하는 단계, 및 보조 전극층 상에 차례로 제 1 전극, 유기발광층, 및 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL	H05B 33/26 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC	H01L 51/5212(2013.01) H01L 51/5212(2013.01) H01L 51/5212(2013.01) H01L 51/5212(2013.01)
출원번호/일자	1020110089028 (2011.09.02)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2013-0025613 (2013.03.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	취하
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	N
심사청구항수	17

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	구재본	대한민국	대전광역시 서구
2	유인규	대한민국	대전광역시 유성구
3	양용석	대한민국	대전광역시 유성구
4	김태엽	대한민국	서울특별시 은평구
5	김민석	대한민국	충청북도 청주시 흥덕구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인 고려	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2011.09.02	수리 (Accepted)	1-1-2011-0688123-26
2	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.04.18	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0308865-18
3	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2015.01.14	수리 (Accepted)	1-1-2015-0036848-98
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 상에 금속 잉크를 도포하는 단계;상기 기판을 열처리하여 상기 절연막 내부로 상기 금속 잉크가 스며들게 하여 상기 절연막 및 상기 금속 잉크를 포함한 보조 전극층을 형성하는 단계; 및상기 보조 전극층 상에 차례로 제 1 전극, 유기발광층, 및 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 절연막은 PMMA (Polymethylmethacrylate), PI (Polyimide), PS (Polystyrene), PVP (Polyvinylphenol), 아크릴계 고분자, 및 에폭시계 고분자 중 적어도 하나를 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 금속 잉크를 도포하는 단계는 상기 금속 잉크를 상기 절연막 상에 메쉬 그리드 형태로 도포하는 단계를 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
4	4 제 1 항에 있어서,상기 금속 잉크는 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 및 그들의 합금 중 적어도 하나를 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
5	5 제 1 항에 있어서,상기 금속 잉크의 폭은 10㎛ 이상 200㎛ 이하인 유기발광 다이오드의 제조 방법
6	6 기판 상에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막의 상부면에 트렌치를 형성하는 단계;금속 잉크를 상기 트렌치의 내부에 채워 상기 절연막 및 상기 금속 잉크를 포함하는 보조 전극층을 형성하는 단계; 및상기 보조 전극층 상에 차례로 제 1 전극, 유기발광층, 및 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
7	7 제 6 항에 있어서,상기 절연막은 PMMA (Polymethylmethacrylate), PI (Polyimide), PS (Polystyrene), PVP (Polyvinylphenol), 아크릴계 고분자, 및 에폭시계 고분자 중 적어도 하나를 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
8	8 제 6 항에 있어서,상기 트렌치를 형성하는 단계는 임프린트 롤을 이용하여 형성하는 단계를 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
9	9 제 6 항에 있어서,상기 트렌치를 형성하는 단계는 상기 트렌치를 상기 절연막에 메쉬 그리드 형태로 형성하는 단계를 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
10	10 제 6 항에 있어서,상기 보조 전극층을 형성하는 단계는 닥터 블레이딩(doctor blading) 방법을 이용하여 상기 금속 잉크를 상기 트렌치의 내부에 채우는 단계를 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
11	11 제 6 항에 있어서,상기 금속 잉크는 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 및 그들의 합금 중 적어도 하나를 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
12	12 제 6 항에 있어서,상기 금속 잉크의 폭은 10㎛ 이상 200㎛ 이하인 유기발광 다이오드의 제조 방법
13	13 기판;상기 기판 상에 차례로 적층된 제 1 전극, 유기발광층, 및 제 2 전극; 및상기 기판 및 상기 제 1 전극 사이에 배치된 보조 전극층을 포함하되,상기 보조 전극층은 절연막 및 상기 절연막 내부에 내장된 보조 전극을 포함하는 유기발광 다이오드
14	14 제 13 항에 있어서,상기 보조 전극층은 평면적 관점에서 메쉬 그리드 형태로 형성된 상기 보조 전극을 포함하는 유기발광 다이오드
15	15 제 13 항에 있어서,상기 절연막은 PMMA (Polymethylmethacrylate), PI (Polyimide), PS (Polystyrene), PVP (Polyvinylphenol), 아크릴계 고분자, 및 에폭시계 고분자 중 적어도 하나를 포함하는 유기발광 다이오드
16	16 제 13 항에 있어서,상기 보조 전극은 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 및 그들의 합금 중 적어도 하나를 포함하는 유기발광 다이오드
17	17 제 13 항에 있어서,상기 보조 전극의 폭은 10㎛ 이상 200㎛ 이하인 유기발광 다이오드

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US20130056713	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2013056713	US	미국	DOCDBFAMILY

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2011.09.02	수리 (Accepted)	1-1-2011-0688123-26
2	[명세서등 보정]보정서	2012.04.18	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0308865-18
3	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2015.01.14	수리 (Accepted)	1-1-2015-0036848-98
4	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44


기술번호	KST2015065233
자료제공기관	NTB
기술공급기관	한국전자통신연구원
기술명	유기발광 다이오드 및 그 제조방법
기술개요	유기발광 다이오드의 제조 방법을 제공한다. 이 제조 방법은 기판 상에 절연막을 형성하는 단계, 절연막 상에 금속 잉크를 도포하는 단계, 기판을 열처리하여 절연막 내부로 금속 잉크가 스며들게 하여 절연막 및 금속 잉크를 포함한 보조 전극층을 형성하는 단계, 및 보조 전극층 상에 차례로 제 1 전극, 유기발광층, 및 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1415116300
세부과제번호	KI001909
연구과제명	개별물품 단위 응용을 위한 차세대 RFID 기술 개발
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가관리원
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2011
연구기간	200803~201302
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

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