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1) 음전하성 계면활성제로 코팅된 금 나노입자에 하기 화학식 1로 표시되는 음전하성 1차 리간드를 도입하는 단계;2) 상기 1)단계의 1차 리간드가 도입된 금 나노입자에 하기 화학식 2로 표시되는 중성 또는 양전하성 2차 리간드를 도입하는 단계;를 포함하는 나노입자의 표면 전하 조절방법:[화학식 1]HS-(CH2)n-R1상기 화학식 1에서, R1은 COOH, SO3H, C≡CH, NO2, 페닐, 및 음전하로 하전된 펩티드로 이루어진 군에서 선택되며,n은 1 내지 30의 정수이다
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제1항에 있어서, 상기 음전하성 계면활성제는 시트르산염 또는 SDS(sodium dodecylsulfate)인 것을 특징으로 하는 나노입자의 표면 전하 조절방법
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제1항에 있어서, 상기 음전하성 1차 리간드는 11-머캅토운데칸산, 3-머캅토프로피온산 및 소듐 2-술파닐에탄술포네이트로 이루어진 군에서 선택되며, 상기 중성 또는 양전하성 2차 리간드는 에탄티올, 11-머캅토운데칸올, β-머캅토에탄올, 11-아미노-1-운데칸티올 하이드로클로라이드 및 아세틸티오콜린 아이오다이드로 이루어진 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 나노입자의 표면 전하 조절방법
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1) 양전하성 계면활성제로 코팅된 금 나노입자에 하기 화학식 3으로 표시되는 양전하성 1차 리간드를 도입하는 단계;2) 상기 1)단계의 1차 리간드가 도입된 금 나노입자에 하기 화학식 4로 표시되는 중성 또는 음전하성 2차 리간드를 도입하는 단계;를 포함하는 나노입자의 표면 전하 조절방법:[화학식 3]HS-(CH2)n-R3상기 화학식 3에서, R3는 할로겐 원자로 치환 또는 비치환된 1차 또는 2차 아민, CONH2, 및 양전하로 하전된 펩티드로 이루어진 군에서 선택되며,n은 1 내지 30의 정수이다
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제4항에 있어서, 상기 양전하성 계면활성제는 CTAB(cetyltrimethylammonium bromide)인 것을 특징으로 하는 나노입자의 표면 전하 조절방법
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제4항에 있어서, 상기 양전하성 1차 리간드는 11-아미노-1-운데칸티올 하이드로클로라이드 및 아세틸티오콜린 아이오다이드로 이루어진 군에서 선택되며, 상기 중성 음전하성 2차 리간드는 에탄티올, 11-머캅토운데칸올, β-머캅토에탄올, 11-머캅토운데칸산, 3-머캅토프로피온산 및 소듐 2-술파닐에탄술포네이트로 이루어진 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 나노입자의 표면 전하 조절방법
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1) 하기 화학식 1로 표시되는 음전하성 1차 리간드가 도입된, 음전하성 계면활성제로 코팅된 금 나노입자; 및2) 하기 화학식 2로 표시되는 중성 또는 양전하성 2차 리간드를 포함하는, 나노입자의 표면 전하 조절키트:[화학식 1]HS-(CH2)n-R1상기 화학식 1에서, R1은 COOH, SO3H, C≡CH, NO2, 페닐, 및 음전하로 하전된 펩티드로 이루어진 군에서 선택되며,n은 1 내지 30의 정수이다
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1) 하기 화학식 3으로 표시되는 양전하성 1차 리간드가 도입된, 양전하성 계면활성제로 코팅된 금 나노입자; 및2) 하기 화학식 4로 표시되는 중성 또는 음전하성 2차 리간드를 포함하는, 나노입자의 표면 전하 조절키트:[화학식 3]HS-(CH2)n-R3상기 화학식 3에서, R3는 할로겐 원자로 치환 또는 비치환된 1차 또는 2차 아민, CONH2, 및 양전하로 하전된 펩티드로 이루어진 군에서 선택되며,n은 1 내지 30의 정수이다
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