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폴리도파민을 이용한 리튬 이차전지용 양극 활물질의 표면개질 방법

  • 기술번호 : KST2015069938
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 리튬 이차전지용 나노입자 또는 불균일한 형태의 양극 활물질 분말을 안정적인 물질로 코팅 처리하여, 전기화학적 특성, 열적 안정성 등을 향상시키는 리튬 이차전지용 양극 활물질의 표면개질 방법이 개시된다. 본 발명은 (a) 완충용액에 도파민을 용해시키는 단계; (b) 상기 도파민이 용해된 완충용액에 양극 활물질을 첨가 및 반응시켜 상기 양극 활물질 표면에 폴리도파민 박막을 형성하는 단계; (c) 금속원소를 함유한 코팅 전구물질이 포함된 코팅용액에 상기 폴리도파민 박막이 형성된 양극 활물질을 첨가 및 반응시켜 상기 폴리도파민 박막을 매개로 상기 코팅 전구물질의 이온기 또는 수화물을 상기 양극 활물질 표면에 부착시키는 단계; 및 (d) 상기 (c) 단계의 반응물을 열처리하여 상기 폴리도파민 박막은 제거시키고, 상기 양극 활물질 표면에 상기 금속원소를 함유한 화합물을 포함하는 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하는 리튬 이차전지용 양극 활물질의 표면개질 방법을 제공한다.
Int. CL H01M 4/62 (2006.01) H01M 4/525 (2010.01) H01M 4/505 (2010.01) H01M 4/131 (2010.01)
CPC H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01)
출원번호/일자 1020120154712 (2012.12.27)
출원인 경기대학교 산학협력단, 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1409837-0000 (2014.06.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140620) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.27)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경기대학교 산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박용준 대한민국 서울 서초구
2 이혜진 대한민국 경기 수원시 팔달구
3 정은혜 대한민국 경기 포천시 소흘읍
4 김창수 대한민국 경기 화성시 효행로 ****-*, *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경기대학교 산학협력단 경기도 수원시 영통구
2 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-1083817-94
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5105476-10
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.10.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2013-0091603-27
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-0018785-53
6 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2014.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-0018792-73
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2014-5027623-63
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2014-5027621-72
9 등록결정서
Decision to grant
2014.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0377423-63
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 완충용액에 도파민을 용해시키는 단계;(b) 상기 도파민이 용해된 완충용액에 양극 활물질을 첨가 및 반응시켜 상기 양극 활물질 표면에 폴리도파민 박막을 형성하는 단계;(c) 금속원소를 함유한 코팅 전구물질이 포함된 코팅용액에 상기 폴리도파민 박막이 형성된 양극 활물질을 첨가 및 반응시켜 상기 폴리도파민 박막을 매개로 상기 코팅 전구물질의 이온기 또는 수화물을 상기 양극 활물질 표면에 부착시키는 단계; 및(d) 상기 (c) 단계의 반응물을 열처리하여 상기 폴리도파민 박막은 제거시키고, 상기 양극 활물질 표면에 상기 금속원소를 함유한 화합물을 포함하는 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하는 리튬 이차전지용 양극 활물질의 표면개질 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 양극 활물질은 크기(평균 직경 기준)가 50~1000㎚인 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지용 양극 활물질의 표면개질 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 양극 활물질은 하기 화학식 1 내지 14로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지용 양극 활물질의 표면개질 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 (b) 단계의 반응은 1~100분간 수행되어 상기 폴리도파민 박막이 1~100㎚ 두께로 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지용 양극 활물질의 표면개질 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 금속원소는 Li, Na, K, Mg, Ca, Cu, Cd, Fe, Mn, Ni, Pb, Sn, Sr, Xe, Zn, Al, B, Bi, Ce, Cr, In, La, Nd, V, Y, Ge, Si, Sn, Nb, Ti, Zr, Sb, Ta, Mo, Re 및 W로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이고, 상기 금속원소를 함유한 화합물은 금속산화물, 금속인산화물 및 금속불화물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지용 양극 활물질의 표면개질 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 (c) 단계의 반응은 30~70℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지용 양극 활물질의 표면개질 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 (d) 단계의 열처리는 200~700℃에서 1~10시간 수행되어 상기 코팅층이 1~100㎚ 두께로 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지용 양극 활물질의 표면개질 방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 울산과학기술대학 신기술융합형 성장동력사업 리튬리치계 고용량 양극소재 개발