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반도체 기판; 상기 반도체 기판의 일면 위에 형성되는 절연층;상기 절연층 상에 형성되며 상기 반도체 기판과 다른 도전형을 가지는 불순물층; 상기 불순물층에 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및상기 제1 전극과 절연되면서 상기 절연층을 노출하는 개구부에서 상기 절연층과 직접 접하도록 형성되어 상기 반도체 기판 및 상기 절연층과 함께 금속-절연체-반도체(metal insulator semiconductor, MIS) 접합 구조를 형성하는 제2 전극을 포함하고,상기 MIS 접합 구조에 의하여 형성된 상기 반도체 기판의 전계 영역이 후면 전계 영역으로 기능하고,상기 전계 영역은 상기 금속-절연체-반도체 접합 구조에 대응되도록 상기 절연층에 접하는 상기 반도체 기판 내부에 형성되는 태양 전지
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제1항에 있어서, 상기 반도체 기판이 p형의 도전형을 가지고, 상기 제2 전극이 상기 절연층에 접촉하며 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 은(Ag), 텅스텐(W) 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함하는 접합 전극층을 포함하는 태양 전지
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제1항에 있어서, 상기 반도체 기판이 n형의 도전형을 가지고, 상기 제2 전극이 상기 절연층에 접촉하며 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 코발트(Co), 백금(Pt) 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함하는 접합 전극층을 포함하는 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 제2 전극은, 상기 절연층에 접촉하며 상기 금속-절연체-반도체 접합 구조를 형성하는 접합 전극층; 및 상기 접합 전극층 위에 형성되며 상기 접합 전극층과 다른 물질을 포함하는 도전층을 포함하는 태양 전지
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제1항에 있어서, 상기 반도체 기판이 단결정 반도체를 포함하고, 상기 불순물층이 다결정 반도체를 포함하는 태양 전지
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제1항에 있어서, 상기 절연층이 금속 산화물, 진성 비정질 실리콘, 탄화 규소 중 적어도 하나를 포함하는 태양 전지
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제1항에 있어서, 상기 절연층의 두께가 0
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제1항에 있어서,상기 불순물층과 상기 제2 전극 사이를 절연하는 절연막을 포함하는 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 불순물층이 200nm 내지 400nm의 두께를 가지는 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 반도체 기판이 n형의 도전형을 가지고, 상기 불순물층이 p형의 도전형을 가지는 태양 전지
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제11항에 있어서,상기 불순물층이 형성된 영역의 면적이 상기 불순물층이 형성되지 않은 영역의 면적보다 큰 태양 전지
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제12항에 있어서,상기 반도체 기판 면적에 대하여 상기 불순물층의 면적 비율이 0
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제11항에 있어서,상기 불순물층은 상기 제1 전극의 연장 방향에서 이어지면서 형성되고, 상기 제2 전극은 상기 반도체 기판 및 상기 절연층과 점 컨택(point contact)되는 태양 전지
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제11항에 있어서,상기 불순물층이 복수의 개구부를 제외한 부분에 전체적으로 형성되고, 상기 제2 전극이 상기 복수의 개구부를 채우면서 상기 절연층과 제1 전극부를 연결하는 복수의 연결 부분을 포함하고 일 방향으로 길게 이어지는 상기 제1 전극부를 포함하며, 상기 불순물층과 상기 제2 전극의 사이에 절연막이 더 형성되는 태양 전지
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제15항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 복수의 개구부가 형성되지 않은 부분에서 상기 일 방향으로 길게 이어지는 제1 전극부를 포함하는 태양 전지
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제16항에 있어서,상기 일 방향과 교차하는 다른 방향에서 상기 제1 전극의 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극의 상기 제1 전극부가 교번하여 위치하는 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 반도체 기판의 다른 일면에 전체적으로 형성되는 반사 방지막을 더 포함하는 태양 전지
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제18항에 있어서,상기 반사 방지막 위에 상기 반도체 기판과 동일한 도전형의 다결정 반도체를 포함하는 전면 전계층을 더 포함하는 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 반도체 기판 내의 도핑 농도가 균일한 태양 전지
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