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하기 화학식 1로 표시되는 유기 반도체 화합물
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제 1항에 있어서,Z는 S이며;R1 및 R2는 서로 독립적으로 (C1-C20)알킬기 또는 (C1-C20)알콕시기인 유기 반도체 화합물
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삭제
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제 1항에 있어서, Z는 S이며;R1 및 R2는 서로 독립적으로 (C1-C20)알킬기 또는 (C1-C20)알콕시기이며;A1 내지 A3 및 B1 내지 B3은 하기 구조에서 선택되는 것인 유기 반도체 화합물
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5
제 1항에 있어서,화학식 1은 하기 화학식 2 내지 4로 표시되는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 화합물
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6
제 5항에 있어서,Z는 S 또는 Se이고;R1 및 R2는 (C1-C20)알콕시기이며;R3 내지 R6 및 R9 내지 R16은 서로 독립적으로 수소, 할로겐 또는(C1-C20)알킬기이며;R7 또는 R8은 서로 독립적으로 수소 또는 (C1-C20)알킬이고;l, m, p 및 q는 1 내지 3의정수이고;상기 R1 및 R2의 알콕시, R3 내지 R6의 알킬 및 R7 또는 R8의 알킬은 (C1-C20)알킬, 아미노기, 하이드록시기, 할로겐기, 사이아노기, 나이트로기, 트리플루오로메틸기 및 실릴기로 선택되는 하나 이상의 치환기로 더 치환될 수 있다
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7
하기 화학식 5로 표시되는 화합물과 하기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 반응시켜 하기 화학식 1의 유기 반도체 화합물을 제조하는 방법
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8
제 7항에 있어서,상기 화학식 5의 화합물은 하기 화학식 7로 표시되는 화합물을 화합물 8과 반응시켜 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 화합물을 제조하는 방법
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9
제 7항에 있어서, 상기 화학식 7의 화합물은 하기 화학식 9로 표시되는 화합물에 보호기를 도입하여 화학식 10으로 표시되는 화합물을 제조하는 단계;화학식 10으로 표시되는 화합물을 할로겐화하여 화학식 11로 표시되는 화합물을 제조하는 단계;화학식 11로 표시되는 화합물과 화학식 12로 표시되는 화합물을 반응시켜 화학식 13으로 표시되는 화합물을 제조하는 단계; 및화학식 13으로 표시되는 화합물로 화학식 7로 표시되는 화합물을 제조하는 단계;를 포함하여 제조되는 화학식 1로 표시되는 유기 반도체 화합물을 제조하는 방법
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10
제 9항에 있어서,상기 화학식 9의 화합물은 하기 화학식 14로 표시되는 화합물로부터 하기 화학식 15로 표시되는 화합물을 제조하는 단계;하기 화학식 15로 표시되는 화합물로 상기 화학식 9로 표시되는 화합물을 제조하는 단계;를 포함하여 제조되는 화학식 1로 표시되는 유기 반도체 화합물을 제조하는 방법
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11
제 9에 있어서,보호기는 N,N-디메틸에틸렌다이아민, N,N-디메틸에틸렌다이아민, 1,3-프로판디올, 1,3-프로판디티올 및 피나콜(pinacol)중에서 선택되는 하나인 화학식 1로 표시되는 유기 반도체 화합물을 제조하는 방법
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12
제 9항에 있어서,할로겐화는 브롬, 염소, N-브로모숙신이미드 및 1,2-디브로모테트라클로로에탄중에서 선택되는 하나를 사용하여 수행되는 화학식 1로 표시되는 유기 반도체 화합물을 제조하는 방법
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| 13 |
13
제 9항에 있어서,Z는 S이며, R은 (C1-C20)알콕시기인 화학식 1로 표시되는 유기 반도체 화합물을 제조하는 방법
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14
제 1항, 제 2항 및 제 4항 내지 제 6항의 어느 한 항에 따른 유기 반도체 화합물을 함유하는 유기 반도체 소자
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