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실리콘을 포함하는 수지 조성물과, 용매를 혼합하여 코팅 조성물을 형성하는 단계; 및 상기 코팅 조성물을 분리막 본체에 코팅하여 실리콘을 포함하는 수지층을 형성하는 코팅 단계를 포함하는 이차 전지용 분리막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 수지 조성물은 폴리 실록산을 포함하는 이차 전지용 분리막의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 수지 조성물은 폴리 실록산 수지를 졸-겔(gol-gel)법에 의하여 겔화하여 형성되는 이차 전지용 분리막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 코팅 조성물을 형성하는 단계에서, 전체 100 중량부에 대하여, 상기 수지 조성물이 0
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제4항에 있어서,상기 코팅 조성물을 형성하는 단계에서, 전체 100 중량부에 대하여, 상기 수지 조성물이 0
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제5항에 있어서,상기 코팅 조성물을 형성하는 단계에서, 전체 100 중량부에 대하여, 상기 수지 조성물이 0
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제1항에 있어서,상기 코팅 단계에서는, 딥 코팅 방법이 사용되는 이차 전지용 분리막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 코팅 단계 이후에 상기 수지층을 건조하는 건조 단계를 더 포함하는 이차 전지용 분리막의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 건조 단계는 15℃ 내지 80℃의 온도에서 10초 내지 20분의 시간 동안 수행되는 이차 전지용 분리막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 수지층의 두께가 1㎛ 이하인 이차 전지용 분리막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 분리막 본체는 폴리올레핀계 물질 또는 부직포계 물질로 구성되는 미다공성 시트 또는 필름을 포함하는 이차 전지용 분리막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 수지층이 상기 분리막 본체의 양면에 각기 위치하는 이차 전지용 분리막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 수지층이 나노 클러스터를 가지는 이차 전지용 분리막의 제조 방법
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분리막 본체; 및 상기 분리막 본체의 적어도 일면에 형성되며, 실리콘을 포함하는 수지층을 포함하는 이차 전지용 분리막
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제14항에 있어서, 상기 수지층이 폴리 실록산을 포함하는 이차 전지용 분리막
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제14항에 있어서,상기 수지층의 두께가 1㎛ 이하인 이차 전지용 분리막
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제16항에 있어서,상기 수지층의 두께가 10nm 내지 1㎛인 이차 전지용 분리막
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제1항에 있어서,상기 분리막 본체는 폴리올레핀계 물질 또는 부직포계 물질로 구성되는 미다공성 시트 또는 필름을 포함하는 이차 전지용 분리막
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제1항에 있어서,상기 수지층이 상기 분리막 본체의 양면에 각기 위치하는 이차 전지용 분리막
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제1항에 있어서, 상기 수지층이 나노 클러스터를 가지는 이차 전지용 분리막
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