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전계효과 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 반절연 갈륨비소비소기판(1) 위에 접촉부에 규소박막(2)을 스퍼터 증착하는 단계와, 이미지 반전기법의 포토리소그라피를 통한 에칭으로 오옴전극 접촉부위의 규소박막(2a)만 잔류시키는 단계와, 채널이온주입용 마스크를 사용하여 포토리소그라피를 한 뒤 인 또는 비소이온등의 5족 원소들을 주입한 후 규소이온을 주입하는 이중이온주입 단계와, 기판전체에 규소산화막, 규소질화막 또는 규소산화질화막 등을 보호막(6)으로 증착하고 800℃~1000℃의 열처리에 의해 채널영역에 주입된 규소이온을 활성화함과 동시에 오옴전극 접촉부위에 증착된 규소박막(2a)으로부터 규소를 기판(1)의 내부로 확산시켜 고용도까지 고농도로 도우핑된 오옴전극 접촉부위를 형성하는 단계와, 상기 보호막(6)을 습식 에칭으로 제거한 후 오옴전극용 마스크를 사용하여 오옴전극 패턴을 형성한 후 금속을 증착하고 오옴전극(7)을 형성하여 합금화하고 게이트 패턴을 형성한 후 게이트 전극(8)을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 금속반도체 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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