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개선된오오믹접속을갖는반도체장치의제조방법

  • 기술번호 : KST2015073844
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 21/28 (2006.01) H01L 27/092 (2006.01)
CPC H01L 21/823871(2013.01) H01L 21/823871(2013.01)
출원번호/일자 1019910010537 (1991.06.25)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0068238-0000 (1993.12.03)
공개번호/일자 10-1993-0001455 (1993.01.16) 문서열기
공고번호/일자 1019930008021 (19930825) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.06.25)
심사청구항수 0

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백종태 대한민국 대전직할시유성구
2 유종선 대한민국 대전직할시대덕구
3 남기수 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
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최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1991.06.25 수리 (Accepted) 1-1-1991-0060001-09
2 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1993.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0024831-26
3 등록사정서
Decision to grant		 1993.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0024833-17
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

상보성모스(CMOS)와 같이 하나의 칩내에 n-형과 p-형이 공존하는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 기판(1)상에 접속구멍(contact hole)을 형성하는 제 1 공정이 완료된 후 알루미늄계 제 1 배선금속(14)을 형성하는 제 2 공정과, 사진식각(lithography)작업을 선택적으로 수행하여 p-형 반도체(8) 영역의 제 1 배선금속(14)만을 남기고 n-형 반도체(7) 영역의 제 1 배선금속을 제거하는 제 3 공정과, 장벽금속(15)을 증착하고 다시 상기 장벽금속(15)상에 제 2 배선금속(16)을 증착하는 제 4 공정과, 사진식각 작업을 수행하여 접속영역과 배선영역에 포함되는 상기 장벽금속(15) 및 상기 제 2 배선금속(16)만을 남기고 나머지를 모두 제거함으로써 상기 p-형 반도체/제 1 배선금속/장벽금속/제 2 배선금속 구조를 형성하고 상기 n-형 반도체(7) 영역에는 n-형 반도체/장벽금속/제 2 배선금속 구조를 형성하는 제 5 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 오오믹접속을 갖는 반도체 장치의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 배선금속(14)의 두께가 20 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 개선된 오오믹 접속을 갖는 반도체 장치의 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 장벽금속(15)의 두께가 20 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 개선된 오오믹 접속을 갖는 반도체 장치의 제조방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 제 2 배선금속(16)의 두께가 500 내지 1000nm인 것을 특징으로 하는 개선된 오오믹 접속을 갖는 반도체 장치의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.