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광논리소자및그의제조방법

  • 기술번호 : KST2015073959
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 외부 인가전압 없이도 광 시스템에서 실용가능한 정도의 광 쌍안정을 실현 할 수 있는 광 논리소자의 창출을 그 내용으로 한다.혼합물 반도체로 이루어진 얕은 다중양자 우물(Shal1ow Mutiple Quantum Well, SMQW)의 저전계흡수(low field electroabsoption) 특성과 비대칭 페브리 페롯(ASymmetric Fabry Perot, ASFP)공명 구조를 결합함으로써 이를 창출하였다.ASFP공명구조로 이루어진 PIN다이오드 SEED는 그 구조특성상 광 흡수층인 다중양자 우물로 이루어진 진성영역의 두께를 일반적인 SEED구조보다 크게 줄여 줄 수 있다는 점에 착안하였다.이는 일정한 내재전위(built in potential)를 가정할때, SMQW ASFP S-SEED회로에서의 인가전압 VAP=0일 경우의 각 SEED에 존재하는 전계의 차이가 일반적인 SMQW S-SEED회로에서의 각 SEED에 존재하는 전계의 차이보다 크게 된다는 것을 뜻한다.즉 각 SEED소자의 광 흡수율의 차이가 크게되고 광 쌍안정의 반사율 차이와 폭(width)이 증가된다는 것이다.본 발명에 의한 적절한 소자설계는 Self-Biased SMQW ASFP S-SEED(VAP=D)의 두 다이오드 전계차이가 일반적인 SMQW S-SEED의 동작전압 VAP=5Volt일때의 두 다이오드 전계차이정도가 되도록 할 수 있다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1019930026307 (1993.12.03)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0119229-0000 (1997.07.30)
공개번호/일자 10-1995-0021801 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 1019970006606 (19970429) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.03)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최영완 대한민국 서울특별시송파구
2 권오균 대한민국 대전직할시대덕구
3 심숙이 대한민국 대전직할시유성구
4 이일항 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.03 수리 (Accepted) 1-1-1993-0133274-15
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.03 수리 (Accepted) 1-1-1993-0133275-50
3 특허출원서
Patent Application		 1993.12.03 수리 (Accepted) 1-1-1993-0133273-69
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.21 수리 (Accepted) 1-1-1993-0133276-06
5 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0061521-69
6 등록사정서
Decision to grant		 1997.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0061522-15
7 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.07.28 수리 (Accepted) 1-1-1993-0133277-41
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

SEED(Self Electro-optic Effective Device)광 논리소자에 있어서; 반절연 GaAs기판(1)과; 상기 기판(1)위에 소정의 두께로 성장되고 소정의 굴절율(n)을 갖는 제1의 λ/4n반사층(여기서, λ는 광의 파장)(2)과, 이 제1의 반사층(2)위에 소정의 두께로 성장되되 상기 제1의 반사층(2)의 굴절율과 상이한 굴절율을 갖는 제2의 λ/4n반사층으로 이루어지는 반사층이 소정의 주기로 반복적으로 형성되는 하부거울층(10)과; 상기 하부거울층(10) 위에 N+형의 500㎚정도의 두께로 성장되는 캐소우드접촉층(4)과; 상기 캐소우드접촉층(4)위에 20㎚정도의 두께로 성장되는 제1의 완충층(5)과; 상기 제1의 완충층(5) 위에, 6㎚정도 두께의 장벽층(6) 및 10㎚정도 두께의 우물층(7)으로 이루어지는 얕은 양자우물층이 소정의 주기로 다중으로 성장되는 얕은 다중양자우물층(11)과; 상기 얕은 다중양자우물층(11) 위에 20㎚정도의 두께로 성장되는 제2의 완충층(8)과; 이 제2의 완충층 위에 506

2 2

제1항에 있어서, 상기 제1반사층(92)의 굴절율은 상기 제2반사층(3) 굴절율 보다 상대적으로 작은 것이 특징인 광 논리소자

3 3

제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2반사층(2,3) 각각은 AlAs 및 Al0

4 4

제3항에 있어서, 상기 하부거울층(10)은 상기 제1의 반사층(2)과 상기 제2의 반사층(3)이 12주기 이상 반복적으로 형성되는 것이 특징인 광 논리소자

5 5

제4항에 있어서, 상기 장벽층(6) 및 상기 우물층(7)은 36주기로 반복적으로 형성되고, 상기 장벽층(6) 및 상기 우물층(7)은 Al0

6 6

제5항에 있어서, 상기 제2완충층(8) 및 상기 애노우드접촉층(9)은 비도핑된 Al0

7 7

SEED(Self Electro-optic Effective Device)광 논리소자의 제조하는 방법에 있어서, 반절연 GaAs기판(1)위에 소정의 굴절율(n)을 갖는 AlAs로 이루어지는 제1의 λ/4n반사층(여기서, λ는 광의 파장)(2)을 72

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP02641705 JP 일본 FAMILY
2 JP07209681 JP 일본 FAMILY
3 KR100141343 KR 대한민국 FAMILY
4 KR100148418 KR 대한민국 FAMILY
5 US05623140 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2641705 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP7209681 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH07209681 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US5623140 US 미국 DOCDBFAMILY
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