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다층금속배선구조를이용한반도체장치의제조방법

  • 기술번호 : KST2015073970
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속배선간 알루미늄 필라접촉의 성능을 개선시킨 장치의 제조방법에 관한 것으로, 제1차 금속층(12)과 식각 중단층(13)을 증착하고, 그 상면에 연결 금속층(14)을 차례로 증착하고, 그 위에 소정의 패턴 감광막(15)을 도포한 다음 포토리소그라피 및 반응성 이온식각 방법을 이용하여 소정의 패턴 필라(16)을 형성하는 공정과,상기 필라(16)상에 포토리소그라피 및 반응성 이온식각 방법으로 1차 금속층(17)을 형성을 실정과 이어 상기 전면에 제1차 금속과 제2차 금속층의 증간절연막(18)을 화학증착(VCD)방법으로 증착하는 공정과, 상기 층간절연막(18)을 기계적 화학적 평탄화을 마치고 필라 위에 남아 있는 층간 절연막(18A)을 포토레지스트에 치백처리하는 공정과, 이어 상기 평탄화한 다음 제2차 금소층(21)을 층착한 후 감광막(20)을 소정의 패턴으로 형성한 다음 반응성이온 식각방법으로 식각 제거하여 제2차 금속층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/3205 (2006.01)
CPC H01L 21/76819(2013.01) H01L 21/76819(2013.01) H01L 21/76819(2013.01) H01L 21/76819(2013.01) H01L 21/76819(2013.01)
출원번호/일자 1019920009979 (1992.06.09)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0086194-0000 (1995.06.29)
공개번호/일자 10-1994-0001373 (1994.01.20) 문서열기
공고번호/일자 1019950002953 (19950328) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.06.09)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤용선 대한민국 대전직할시대덕구
2 이대우 대한민국 대전직할시서구
3 모승기 대한민국 대전직할시유성구
4 김보우 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전광역시유성구
2 한국전기통신공사 대한민국 서울시종로구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.06.09 수리 (Accepted) 1-1-1992-0055126-13
2 특허출원서
Patent Application		 1992.06.09 수리 (Accepted) 1-1-1992-0055123-87
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.06.09 수리 (Accepted) 1-1-1992-0055125-78
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.06.09 수리 (Accepted) 1-1-1992-0055124-22
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1992-0055127-69
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0017802-83
7 등록사정서
Decision to grant		 1995.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0017803-28
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

다층금속 배선구조를 갖는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 실리콘기판(11)상에 제1차 금속층(12)과 식각중단층(13)을 증착하고, 그 상면에 연결금속층(14)을 차례로 증착하고, 그 위에 소정의 패턴 감광막(15)를 도포한 다음 포토리소그라피 및 반응성 이온 식각방법을 이용하여 소정의 패턴 필라(16)을 형성하는 공정과, 상기 필라(16)상에 포토리소그라피 및 반응성 이온 식각방법으로 제1차 금속층(17)을 형성하는 공정과, 이어 상기 전면에 제1차 금속과 제2차 금속층의 층간절연막(18)을 화학증착(CVD) 방법으로 증착하는 공정과, 상기 층간 절연막(18)을 기계적 화학적 평탄화를 마치고 필라 위에 남아있는 층간 절연막(18A)을 포토레지스트 에치백 처리하는 공정과, 이어 상기 평탄화한 다음 제2차 금속층(21)을 증착한 후 감광막(20)을 소정의 패턴으로 형성한 다음 포토리소그라피 방법으로 식각 제거하여 제2차 금속층을 형성하는 공정을 포함하는 다층금속 배선구조를 이용한 반도체 장치의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 제1차 금속층(12)으로서 알루미늄을 이용하는 것을 특징으로 하는 다층 금속 배선구조를 이용한 반도체 장치의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 식각중단층(13)으로서 타이타늄-텅스텐을 이용하는 것을 특징으로 하는 다층 금속 배선구조를 이용한 반도체 장치의 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 연결금속층(14)으로서 알루미늄을 이용하는 것을 특징으로 하는 다층금속 배선 구조를 이용한 반도체 장치의 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 층간 절연막(18)으로서 실리콘 산화막을 이용하는 것을 특징으로 하는 다층금속 배선구조를 이용한 반도체 장치의 제조방법

6 6

제1항에 있어서, 상기 제2차 금속층(19)으로서 알루미늄을 이용하는 것을 특징으로 하는 다층금속 배선구조를 이용한 반도체 장치의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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