맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

광학적스텝퍼를이용한금속반도체전계효과트랜지스터의미세선폭형성방법

  • 기술번호 : KST2015074027
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 반도체 전계효과 트랜지스터소자의 제조방법에 관한 것으로특히 패턴전사과정에서 광학적스탭퍼를 이용하여 포토레지스트막을 2중 노광하여 미세한 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 반절연GaAs기판(1)상에 포지티브 포토레지스트막(2)을 도포하고 열처리를 한 후, 마스크(3)상의 패턴크기로부터 일정배율 축소하여 광학적 스텝퍼로 1차 노광시키는 공정과, 상기 광학적 스텝퍼의 스테이지를 횡방향으로 일정거리 이동시켜 상기 포토레지스트막(2)에 2차 노광시켜 미세한 패턴의 크기를 형성하는 공정과, 상기 포토레지스트막(2)을 현상시키는 공정을 거쳐 완성된다. 따라서 본 발명은 금속 반도체 전계효과 트랜지스터의 게이트를 형성하는데 적용되며, 또한 미세한 선폭의 배선과 HEMT의 제작과 다른 미세한 패턴을 필요로 하는 소자의 제작에 이용된다.
Int. CL H01L 21/30 (2006.01)
CPC H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01)
출원번호/일자 1019930029349 (1993.12.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1995-0021158 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.23)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 양전욱 대한민국 대전직할시유성구
2 강석봉 대한민국 대전직할시유성구
3 최영규 대한민국 대전직할시유성구
4 박철순 대한민국 대전직할시유성구
5 박형무 대한민국 대전직할시유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1993.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1993-0147047-29
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1993-0147049-10
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1993-0147048-75
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.23 수리 (Accepted) 1-1-1993-0147050-67
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1996.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0070077-09
6 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1997.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0070078-44
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

금속 반도체 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법에 있어서, 반절연GaAs기판(1)상에 포지티브 포토레지스트막(2)을 도포하고 열처리를 한 후, 마스크(3)상의 패턴크기로부터 일정배율 축소하여 광학적 스텝퍼로 1차 노광시키는 공정과; 상기 광학적 스텝퍼의 스테이지를 횡방향으로 일정거리 이동시켜 상기 포토레지스트막(

2)에 2차 노광시켜 미세한 패턴의 크기를 형성하는 공정과; 상기 포토레지스트막(

2)을 현상하는 공정을 포함하는 광학적 스텝퍼를 이용한 금속 반도체 전계효과 트랜지스터의 미세선폭 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 일정거리는 상기 마스크(3)상의 패턴의 크기보다 실제 형성하고자 하는 패턴의 크기를 뺀 거리인 것을 특징으로 하는 광학적 스텝퍼를 이용한 금속 반도체 전계효과 트랜지스터의 미세선폭 형성방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 패턴의 크기는 위치이동의 정확도에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 광학적 스텝퍼를 이용한 금속 반도체 전계효과 트랜지스터의 미세선폭 형성방법

4
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.