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가드링제조방법

  • 기술번호 : KST2015074320
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 에벌렌치 포토다이오드와 같은 높은 전압하에서 사용되는 소자에 있어 전기장의 집중현상에 의한 조기항복을 방지하기 위한 가드링 제조방법에 관한 것으로, 그 공정은 n-형 InP 증폭층(5)위에 가드링 부분을 소정의 형태로 식각하고, 이 식각된 부분에 액상에피택시법이나 에피성장시스템을 이용하여 소정의 낮은 농도로 P-형 InP층(7)을 형성하고 이 n-형 InP층(7) 보다도 상대적으로 높은 농도로 P-형 InP층(8)을 형성하여 제조공정이 간단하고, 상기 액상에피택시법을 이용하므로 소자제작 공정을 간단하게 하여 소자제작의 재현성 및 용이성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/107 (2006.01)
CPC H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01)
출원번호/일자 1019930018144 (1993.09.09)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0116438-0000 (1997.06.16)
공개번호/일자 10-1995-0010142 (1995.04.26) 문서열기
공고번호/일자 1019970004492 (19970328) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.09.09)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유지범 대한민국 대전직할시유성구
2 박찬용 대한민국 대전직할시유성구
3 조호성 대한민국 부산직할시동래구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.09.09 수리 (Accepted) 1-1-1993-0095171-29
2 특허출원서
Patent Application		 1993.09.09 수리 (Accepted) 1-1-1993-0095169-37
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.09.09 수리 (Accepted) 1-1-1993-0095170-84
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.21 수리 (Accepted) 1-1-1993-0095172-75
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1994.10.12 수리 (Accepted) 1-1-1993-0095173-10
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0038895-89
7 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.07 수리 (Accepted) 1-1-1993-0095174-66
8 등록사정서
Decision to grant		 1997.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0038896-24
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

n+형 InP 기판층(1) 상면에 n-형 InGaAs 흡수층(2)을 형성하고, 이 흡수층(2)상면에 n-형 InGaAaP층(3)을 형성하고, 이 n-형 InGaAaP층(3)상면에 n+형 InP층(4)을 형성하고, 이 n+형 InP층(4)위에 n+형 InP 증폭층(5)을 형성하는 (A)공정과, 상기 n+형 InP증폭층(5) 상면에 SiNX식각 보호막(6)을 증착하여 가드링형성을 위한 소정부분이 식각되는 (B)공정과, 상기 식각부분이 소정의 두께(t1) 및 소정의 폭(w1)으로 소정 식각방법에 의해서 소정의 형태로 식각된 후, 상기 SiNX 식각보호막(6)이 제거되는 (C)공정과, 이 공정(C)상면에 상기 소정의 두께(t1)로 식각된 부분과 소정의 두께(t2)에 상응하는 p-형 InP층(7)이 액상 에피택시법에 의해 소정의 농도로 도포되고, 이 p-형 InP층(7)위에 p+형 InP층(8)을 상기 액상 에피택시법에 의하여 소정의 두께(t3)로 상기 p_형 InP층(7)의 소정 도핑농도보다 낮은농도로 도핑되는 (D) 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 가드링 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 p-형 InP층(7) 및 p+형 InP층(8)에서 p-형 InP층(7)의 농도는 2×1017cm-3이고, 두께(t2)는 0

3 3

제1항에 있어서, 상기 n+형 InP 증폭층(5)의 식각되는 부분의 형태는 메사형의 홈 또는 V형의 홈으로 제조되는 것을특징으로 하는 가드링 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.