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고밀도브이자홈을갖는갈륨비소기판의제조방법

  • 기술번호 : KST2015074536
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 포토리소그라피를 통하여 갈륨비소 박막 성장시 갈륨비소의 면방위에 따른 박막의 성장속도의 차를 이용한 고밀도의 V자 홈을 갖는 갈륨비소기판의 제조방법에 관한 것이다.갈륨비소기판(10)상에 마스크 정렬기가 가공할 수 있는 최소의 폭으로 Si3N4패턴을 형성하는 공정과, 상기 패턴이 형성된 갈륨비소기판(10)의 노출된 부분(111)면이 나타나도록 황산계열 에칭 용액으로 에칭하는 공정과, 상기 황산계열 에칭 용액으로 에칭한 기판상에 갈륨비소의 면방위의 의한 성장속도를 이용하여 갈륨비소 박막을 선택적으로 성장시키는 공정과, 상기 Si3N4를 제거하는 공정으로 이루어진다.
Int. CL H01L 21/302 (2006.01)
CPC H01L 21/30617(2013.01) H01L 21/30617(2013.01)
출원번호/일자 1019940010638 (1994.05.16)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0133469-0000 (1997.12.22)
공개번호/일자 10-1995-0034739 (1995.12.28) 문서열기
공고번호/일자 (19980423) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.05.16)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성복 대한민국 대전직할시유성구
2 박성주 대한민국 대전직할시유성구
3 노정래 대한민국 대전직할시유성구
4 이일항 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.05.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0049226-64
2 특허출원서
Patent Application		 1994.05.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0049225-18
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.05.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0049227-10
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0049228-55
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0049229-01
6 등록사정서
Decision to grant		 1997.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0027695-31
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
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포토리소그라피에 의한 갈륨비소박막의 성장방법에 있어서, 갈륨비소기판(10)상에 마스크 정렬기가 가공할 수 있는 최소의 폭으로 패턴을 형성하는 공정과; 상기 갈륨비소기판(10)의 노출된 부분을 (111)면이 나타나도록 황산계열 에칭 용액으로 에칭하는 공정과; 상기 황산계열 에칭 용액으로 에칭한 기판상에 갈륨비소 박막을 선택적으로 성장시키는 공정과; 상기 Si3N4를 제거하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고밀도 브이(V)자 홈을 갖는 갈륨비소 기판의 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP02665460 JP 일본 FAMILY
2 JP07321100 JP 일본 FAMILY
3 US05824453 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2665460 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP7321100 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH07321100 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US5824453 US 미국 DOCDBFAMILY
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