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매립형반도체레이저의제조방법

  • 기술번호 : KST2015074579
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 누설전류 및 고속변조 특성이 개선된 반도체 레이저의 제조방법을 개시한다.비평면 수직메사 구조위에 저압유기금속 화학증착을 이용해 밴드갭이 큰 In1-xGaxP(0≤x≤0.84)/AlSb 초격자구조의 디지탈 알로이(7)를 100㎚정도의 두께로 성장시키고, 전류차단층(8)을 상기 SiNx마스크(6) 위치까지 성장시키고, 계속해서 p형 클래드층(5)으로 부터의 정공주입을 막기위해 n-InP층으로 이루어지는 정공주입방지층(9)을 약0.5㎛ 정도의 두께로 성장시킨 후, SiNx마스크(6)를 식각해내고, p-InP클래드층(10)과 p+-InGaAs 저항성 접촉층(11)을 재성장시킨다.이로써, p형 광도파층 바로위의 p-InP 클래드층의 도판트인 Zn과 반절연 InP의 도판트인 Fe과의 상호 확산도 효과적으로 방지하게 되므로 광출력 특성 또한 선형적으로 증가하게 되어 고출력 특성을 가지게 된다.
Int. CL H01S 5/227 (2006.01)
CPC H01S 5/227(2013.01) H01S 5/227(2013.01) H01S 5/227(2013.01)
출원번호/일자 1019940035489 (1994.12.21)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0161064-0000 (1998.08.21)
공개번호/일자 10-1996-0027101 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (19990218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.21)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오대곤 대한민국 대전직할시유성구
2 박종대 대한민국 대전직할시서구
3 김형문 대한민국 대전직할시중구
4 주흥로 대한민국 대전직할시유성구
5 박형무 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0159795-12
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0159796-68
3 특허출원서
Patent Application		 1994.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0159794-77
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0159797-14
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0159798-59
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0089022-77
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.04.13 수리 (Accepted) 1-1-1994-0159801-10
8 의견서
Written Opinion		 1998.04.13 수리 (Accepted) 1-1-1994-0159800-64
9 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.04.13 수리 (Accepted) 1-1-1994-0159799-05
10 등록사정서
Decision to grant		 1998.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0089023-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

n+-InP기판(1) 위에, InGaAsP n형 광도파층(2), 1

2 2

제1항에 있어서, 상기 RIE에 의한 계면의 결정손상을 회복시키기 위해 후처리로서 H2SO4계에 의한 습식식각을 수행하는 공정을 부가적으로 포함하는 매립형 반도체 레이저의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 전류차단층(8)은 In1-xGaxP(x~0

4 4

제1항에 있어서, 상기 전류차단층(8)은 AlAs/AlSb 디지탈 알로이로 구성되는 매립형 반도체 레이저의 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 전류차단층(8)은 GaP/AlSb 디지탈 알로이로 구성되는 매립형 반도체 레이저의 제조방법

6 6

제1항에 있어서, 상기 전류차단층(8)은 AlP/AlSb 디지탈 알로이로 구성되는 매립형 반도체 레이저의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.