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고주파반도체장치의제조방법

  • 기술번호 : KST2015074742
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로웨이브(microwave)의 고주파 반도체 장치의 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 반도체기판상에 양질의 산화막을 형성하기 위한 산화막성장방법에 관한 것이다.반도체기판내에 산화매몰층을 형성하여 능동소자와 수동소자를 동시에 집적화되는 고주파 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 반도체기판(1)상에, 완충용 산화막(2)과, 질화실리콘막(3) 및, 산화막(4)이 순차로 형성되는 공정과; 소정패턴의 포토레지스트막(5)을 상기 산화막(4)위에 형성하고, 산화매몰영역을 정의하는 공정과; 상기 포토레지스트막(5)을 포토마스크로 사용하여, 상기 산화막(4)/질화실리콘막(3)/완충용 산화막(2)으로 이루어진 식각보호층을 건식식각방법으로 제거하는 공정과; 상기 포토레지스트막(5)을 제거한 다음, 상기 실리콘기판(1)을 소정깊이만큼 수직방향으로 식각하여 트렌치를 형성하는 공정과; 열산화하여 상기 트렌치내에 산화막이 충진되면서 산화되고, 그리고 트렌치 사이의 실리콘을 산화하여 산화매몰층을 형성하는 공정과; 상기 완충용산화막(2)위에 형성된 층들을 모두 제거하는 공정을 포함한다.
Int. CL H01L 27/04 (2006.01)
CPC H01L 21/02255(2013.01) H01L 21/02255(2013.01)
출원번호/일자 1019940033892 (1994.12.13)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0137572-0000 (1998.02.10)
공개번호/일자 10-1996-0026727 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (19980428) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.13)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최창억 대한민국 대전직할시유성구
2 임병무 대한민국 대전직할시유성구
3 편광의 대한민국 대전직할시동구
4 김경수 대한민국 대전직할시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.13 수리 (Accepted) 1-1-1994-0152455-07
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.13 수리 (Accepted) 1-1-1994-0152456-42
3 특허출원서
Patent Application		 1994.12.13 수리 (Accepted) 1-1-1994-0152454-51
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1994-0152457-98
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0152458-33
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0085035-77
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

반도체기판내에 산화매몰층을 형성하여 능동소자와 수동소자를 동시에 집적화되는 고주파 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 반도체기판(1)상에, 완충용 산화막(2)과, 질화실리콘막(3) 및, 산화막(4)이 순차로 형성되는 공정과; 소정패턴의 포토레지스트막(5)을 상기 산화막(4)위에 형성하여, 산화매몰영역을 정의하는 공정과; 상기 포토레지스트막(5)을 포토마스크로 사용하여, 상기 산화막(4)/질화실리콘막(3)/완충용 산화막(2)으로 이루어진 식각보호층을 건식식각방법으로 제거하는 공정과; 상기 포토레지스트막(5)을 제거한 다음, 상기 실리콘기판(1)을 소정깊이만큼 수직방향으로 식각하여 트렌치를 형성하는 공정과; 열산화하여 상기 트렌치내에 산화막이 충진되면서 산화되고, 그리고 트렌치 사이의 실리콘을 산화하여 산화매몰층을 형성하는 공정과; 상기 완충용산화막(2)위에 형성된 층들을 모두 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 반도체 장치의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 반도체기판은 실리콘기판인 것을 특징으로 하는 고주파 반도체 장치의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 반도체기판은 위에 에피택셜층이 형성된 기판인 것을 특징으로 하는 고주파 반도체 장치의 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 완충용산화막(2)은 300 내지 400Å의 두께를 갖고, 상기 질화실리콘막(3)은 약 1200Å의 두께를 가지며, 상기 산화막(4)은 10000Å 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 고주파 반도체 장치의 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 식각보호층을 제거하는 공정에서, 트렌치 사이에 형성된 실리콘의 폭과 트렌치의 폭이 0

6 6

제1항에 있어서, 상기 산화매몰층상에는 수동소자가 형성되고, 그리고 상기 산화매몰층이외의 부분에는 능동소자가 형성되는 고주파 반도체 장치의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.