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이중 피크 공명 투과 다이오드의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015074930
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이중 피크 공명 투과 다이오드의 제조방법에 관한 것으로, 반절연성 GaAs의 반도체 기판 상에 N형 불순물이 많이 도핑된 GaAs의 버퍼층, N형 불순물이 약간 도핑된 GaAs의 제1간격층, 불순물이 도핑되지 않은 AlGaAs의 제1장벽층, 불순물이 도핑되지 않은 GaAs의 우물층, 불순물이 도핑되지 않은 AlGaAs의 제2장벽층, N형 불순물이 약간 도핑된 GaAs의 제2간격층, N형 불순물이 많이 도핑된 GaAs의 접촉을 순차적으로 결정 성장하는 공정과, 상기 버퍼층이 노출되도록 상기 접촉층 부터 버퍼층 까지 소정 부분을 건식 식각하여 메사 형태를 형성하는 공정과, 상기 버퍼층의 노출된 부분의 상부와 상기 접촉층 상부의 일측에 각각 제1 및 제2전극을 형성하는 공정과, 상술한 구조의 전 표면에 절연막을 증착한 후 메사 상부의 제2전극 및 접촉층과 메사 하부의 제1전극을 노출시키는 공정과, 상기 제2전극과 설연막을 마스크로 하여 상기 접촉층의 노출된 부분을 식각하고 상기 제1 및 제2전극 상에 도전성 금속을 증착하여 본딩 패드를 형성하는 공정을 구비한다. 따라서, 메사위에 형성된전극의 면적을 메사보다 작게하고전극이 형성되지 않는 접촉층을 부분적으로 식각하므로서 전압 강하의 차를 유도하여 전극이 형성된 영역과 형성되지 않은 영역의 이중 장벽 양자 우물 구조의 공명 투과 조건을 다르게 하여 간단하게 두개의 피크를 도출할 수 있어 고집적을 이룰 수 있다.
Int. CL H01L 29/772 (2006.01) H01L 29/812 (2006.01)
CPC H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01)
출원번호/일자 1019950050516 (1995.12.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0170486-0000 (1998.10.15)
공개번호/일자 10-1997-0054537 (1997.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (19990201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.15)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 추혜용 대한민국 대전광역시 유성구
2 유병수 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1995.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196278-76
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196280-68
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196279-11
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196281-14
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196282-59
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0103751-07
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반절연성 GaAs의 반도체 기판 상에 N형 불순물이 많이 도핑된 GaAs의 버퍼층, N형 불순물이 약간 도핑된 GaAs의 제1간격층, 불순물이 도핑되지 않은 AlGaAs의 제1장벽층, 불순물이 도핑되지 않은 GaAs의 우물층, 불순물이 도핑되지 않은 AlGaAs의 제2장벽층, N형 불순물이 약간 도핑된 GaAs의 제2간격층, N형 불순물이 많이 도핑된 GaAs의 접촉층을 순차적으로 결정 성장하는 공정과, 상기 버퍼층이 노출되도록 상기 접촉층부터 버퍼층까지 소정 부분을 식각하여 메사 형태를 형성하는 공정과, 상기 버퍼층의 노출된 부분의 상부와 상기 접촉층 상부의 일측에 각각 제1 및 제2전극을 형성하는 공정과, 상술한 구조의 전 표면에 절연막을 증착한 후 메사 상부의 제2전극 및 접촉층과 메사 하부의 제1전극을 노출시키는 공정과, 상기 제2전극과 절연막을 마스크로 하여 상기 접촉층의 노출된 부분을 식각하고 상기 제1 및 제2전극 상에 도전성 금속을 증착하여 본딩 패드를 형성하는 공정을 구비하는 이중 피크 공명 투과 다이오드의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 결정 성장층들을 MBE 또는 MOCVD 방법으로 형성하는 이중 피크 공명 투과 다이오드의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 제2간격층을 불순물이 1× 1017∼5×1017cm-3 로 도핑되게 형성하는 이중 피크 공명 투과 다이오드의 제조방법

4 4

제3항에 있어서, 상기 제2간격층을 100∼150nm의 두께로 형성하는 이중 피크공명 투과 다이오드의 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 접촉층을 불순물이 1× 1018∼5×1018cm-3 의 고농도로 도핑되게 형성하는 이중 피크 공명 투과 다이오드의 제조방법

6 6

제1항에 있어서, 상기 메사의 상부와 제2전극의 면적 비는 1

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.